教师信息详细信息

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教师传记

医生(工程)
教育背景 毕业于京都古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网工程学院工业化学系(2003年)
京都古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网工程学院,化学工程系通过多特蒙德古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的交流计划(德国)(20038)(2003)
完成京都大学工程古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网生院化学工程学硕士课程(2005)
京都大学工程古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网生院电子工程学院完成的博士课程(2008)
工作历史 参加“教育,文化,科学和古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的第一部教育,文化,文化,体育,科学和科学古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网”(2005----)赞助
日本科学促进学会特别古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网员(DC2)(2007-2008)
古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网理大学Nanodevices研究所助理教授(2008-2011
科学古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的赠款(Young Research(启动))采用(2008-2010)
采用科学古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的赠款(Young Research(b))(2010-2012)
大阪高中和初中的兼职讲师(2004-2007)
大学古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网研究有限公司成立的总监(2006-2007)
高知理大学纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网研究所助理教授(2011)
高知工艺大学的讲师纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网研究所(2012-)
资格 获得初中老师(数学)(2007)
第一级高中教师许可证(数学)(2007)
第一级高中教师许可证(科学)(2007)
专业 化学工程
电子产品
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古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网形成反应理论
超声古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网
喷雾古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网
流体分析
数值计算
半导体的电子特性
发射物理
反应工程
优化
燃料电池
表面处理古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网
LAB 名称 材料创新可持续古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网实验室
详细信息 ・开发雾CVD以及新功能膜和功能元素的开发
・雾液滴行为分析和电源开发
・创新运输方式的发展
附属社会 应用物理协会
CVD古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网小组http://cvdjpnorg/
EMS http://emsjpnorg/

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负责今年的演讲

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具有低环境影响的增长过程和设备的开发和设计

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消息

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古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网成就

主要奖项等

  • 37th(2015)应用物理纸鼓励奖(2015)应用物理学会
  • 2014年第75届秋季应用物理海报奖(2014)应用物理学会
  • 第七古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网材料设备研究小组最佳纸张奖(2010年)古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网材料设备研究小组
  • 22nd(2007春季)应用物理学会(2007)第54届应用物理联合会讲座
  • 26th EMS奖(2007)电子材料研讨会
  • VBL Young Research Grant鼓励奖(2007年)京都大学VBL年轻古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网补助结果成果
  • VBL年轻古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网赠款大奖(2006年)京都大学VBL年轻古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网赠款结果
  • 高级纳米工程年轻古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网人员的优秀奖项(2005年)第三次介绍高级纳米工程的年轻古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网人员

特别古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网论文

标题 作者 出版杂志 发布年
分析缺陷的分析,分数级级α-(Alxga1-X)2O3层 Tatsuya Yasuoka,Hiramu Susami,古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网u 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,Dang Thai Giang,Toshiyuki Kawaharamura RSC adv。,vol14,p31570 2024
乙酰乙酸酯在HCl支持下通过薄雾化学蒸气沉积在HCl支持下的α-GA2O3的生长 Tatsuya Yasuoka,古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网u 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,Dang Thai Giang,Toshiyuki Kawaharamura 纳米材料,第14卷,p1221 2024
13593_13698 Kazuki Ikeyama,Hidemoto Tomita,Sayaka Harada,Takashi Okawa,古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网u 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,Toshiyuki Kawaharamura,Hiroki Miyake,Yoshitaka Nagasato 应用物理Express,第17卷,p064002 2024
氧气流比对通过射频磁控器示出生长的Agxo古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的特性的影响 Xiaojiao 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网u,Dang Thai Giang,Tatsuya Yasuoka,古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网u 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,Toshiyuki Kawaharamura RSC adv。,vol14,p23215 2024
GA-SN-O古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,MIST-CVD方法和模拟Memristor:神经形态系统的有前途的建议 Ryo Ito,Sumio Sugisaki,Toshiyuki Kawaharamura,Tokiyoshi Matsuda,Hidenori Kawanishi,Mutsumi Kimura ieice trans。电子,第108卷,第54页 2024
通过BI3+掺杂可见光响应的光催化对含氧氧化物古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的可见光滥用 Yoko Taniguchi,Hiroyuki Nishinaka,Kazuki Shimazoe,Toshiyuki Kawaharamura,Kazutake Kanegae,Masahiro Yoshimoto 材料化学与物理,第1卷。 315,p。 128961 2024
在供应古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的MIST CVD中的生长机制:高温场中的雾状液滴状态的推定 Toshiyuki Kawaharamura, Misaki Nishi, 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网u 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网, Phimolphan Rutthongjan, Yuna Ishikawa, Masahito Sakamoto, Tatsuya Yasuoka, Kanta Asako, Tamako Ozaki, Miyabi Fukue, Mariko Ueda, Shota Sato, Dang Thai giang 日本应用物理学杂志,第1卷。 63,p015502 2023
表征和研究高电导率的矩阵掺杂锡氧化物古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,由MIS化学蒸气沉积生长 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网u 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,Mariko Ueda,Toshiyuki Kawaharamura RSC adv。,vol13,p13456 2023
ZN1-XMGXO/AGYO异质结的制造在大气压力下通过MIST CVD的演讲 Xiaojiao 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网u,Dang Thai Giang,古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网u 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,Toshiyuki Kawaharamura 应用的表面科学,第1卷。 596,p。 153465 2022
使用氧气支持源在低温下生长在低温下生长的Yttrium氧化物古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的质量改善 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网u 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,Toshiyuki Kawaharamura,Masahito Sakamoto,Misaki Nishi,Dang Thai Giang,Shota Sato Physica状态实体B,卷。 2021年,第1页。 2100105 2021
sub-μm特征用激光干扰光刻图案化,用于通过MIS Chemical Vapor沉积的α-GA2O3的外延横向过度生长 Dang Thai Giang,Tatsuya Yasuoka,Toshiyuki Kawaharamura 应用物理信,第119卷,p041902 2021
HCl对第三代MIS化学蒸气沉积制造的α-GA2O3古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的影响 Tatsuya Yasuoka,古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网u 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,Tamako Ozaki,Kanta Asako,Yuna Ishikawa,Miyabi Fukue,Dang Thai Giang,Toshiyuki Kawaharamura AIP Advances,vol11,p045123 2021
在C平面蓝宝石上生长的氧化; Leila Ghadbeigi,Jacque古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网ne Cooke,Dang Thai Giang,Toshiyuki Kawaharamura,Tatsuya Yasuoka,Rujun Sun,Praneeth Ranga,Sriram Krishnamoorthy,Michael AScarpulla,Michael AScarpulla,Berardi Sensale Rodriguez 电子材料杂志,第1卷。 50,pp。2990-2998 2021
雾化学蒸气沉积古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网20和100 nm厚的未含量的铁电氧化物氧化物N+-SI(100)底物上的氧化物 塔哈拉大道(Daisuke tahara),北田(Hiroyuki Nishinaka),shota sato,古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网u 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,toshiyuki kawaharamura,masahiro吉罗多(Masahiro Yoshimoto),Minoru Noda 日本应用物理学杂志,第1卷。 58,psllb10 2019
α-(alxga1-x)2O3单层和异质结构缓冲液,用于通过错误的化学蒸气沉积的导电SN掺杂α-GA2O3古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的生长 Dang Thai Giang,Shota Sato,Yuki Tagashira,Tatsuya Yasuoka,古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网u 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,Toshiyuki Kawaharamura apl mater。,vol8,p101101 2020
导电Si掺杂α-(Alxga1-X)2O3古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,带隙高达622 eV Dang Thai Giang,Yuki Tagashira,Tatsuya Yasuoka,古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网u 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,Toshiyuki Kawaharamura AIP Advances,第10卷,P115019 2020
通过[H2O]/[Zn]比例的调节,通过雾化学蒸气沉积的锌氧化古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的生长机理 Phimolphan Rutthongjan,Misaki Nishi,古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网u 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,Shota Sato,Yuya okada,Dang Thai Giang,Toshiyuki Kawaharamura 应用。物理。 Express,第12卷,p065505 2019
在雾-CVD生长的氧化物半导体上制造的电子设备及其应用 Dang Thai Giang,Martin Allen,Mamoru Furuta,Toshiyuki Kawaharamura 日本应用物理学杂志,第1卷。 58,p090606 2019
使用MIS化学蒸气沉积生长的Zn1-XMGXO古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的组成控制 Phimolphan Rutthongjan,古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网u,Misaki Nishi,Masahito Sakamoto,Shota Sato,Ellawala Kankanamge Chandima Chandima Pradeep,Dang Thiai Giang,Toshiyuki Kawaharamura 日本应用物理学杂志,第1卷。 58,p035503 2019
第三代雾化古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网(SNOX:SB)的导电剂量的制造研究。 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网u,Toshiyuki Kawaharamura,Dang Thai Giang,Ellawala Kankanamge Chandima Pradeep,Shota Sato,Takayuki Uchida,Shizuo Fujita,Shizuo Fujita,Takahiro Hiromatsu,Takahiro Hiromatsu,Hiroshi Kobayashi,Hiroshi kobayashi 日本应用物理学杂志,第1卷。 58,p025502 2019
使用二色剂铵的mist cvd的α-Cr2O3单晶生长 Dang Thai Giang,Yuta Suwa,Masahito Sakamoto,古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网u,Phimolphan Rutthongjan,Shota Sato,Tatsuya Yasuoka,Ryo Hasegawa,Toshiyuki Kawaharamura App古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网ed Physics Express,Vol11,P111101 2018
α-(alxga1-x)2O3的带隙工程通过薄雾化学蒸气沉积两腔系统和Vegard定律的验证 Giang T Dang,Tatsuya Yasuoka,Yuki Tagashira,Toshiyasu Tadokoro,Wolfgang Theiss,Toshiyuki Kawaharamura 应用。物理。 Lett。,vol113,p062102 2018
用于制造基于溶液的非视疫苗古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的方法,制造二硫化钼(MOS2)分层古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网由MIST CVD Sato Shota,Sakamoto Masahito,Kawaharamura Toshiyuki 材料,vol67 2018
使用高温和高压乙腈的超细MGO纳米晶体的单步简单的溶剂综合方法 Ellawala Kankanamge Chandima Pradeep,Masataka Ohtani,Kazuya Kobiro,Toshiyuki Kawaharamura 化学。 Lett。,卷。 46,pp。940-943 2017
倒置聚合物古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网能电池的混合ZnO薄膜的大气生长 Chandan Biswas,Zhu Ma,Xiaodan Zhu,Kawaharamura,Toshiyuki,Kang L Wang 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网能材料和古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网能电池,第1卷。 157,pp。1048-1056 2016
基于Leidenfrost液滴的雾化学蒸气沉积的多个量子的大气压外延生长古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网 Kawaharamura,Toshiyuki,Dang Thai Giang,Nitta Noriko appl。物理。 Lett。,Vol109,No15 2016
透明的导电性锌 - 氧化膜在低温下通过雾化学蒸气沉积 Shirahata Takahiro,Kawaharamura,Toshiyuki,Fujita Shizuo,Orita Hiroyuki 薄胶片,第1卷。 597,pp30-38 2015
银氧化物Schottky触点和金属半导体 Giang T Dang,Takayuki Uchida,Kawaharamura,Toshiyuki,Furuta Mamoru,Adam R Hyndman,Rodrigo Martinez,Rodrigo Martinez,Shimao Fujita,Shimao Fujita,Roger J Roger J Reeves,Martin W Allen W Allen W Allen W Allen 应用物理Express,第9卷,p041101 2016
使用MISS-CVD进行多晶金属氧化物的大气和水性沉积,以高效倒置聚合物古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网能电池 Xiaodan Zhu,Kawaharamura,Toshiyuki,Adam Z Stieg,Chandan Biswas,Lu 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,Lu 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,Zhu MA,Mark A Zurbuchen,Qibing Pei,Kang L Wang pei,Kang L Wang Nano Letters,卷。 15,pp。4948-4954 2015
具有非Vacuum加工的雾化化学蒸气沉积的– ga – Zn – O通道中的金属 - 核导体场效应晶体管 Giang T Dang,Kawaharamura,Toshiyuki,Furuta,Mamoru,Martin W Allen 电子设备字母,IEEE,第1卷。 36,第5号,第463-465页 2015
超声辅助MIS MIS化学蒸气沉积II-氧化物和相关氧化物化合物 Shizuo Fujita,Kentaro Kaneko,Takumi Ikenoue,Kawaharamura,Toshiyuki,Furuta,Mamoru Physica状态实体(C),Vol11,No7-8,pp1225-1228 2014
氧化铝薄膜的雾化学蒸气沉积,用于晶体硅古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网能电池的后表面钝化 Takayuki Uchida,Kawaharamura,Toshiyuki,Kenji Shibayama,Shizuo Fujita,Takahiro Hiramatsu,Hiroyuki Orita 应用物理Express,第1卷。 7,第2号,p021303 2014
使用雾液滴的露天大气压力薄膜制造古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网开发的物理学;控制前体流 kawaharamura,toshiyuki JPN。 J Appl。 Phys。,第53卷,第5S1号,p05ff08 2014
带有二氧化物 - 锌 - 氧化物通道的古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网晶体管的电性能和由基于溶液的大气压力沉积形成的氧化铝栅极介电堆栈 Fur​​uta,Mamoru,Kawaharamura,Toshiyuki,Wang,Dapeng,Tatsuya Toda,Hirao,Takashi IEEE Electron Device Letters,第1卷。 33,第6号,第851-853页 2012
通过细通道雾化学蒸气沉积的高度结晶型A-GA2O3古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网成功增长 卡瓦哈拉姆拉,toshiyuki,tai jan dan,furuta,mamoru 日本应用物理学杂志,第1卷。 51,pp040207-1-040207-3 2012
带有ZnO通道的古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网晶体管的光浸泡电流在可见光下在各种氧气压力下形成 s。 Shimakawa,Y。Kamada,Kawaharamura,Toshiyuki,Wang,Dapeng,古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,Chaoyang,S。Fujita,Hirao,Takashi,Takashi,Furuta,Mamoru 日本应用物理学杂志,第1卷。 51,pp03CB04-1-03CB04-4 2012
通过辐照AR梁对Si晶体的肿胀高度的控制 Momota,Sadao,Jango Hanga,Takuy​​a Toyonaga,Hikaru Terauchi,Kazuki Maeda,Maeda,Jun Taniguchi,Hirao,Hirao,Takashi,Furuta,Furuta,Mamoru,Mamoru,Mamoru,Kawaharamura,Kawaharamura,Toshiyuki 纳米科学和纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网杂志,第1卷。 12,第1号,第552-556页 2012
使用重离子梁 Momota Satao,Hirao Takashi,Furuta Mamoru,Kawaharamura Toshiyuki,Taniguchi Jun 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网理大学公告,第1卷。 8,第1号,第89-94页 2011
光致发光,形态和水热ZnO的结构在室温下植入60 keV sn离子 Tai Jan Dan,Kawaharamura,Toshiyuki,Nitta,Noriko,Hirao,Takashi,T。Yoshiie,Taniwaki,Masafumi J。应用。 Phys。,第109卷,p123516 2011
植入60 kev sn+的Zno Wafers的特征 Tai Jan Dan,Kawaharamura,Toshiyuki,Hirao,Takashi,Nitta,Noriko,Noriko,Taniwaki,Masafumi AIP会议程序,第1卷。 1321,第270-273页 2011
新开发的横截面XRD测量的多壁碳纳米管森林的晶体结构分析 h。 Furuta,T。Kawaharamura,M。Furuta,K。Kawabata,T。Hirao,T。Komukai,K。Yoshihara,Y。Shimomoto,T。Oguchi 应用物理Express,第1卷。 3,pp105101-1-105101-3 2010
高密度的短高度直接在玻璃上生长CNT图案发射极 h。 Furuta,T。Kawaharamura,K。Kawabata,M。Furuta,T。Matsuda,C。古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,T。Hirao 表面科学与纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的电子杂志,第1卷。 8,pp。336-339 2010
脉冲底物偏置对通过电感耦合等离子体沉积沉积的SIO2膜性能的影响 t。 Hiramatsu,T。Matsuda,H。Furuta,H。Nitta,T。Kawaharamura,C。古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,M。Furuta,T。Hirao 日本日报应用物理学,第1卷。 49,pp03CA03-1-03CA03-4 2010
在射频溅射过程中受气比和底物偏置影响的ZnO纳米结构的结构和光致发光特性的比较 Chaoyang 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,Tokiyoshi Matsuda,Toshiyuki Kawaharamura,Hiroshi Furuta,Mamoru Furuta,Takahiro Hiramatsu,Takahiro Hiramatsu,Takashi Hirao,hirao,Yoichiro Nakanish,keijii iChi J。 VAC。科学。古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网。 b,卷。 28,第2号,ppC2B51-55 2010
栅极隔离器表面处理对底脊ZnO古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网晶体管中均匀性的影响 Fur​​uta,Mamoru,T。Nakanishi,M。Kimura,T。Hiramatsu,T。Matsuda,Kawaharamura,Toshiyuki,Furuta,Furuta,Hiroshi,Hiroshi,Hirao,Takashi 电化学和固态字母,第1卷。 13,ppH101-H104 2010
高知古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网大学公告“碳纳米管的合成以及对现场电子发射灯FEL的应用” Fur​​uta Hiroshi,Kawaharamura toshiyuki,川巴塔Katsumasa,Furuta Mamoru,Hirao takashi 高知古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网大学的伯班,第1卷。 6,第1号,第47-55页 2009
来自低​​温沉积的ZnO膜的强烈绿色阴极发光,带有凹槽的六边形锥体纳米结构 Chaoyang 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,Toshiyuki Kawaharamura,Tokiyoshi Matsuda,Hiroshi Furuta,Takahiro Hiramatsu,Furuta,Mamoru,Mamoru,Takashi Hirao appl。物理。 Express,第1卷。 2,pp091601-091603 2009
Au纳米颗粒沉积的ZnO纳米晶体膜中的二阶光学效应 k。 Ozga,Kawaharamura,Toshiyuki,AA古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网umar,MOyama,K。Nouneh,A Slezak,SFujita,M。Piasecki,A。H。Reshak,I。V。Kityk 纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,卷。 19,pp。185709-1-185709-6 2008
古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网制造MIST CVD方法的细通道和碰撞混合的效果 Kawaramura Toshiyuki,Nishinaka Hiroyuki,Fujita Shizuo 日本材料学会杂志,第1卷。 57,pp。481-487 2008
制作具有细通道的单晶氧化锌古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的方法 Toshiyuki Kawaharamura,Shizuo Fujita Physica Stat。 sol。 (c),卷。 5,pp。3138-3140 2008
基于ZnO的古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网和纳米结构的MIST CVD生长 Toshiyuki Kawaharamura,Hiroyuki Nishinaka,Jian-Guo Lu,Yudai Kamada,Yoshio Masuda,Shimazuo Fujita j。韩国体育社会,第1卷。 53,pp。2976-2980 2008
通过细通道雾化化学蒸气沉积的晶锌氧化物古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的生长 Toshiyuki Kawaharamura,Hiroyuki Nishinaka,Shimano Fujita JPN。 J Appl。物理学,第1卷47,pp。4669-4675 2008
研究雾CVD方法及其在氧化锌古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网生长中的应用 Kawara Village Toshiyuki 京都古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网工程学院电子系博士论文 2008
线性源utrasonic Spray化学蒸气沉积ZnO古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的低温生长 Hiroyuki Nishinaka,Kawaharamura,Toshiyuki,Shimano Fujita 日本应用物理学杂志,第1卷。 46,pp。6811-6813 2007
ZnO和Znmgo古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网和紫外光电电视器的制造 Yudai Kamada,Kawaharamura,Toshiyuki,Hiroyuki Nishinaka,Shimazuo Fujita Mater。 res。 Soc。 SYMP。 PROC。,第957卷,PK07-27 2007
氢和氮在ZnO的P型掺杂中的作用 Jian-Guo Lu,Kawaharamura,Toshiyuki,Hiroyuki Nishinaka,Shimano Fujita 化学物理信函,第1卷。 441,第68-71页 2007
由大气压雾化学蒸气沉积合成的基于ZnO的古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网 江焦卢,卡瓦哈拉姆拉,toshiyuki,niroyuki nishinaka,Yudai Kamada,Takayoshi Oshima,Shima,Shima,Shima 晶体生长杂志,第1卷。 299,pp1-10 2007
载体Zn1-XMGXO古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网中的载体浓度诱导的带隙移动 Jian-Guo Lu,Kawaharamura,Toshiyuki,Hiroyuki Nishinaka,Yudai Kamada,Takayoshi Oshima,Shima,Shima Fujita 应用物理信函,第1卷。 89,pp。262107_1-262107_3 2006
线性源超声喷雾化学蒸气方法用于制造Znmgo膜和紫外线光电探测器 Yudai Kamada,Kawaharamura,Toshiyuki,Hiroyuki Nishinaka,Shimazuo Fujita 日本应用物理学杂志,第1卷。 45,ppl857-l859 2006
ZnO透明古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的制造和特性,通过细通道雾方法 Kawahara Mura Toshiyuki,Nishinaka Hiroyuki,Kametani Keisuke,Masuda Yoshio,Tanigaki Masaaki,Fujita Shizuo 日本材料学会杂志,第1卷。 55,第153-158页 2006

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学术演示,讲座等

  1. 使用计算机视觉Yolo算法,IWGO 2024(2024)
  2. 控制不同偶氮种子层上偶氮膜的生长取向并申请光催化应用,这是第八届国际边境古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网研讨会(2024)
  3. 在大气压力下的功能膜合成方法的开发,材料工程研讨会,东京大学工程古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网生院(2023)
  4. 第三代雾CVD系统的开发,国际化学工程专题讨论会(ICHES)2023(2023)
  5. MIST CVD的反应机理,国际化学工程专题讨论会(ICHES)2023(2023)
  6. 晶体生长,薄膜的形成和氧化甲壳的装置应用(GA2O3),科学古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网有限公司(2023)
  7. “雾化CVD古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网和未来可能性的开发” - 使用MIST FLOW-,R&D SUPPORT CENTRY,INC。(2022)
  8. “雾气CVD古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的开发趋势和未来可能性” - 使用MIST FLOW的流行功能膜制造方法的现行位置和未来前景 - 科学古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网有限公司(2022)
  9. MIST CVD,一种基于大气压力解决方案的功能性膜形成方法,AIST Fiot Consortium-IJ子委员会(2022)
  10. 使用雾气流,玻璃科学古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网研究协会(2022)的功能膜形成“雾CVD”的当前状态(2022)
  11. 使用雾气流,第14纳米结构外延生长讲座(2022)的功能膜合成古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的发展状态
  12. MIST CVD的增长机制,2022年欧洲材料古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网协会(E-MRS)的春季会议(2022)
  13. MIST CVD的金属氧化物古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网制造和表征,2022 E-MRS秋季会议和展览(2022)
  14. GAN MOSFET属性旨在通过界面控制应用垂直功率设备,第67春季应用物理学会(2021)
  15. 使用MIST-CVD准备AGXO/ZN1-XMGXO Schottky Diodes,固态设备和材料(SSDM 2021)(2021)
  16. MIST CVD进程,Ceatec(2019)
  17. MIST CVD的增长机制,材料古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网会议2019(MRM 2019)(2019年)
  18. CVD中使用含有雾气液滴的古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网生长机制,2019年欧洲材料研究协会(E-MRS)(2019)的春季会议(2019)
  19. 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网增长机制CVD,第66春季应用物理学会的学术演讲(2019)
  20. 圆锥结构的属性α-(CRXGA1-X)2O3和α-(Alxga1-X)2O3 2O3薄膜通过MIST CVD生长,第八届国际高级材料和纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网国际会议(2017)
  21. 研究氧化锡氧化锡古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的影响因子,该古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网具有高电导率,该古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网通过MIST CVD,固态设备和材料沉积(SSDM 2017)(2017)
  22. 使用雾CVD,固态设备和材料制造Yttrium氧化物古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网制造的研究(SSDM 2017)(2017)
  23. Znmgo古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的组成控制,由雾化学蒸气沉积,固态设备和材料(SSDM 2017)(2017)(2017)
  24. MIST CVD生长温度对Znmgo薄膜特性对ZnO缓冲层的影响,第六届国际边境古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网研讨会(ISFT 2017)(2017)
  25. 基于α-GA2O3的高功率设备的开发,第六届国际边境古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网研讨会(ISFT 2017)(2017)(2017)
  26. 合成方法裁缝以获得形态控制的一元,二元和三元金属氧化物纳米纳米粒子,第六届国际边境古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网研讨会(ISFT 2017)(2017)
  27. 二硫化钼的特征(MOS2)古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网由MIST CVD制备的古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,第65春季应用物理学会(2018)
  28. 在Yttrium oixde古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网上制造,具有基于溶液的雾化化学蒸气沉积,2017 MRS Fall Meeting&Exhibit(2017)
  29. 研究溶剂对基于溶液的雾化学蒸气沉积制造ZnO古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的影响,2017年秋季MRS Fall Meeting&Exhibit(2017)
  30. 准备用于一次性信息显示器中使用IGZO涂料的解决方案过程,第四届纳米科学和纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网国际会议-2017(ICNSNT -2017)(2017)
  31. 超临界乙腈是一种新型的绿色反应介质,用于超细MGO纳米晶体的单步合成,第四届纳米科学和纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网国际会议-2017(ICNSNT-2017)(2017)(2017)
  32. 一种精细的通道反应堆作为新型多用途工具,用于连续均匀纳米制作,第四届纳米科学和纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网国际会议-2017(ICNSNT-2017)(2017)
  33. 二硫化钼的特性(MOS2)古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网由MIST CVD制造,第36电子材料研讨会(2017)
  34. 雾对金属氧化物古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网制造的影响,第36电子材料研讨会(2017)
  35. 研究溶剂对通过溶液基化学蒸气沉积制造ZnO古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的影响的研究,第36个电子材料研讨会(2017)
  36. 使用产生时间和空间分离的雾水的新反应控制古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的开发2,78秋天的应用物理学会(2017)
  37. 使用球体传输机制,纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网研讨会(2017)
  38. 重新检查模型方程,代表高温壁附近的液滴行为,纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网研讨会(2017)
  39. 观察到气相流动的微螺旋体的行为,纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网研讨会(2017)
  40. 使用MIST CVD,纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网研讨会(2017)制造基于SN的透明导电膜的制造
  41. 反应机理分析旨在制造高质量的金属氧化物薄膜,纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网研讨会(2017)
  42. 金属化合物热解期间水的影响,纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网研讨会(2017)
  43. 反应机制分析旨在在FC MIST CVD(II)中制造高质量的金属氧化物古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网(II),第65春季应用物理学会(2018)
  44. 通过Znmgo薄膜制造的组成比例调查MIST CVD,纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网研讨会(2017)
  45. 氧化Yttrium Yttrium氧化物(YOX)薄膜的水支持薄膜,纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网研讨会(2017)
  46. 金属化合物和反应场大气在MIST CVD方法中的影响
  47. 使用产生时间和空间分离的雾水的新反应控制古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的开发3,65春季应用物理学会(2018)
  48. 使用产生时间和空间分离的雾水的新反应控制古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的开发,应用物理学会的第64春季学术讲座(2017)
  49. 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网开发在大气压力下,在大气压力下制造高质量的功能性薄膜,化学工程协会第48届秋季会议(2016)
  50. 基于Leidenfrost State液滴的创新大气压外延增长古天乐太阳娱乐集团tyc493有限古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网官网的开发“雾化学蒸气沉积”,《可持续发展高级材料和古天乐太阳娱乐集团tyc493有限古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网官网的高级材料和古天乐太阳娱乐集团tyc493有限古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网官网》 2016年(2016年)
  51. 使用液滴的露天大气压力薄膜制造古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网开发的物理学:前体流的控制,第76届应用物理学会的秋季学术讲座(2015)
  52. 在大气压力下,在大气压力下使用高度控制的流体古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网对量子设备的制造挑战,第二届纳米科学和纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网国际会议-2015(ICNSNT-2015)(2015)(2015)
  53. 52335_52496
  54. 使用大气雾-CVD对金属氧化物的水基和可扩展加工,用于高效倒置聚合物古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网能古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网能电池,2014年MRS Fall Meeting&Exhibit(2014)
  55. 由基于Leidenfrost效应的雾气沉积在大气压力下制造的多量子井Fe2O3/ga2O3,2014年秋季秋季MRS MERTIT&DEBRITIT(2014)
  56. 在减少环境下退火的影响对由MIST CVD。,ISCS2011(2011)
  57. 由氧化镁(MGO)古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网制成的古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网制成的古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网
    〜在大气压下对低温生长的挑战,在发射/非发射显示(2011)的联合古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网组
  58. 具有细通道雾CVD方法的单链晶锌氧化古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的方法,第34 int。 SYMP。复合半导体(2007)
  59. 通过Fine Channel Mist CVD方法在A-Plane Sapphire上进行单链球ZnO胶片的生长,第14 int。关于氧化电子电子的研讨会(2007)
  60. 精细频道雾cvd方法(2)的单晶Zno古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网制造(2),第68届Applied Physics的学术讲座(2007)
  61. 基于ZnO的古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网和纳米结构的MIST-CVD生长,第13个Int。 conf。 II-VI化合物(2007)
  62. ZnO膜在蓝宝石上的外延生长,通过细通道雾CVD方法,第26电子材料研讨会(2007)
  63. CVD方法的单晶Zno古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的细通道雾制造,第54春季协会讲座(2007)
  64. 细通道雾化学蒸气沉积(FCM-CVD)作为ZnO薄膜增长的新古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,第四int。 Zno和相关材料的研讨会(2006)
  65. ZnO古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网在蓝宝石基材上制造的蓝宝石基材上,通过细通道雾CVD方法,第67次秋季应用物理学会的第67个学术讲座(2006年)
  66. 由MIST-CVD方法制备的ZnO古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网制造,第25电子材料研讨会(2006)
  67. Fine Channel Mist(FCM)方法(2),第53春季关联讲座(2006)
  68. 通过MIST CVD方法制造各种金属氧化物古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,第53春季协会讲座(2006)
  69. 国际会议介绍,国际会议演讲(2006)
  70. Fine Channel Mist(FCM)方法的ZnO透明古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网制造,第66届Applied Physics Applied Physics学会的第66个学术讲座(2005)
  71. 由Micro Channel Mist CVD制备的ZnO古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的制造和特性,第24电子材料研讨会(2005)
  72. 超声喷雾热解CVD方法(2),第52春季春季关联讲座(2005)
  73. 通过超声喷雾热解CVD方法的ZnO透明古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的制造和特性,第65秋季社会应用物理学会的第65届学术讲座(2004)
  74. 家庭社会演讲,家庭社会演示文稿(2004)

主要专利

  1. 一种制造基于氧化锌(ZnO)的单晶纳米结构,基于ZnO的古天乐太阳娱乐集团tyc493有限古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网官网和基于ZnO的单晶古天乐太阳娱乐集团tyc493有限古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网官网,以及基于ZnO的单晶古天乐太阳娱乐集团tyc493有限古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网官网和ZnO基于ZnO的单晶古天乐太阳娱乐集团tyc493有限古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网官网和基于ZnO的单晶古天乐太阳娱乐集团tyc493有限古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网官网(日本patent patent Application films)(日本Patent Application 2012)
  2. 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网和膜形成方法,以及该方法获得的古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网磷(JP-A-2011-021159)
  3. 评估多壁碳纳米管的装配结构(公共应用程序2010-061933)
  4. 雾蚀刻设备和雾蚀刻方法(公共应用程序2010-45991)
  5. 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网和膜形成方法,以及该方法获得的古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网磷光器(日本专利应用2009-169617)
  6. 电子发射设备(特殊应用程序2009-47406)
  7. 原材料弹出气和化学蒸气沉积设备的喷嘴(日本专利申请2006-083679)
  8. 胶片形成方法和胶片形成设备(日本专利应用2005-332083)
  9. 电影形成的授权设备(日本未审查的专利出版物号2005-305233)
  10. 电影形成方法和电影形成设备(日本未经审查的专利出版物号2005-307238)

科学古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网隶属关系

Kaken是美国国家信息学院提供的服务。

类别 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网问题 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网主题 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网期 建议编号
代表 利用雾性属性的应用古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的开发i-Mist方法用于电子设备制造古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网 - 年轻古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网(b) 2010 - 2011 22760232
代表 对三维对象的功能薄膜制备古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的基本分析 挑战性卵 - 地球古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网 2014 - 2015 26630395
代表 使用下一代雾CVD开发氧化量子设备的开发 年轻古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网(A) 2015 - 2018 15H05421
代表 使用MIST CVD制造高压hemts 特别古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网人员鼓励费 2016 - 2018 16F16373
共享 基于基于ZnO的纳米结构的光致发光特性的高灵敏氢气检测器的开发 基础古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网(C) 2017 - 2019 17K06394
共享 整体谐振型宽间隙半导体波长转换设备的开发 具有挑战性的古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网(Budded) 2017 - 2018 17K19078
代表 纳米结构控制的基础古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网,用于创建超宽的带氧化物量子量子设备,由雾CVD 基础古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网(b) 2018 - 2021 18H01873

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竞争基金等

古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网问题 企业名称等 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网期 承包商 教师
实现高质量/高均质古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的非效率膜沉积过程的研究和开发 新能源和环境古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网领导程序 2015/02/27〜2017/02/28 国家研发公司,新能源和工业古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网发展组织 Kawara Village Toshiyuki
使用leidenfrost现象开发能量再生系统 公共和私营部门发现支持项目/匹配支持阶段 2022-2023 国家研发公司新能源和工业古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网发展组织(NEDO) Kawara Village Toshiyuki

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社会贡献和公共关系活动

外部委员会成员,学术会议活动等

  1. 应用物理协会计划编辑委员会(2024-2026)
  2. 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网材料设备研究小组(21届会议)(2024-2025)
  3. 第16纳米结构和外在增长委员会成员(2023-2024)
  4. 电子和通信工程师电子设备的成员(ED)古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网专家委员会,电子设备(ED)协会(2021-)
  5. 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网材料设备研究小组(20)(2023)
  6. 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网材料设备研究小组的安排委员会(2014-)
  7. 国际固态元素和材料会议论文通用事务(2013-2016)
  8. 电子材料研讨会电子材料研讨会(EMS)执行委员会(2009- 2011年)
  9. CVD古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网小组高管

与社区活动有关的委员会等

  1. 科学Koshien Kochi县锦标赛陪审团(2024-)
  2. 卡米市教育委员会Kami City Kanaga小学管理委员会(2022-2024)
  3. 卡米市政厅,卡米市全球变暖对策区域委员会(2022-2024)
  4. 高奇省教育委员会科学科西古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网锦标赛巡回赛陪审团(2022)
  5. 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网县教育委员会科学科西·古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网锦标赛锦标赛法官
    (2021)
  6. Kami City Hall,Kami City全球变暖对策区域理事会(2020-2022)
  7. 卡米市教育委员会Kami City Kanaga小学管理委员会(2020-2021)
  8. 卡米市教育委员会Kami City Kanaga小学管理委员会(2019-2020)
  9. 卡米市教育委员会Kami City Kanaga小学管理委员会(2018-2019)
  10. 卡米市政厅,卡米市全球变暖对策区域委员会(2015-)

其他社交活动,等等

  1. 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网大学医学院兼职讲师(2020-2023)
  2. 讲师(兼职)数学科学I,II(2020-2021)
  3. NPO空气离子地震预测古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网小组E-PISCO主管(2011-)

一般讲座等

  1. MIST CVD古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网和未来可能性的开发
    〜使用雾气流〜,科学古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网有限公司(2020)
  2. 开发MIST CVD古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网与未来可能性的开发,Science&Technology Co,Ltd。(2019)
  3. “ MIST CVD古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网和未来可能性的开发” - 用于在大气压力下形成高质量功能膜的形成-R&D支持中心,Inc。(2017)
  4. “ MIST CVD古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网和未来可能性的开发” - 仔细研究备受期待的薄膜形成古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网雾CVD -Science&Technology Co,Ltd。(2017)

主要书籍等

  1. “所有关于convertec”
    “与大气压力薄膜制造方法相关的原理 - 使用雾气控制原材料流程”,加工古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网研究小组,2014年,ISBN 9784906451456
  2. 使用Mist,Convertec,2011

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