教职员工

教授
古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网 toshiyuki

出生年：1980
性别：男性
隶属关系：

- 系统工程学院
- 工程学系，工程学院智能机械系统工程课程
- 高级功能材料和设备的研究单元，纳米技术中心，研究所研究所
个人网站：http：//wwwnanokochi-techacjp/tosiyuki/index-ehtml
ResearchMap：https：//researchmapjp/t古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网
“尖端研究和社会贡献”的文章：
https：//wwwkochi-techacjp/eng古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网sh/power/poper/research/development_a_a_non-vacuum_process_to_achieve_achieve_highigh_highigh_high_qua古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网ty_qua古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网ty_qua古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网ty_functional_thin_functional_thin_film_film_fabricationfilm_fabricationhtml

专业领域
实验室/研究办公室	实验室。物质创新和可持续技术扫描。薄雾对功能性薄膜和设备的雾化过程和研究的开发使用相同的雾气液滴和电源开发的行为的研究创新运输系统的开发
当前的研究主题
教育背景
专业背景
许可
学术社会

您可以看到侧面滑动的桌子的延续。

课程

*用英语提供的课程显示（e）标记

本科学校	毕业论文基本热力学工程高级热力学工程英语工程概述本科生的个人工作
研究生院	应用热力学毕业的个人工作研讨会1 研讨会3 高级研讨会1 高级研讨会2

您可以看到带有侧面滑动的表的延续。

研究活动

研究论文	古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Tatsuya Yasuoka，Hiramu Susami，Liu Li，Dang Thai Giang，Toshiyuki Kawaharamura 标题：分析中分级分级的α-（alxga1-x）2O3层中位错缺陷的分析日记：RSC Adv。，卷。 14，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网页。 31570 年：2024 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Tatsuya Yasuoka，Liu Li，Dang Thai Giang，Toshiyuki Kawaharamura 标题：在HCl化学蒸气沉积的HCl支持下，乙酰乙酸甘油酯的α-GA2O3生长日记：纳米材料，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 14，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网页。 1221 年：2024 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Ryo Ito，Sumio Sugisaki，Toshiyuki Kawaharamura，Tokiyoshi Matsuda，Hidenori Kawanishi，Mutsumi Kimura 标题：GA-SN-O薄膜，MIST-CVD方法和模拟Memristor：神经形态系统的有前途的建议日记：IEICE Trans。电子，卷。 E108，p。 54 年：2024 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：liu，dang thai giang，tatsuya yasuoka，liu li，toshiyuki kawaharamura 标题：氧气流比对通过射频磁控磁铁播放而生长的Agxo薄膜的特性的影响日记：RSC Adv。，Vol。 14，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网页。 23215 年：2024 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Kazuki Ikeyama，Hidemoto Tomita，Sayaka Harada，Takashi Okawa，Liu Li，Toshiyuki Kawaharamura，Hiroki Miyake，Yoshitaka Nagasato 标题：增强了带有胶雾的栅极氧化物的GAN MOSFETS中的现场效应移动性（> 250 cm2/v·s）日记：应用物理Express，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 17，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网页。 064002 年：2024 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：洋子Taniguchi，Hiroyuki Nishinaka，Kazuki Shimazoe，Toshiyuki Kawaharamura，Kazutake Kanegae，Masahiro Yoshimoto 标题：通过BI3+掺杂氧化物薄膜的可见光抽象，可见光响应性光催化日记：材料化学与物理，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 315，p。 128961 年：2024 Authors: Toshiyuki 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网, Misaki Nishi, Liu Li, Phimolphan Rutthongjan, Yuna Ishikawa, Masahito Sakamoto, Tatsuya Yasuoka, Kanta Asako, Tamako Ozaki, Miyabi Fukue, Mariko Ueda, Shota Sato, Dang Thai Giang 标题：在供应古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网的MIST CVD中的生长机制：高温场中雾状液滴状态的推定杂志：日本应用物理学杂志，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 63，p。 015502 年：2023 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Liu Li，Mariko Ueda，Toshiyuki Kawaharamura 标题：表征和研究高电导率量型掺杂的氧化锡薄膜，由MIS化学蒸气沉积生长日记：RSC Adv。，Vol。 13，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网页。 13456 年：2023 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：liu，dang thai giang，liu li，toshiyuki kawaharamura 标题：Zn1-XMGXO/AGYO异质结的制造在大气压力下通过MIST CVD的演讲期刊：应用表面科学，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 596，p。 153465 年：2022 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Dang Thai Giang，Tatsuya Yasuoka，Toshiyuki Kawaharamura 标题：sub-μm具有激光干扰光刻图案，用于通过MIS Chemical Vapor沉积的α-GA2O3的外延横向过度生长日记：应用物理信函，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 119，p。 041902 年：2021 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Liu Li，Toshiyuki Kawaharamura，Masahito Sakamoto，Misaki Nishi，Dang Thai Giang，Shota Sato 标题：使用氧气支持来源在低温下在低温下生长在低温下生长的Yttrium氧化物薄膜的质量改善日记：Physica状态实体B，卷。 2021年，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网页。 2100105 年：2021 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Tatsuya Yasuoka，Liu Li，Tamako Ozaki，Kanta Asako，Kanta Asako，Yuna Ishikawa，Miyabi Fukue，Dang Thai Giang，Toshiyuki Kawaharamura 标题：HCl对第三代MIS化学蒸气沉积制造的α-GA2O3薄膜的影响日记：AIP Advances，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 11，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网页。 045123 年：2021 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Leila Ghadbeigi，Jacqueline Cooke，Dang Thai Giang，Toshiyuki Kawaharamura，Tatsuya Yasuoka，Rujun Sun，Rujun Sun，Praneeth Ranga，Sriram Krishnamoorthy，Michael A Scarppulla，Berardi Sensale sensale senseale 标题：在C-Plane Sapphire上生长的氧化；杂志：电子材料杂志，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 50，pp。2990-2998 年：2021 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Dang Thai Giang，Yuki Tagashira，Tatsuya Yasuoka，Liu Li，Toshiyuki Kawaharamura 标题：导电Si掺杂的α-（Alxga1-X）2O3薄膜，带隙高达622 eV 日记：AIP Advances，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 10，p。 115019 年：2020 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Dang Thai Giang，Shota Sato，Yuki Tagashira，Tatsuya Yasuoka，Liu Li，Toshiyuki Kawaharamura 标题：α-（alxga1-x）2O3单层和异质结构缓冲液，用于通过错误的化学蒸气沉积的导电SN掺杂α-GA2O3薄膜的生长日记：APL Mater。，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。第8页。 101101 年：2020 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：塔哈拉大道（Daisuke tahara），海洛伊基（Hiroyuki Nishinaka），shota sato，liu li，toshiyuki kawaharamura，mashimoto yoshimoto，minoru noda 标题：雾化学蒸气沉积研究20和100 nm厚的未含量的铁电hafnium氧化物N+-SI（100）底物上的杂志：日本应用物理学杂志，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 58，p。 SLLB10 年：2019 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Dang Thai Giang，Martin Allen，Mamoru Furuta，Toshiyuki Kawaharamura 标题：在雾-CVD生长的氧化物半导体及其应用上制造的电子设备杂志：日本应用物理学杂志，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 58，p。 090606 年：2019 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Phimolphan Rutthongjan，Misaki Nishi，Liu Li，Shota Sato，Yuya Okada，Dang Thai Giang，Toshiyuki Kawaharamura 标题：通过[H2O]/[Zn]比例调制，通过雾化学蒸气沉积的锌氧化薄膜的生长机理日记：应用。物理。 Express，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 12，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网2页。 065505 年：2019 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Phimolphan Rutthongjan，Li Liu，Misaki Nishi，Masahito Sakamoto，Shota Sato，Ellawala Kankanamge Chandima Pradeep，Dang Thai Giang，Toshiyuki Kawaharamura 标题：使用MIS化学蒸气沉积生长的Zn1-XMGXO薄膜的组成控制杂志：日本应用物理学杂志，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 58，p。 035503 年：2019 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Liu，Toshiyuki Kawaharamura，Dang Thai Giang，Ellawala Kankanamge Chandima Pradeep，Shota Sato，Takayuki uchida，Shizuo Fujita，Shizuo Fujita，Takahiromatsu，takahiromatsu，Hiroshi kobayashi 标题：19783_19914 杂志：日本应用物理学杂志，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 58，p。 025502 年：2019 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Dang Thai Giang，Yuta Suwa，Masahito Sakamoto，Li Liu，Phimolphan Rutthongjan，Shota Sato，Tatsuya Yasuoka，Ryo Hasegawa，Toshiyuki Kawaharamura 标题：使用Dichromate铵的MIST CVD的α-CR2O3单晶生长日记：应用物理Express，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 11，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网页。 111101，日本应用物理学会年：2018 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Giang T Dang，Tatsuya Yasuoka，Yuki Tagashira，Toshiyasu Tadokoro，Wolfgang Theiss，Toshiyuki Kawaharamura 标题：α-（Alxga1-X）2O3的带隙工程通过薄雾化学蒸气沉积两室系统和Vegard定律的验证日记：应用。物理。 Lett。，卷。 113，p。 062102 年：2018 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Ellawala Kankanamge Chandima Pradeep，Masataka Ohtani，Kazuya Kobiro，Toshiyuki Kawaharamura 标题：使用高温和高压乙腈的超细MGO纳米晶体的单步简单的溶剂热合成方法日记：化学。 Lett。，卷。 46，pp。940-943 年：2017 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：kawaharamura toshiyuki，dang thai giang，nitta noriko 标题：基于Leidenfrost液滴的雾化学蒸气沉积的多量子的大气压外延生长技术日记：应用。物理。 Lett。，卷。 109，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网5号，AIP出版期刊年：2016 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Chandan Biswas，Zhu MA，Xiaodan Zhu，Kawaharamura Toshiyuki，Kang L Wang 标题：用于倒置聚合物古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网能电池的杂化ZnO薄膜的大气生长期刊：古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网能材料和古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网能电池，第1卷。 157，pp。1048-1056 年：2016 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Giang T Dang，Takayuki Uchida，Kawaharamura Toshiyuki，Furuta Mamoru，Adam R Hyndman，Rodrigo Martinez，Rodrigo Martinez，Shimao Fujita，Shimao Fujita，Roger J Roger J Reeves，Martin W 标题：银氧化物Schottky触点和金属半导体日记：App古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网ed Physics Express，第1卷。 9，第9页。 041101，日本促进科学学会年：2016 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：北野Shirahata Takahiro，Kawaharamura Toshiyuki，藤田Shizuo，Orita Hiroyuki 标题：透明的导电锌基膜在低温下通过雾化学蒸气沉积日记：薄膜，卷。 597，第30-38页，Elsevier 年：2015 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Xiaodan Zhu，Kawaharamura Toshiyuki，Adam Z Stieg，Chandan Biswas，Lu Li，Lu Li，Zhu MA，Mark A Zurbuchen，Qibing Pei，Kang l Wang pei，Kang L Wang 标题：使用雾-CVD进行多晶金属氧化物的大气和水性沉积，以高效倒置聚合物古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网能电池日记：Nano Letters，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 15，第4948-4954页，美国化学学会年：2015 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Giang T Dang，Kawaharamura Toshiyuki，Furuta Mamoru，Martin W Allen 标题：非Vacuum Procoressed Mist Chemist Chemive Chemical Vapor semodosion 期刊：电子设备字母，IEEE，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 36，第5号，第463-465页，IEEE 年：2015 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：kawaharamura toshiyuki 标题：使用雾气液滴的露天大气压力薄膜制造技术开发的物理学；控制前体流日记：JPN。 J Appl。物理学，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷53，第5S1页。 05ff08 年：2014 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Shizuo Fujita，Kentaro Kaneko，Takumi Ikenoue，Kawaharamura Toshiyuki，Furuta Mamoru 标题：超声辅助MIS MIS化学蒸气沉积II-氧化物和相关氧化物化合物日记：Physica Sustiti so古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网di（c），第1卷。 11，第7-8页，第1225-1228页年：2014 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：高海uki uchida，kawaharamura toshiyuki，Kenji Shibayama，Shizuo Fujita，Takahiro Hiromatsu，Hiroyuki Orita 标题：薄雾化学蒸气沉积氧化铝薄膜，用于晶体硅古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网能电池的后表面钝化日记：应用物理Express，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 7，第2页，第2页。 021303 年：2014 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Furuta Mamoru，Kawaharamura Toshiyuki，Wangdapeng，Tatsuya Toda，Hirao Takashi 标题：带有im依的二晶晶体管的薄膜晶体管的电性能，该晶体管氧化物通道和氧化铝氧化铝门电介电堆栈由溶液基于大气压力日记：IEEE电子设备Letters，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 33，第6号，第851-853页，IEEE 年：2012 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：kawaharamura toshiyuki，tai jan dan，furuta mamoru 标题：通过细通道薄雾化学蒸气沉积的高度结晶sn掺杂的A-GA2O3薄膜的成功增长杂志：日本应用物理学杂志，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 51，第040207-1-040207-3，日本应用物理学会年：2012 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：S。Shimakawa，Y。Kamada，Kawaharamura Toshiyuki，Wangdapeng，Li Chaoyang，S。Fujita，Hirao Takashi，Furuta Mamoru 标题：带有ZnO通道的薄膜晶体管的照片渗透电流，在可见光下以各种氧气压力形成杂志：日本应用物理学杂志，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 51，第03CB04-1-03CB04-4，日本应用物理学会年：2012 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Momota Sadao，Jango Hanga，Takuya Toyonaga，Hikaru Terauchi，Kazuki Maeda，Jun Taniguchi，Hirao taniguchi，Hirao Takashi，Furuta Mamoru，Kawaharamura toshiyuki 标题：通过辐照AR横梁控制Si Crystal的肿胀高度杂志：纳米科学和纳米技术杂志，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 12，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网号，第552-556页，美国科学出版商年：2012 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Tai Jan Dan，Kawaharamura Toshiyuki，Hirao Takashi，Nitta Noriko，Taniwaki Masafumi 标题：植入60 kev sn+的Zno Wafers的特征日记：AIP会议程序，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 1321年，第270-273页，美国物理研究所年：2011 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Tai Jan Dan，Kawaharamura Toshiyuki，Nitta Noriko，Hirao takashi，T。Yoshiie，Taniwaki Masafumi 标题：在室温下植入60 kev sn离子的水热ZnO的光致发光，形态和结构日记：J。Appl。物理学，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷109，p。 123516 年：2011 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：H。Furuta，T。Kawaharamura，M。Furuta，K。Kawabata，T。Hirao，T。Komukai，K。Yoshihara，Y。Shimomoto，T。Oguchi 标题：新开发的横截面XRD测量的多壁碳纳米管森林的晶体结构分析日记：应用物理Express，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 3，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网05101-1-105101-3，日本应用物理学会年：2010 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：H。Furuta，T。Kawaharamura，K。Kawabata，M。Furuta，T。Matsuda，C。Li，T。Hirao 标题：高密度短高度直接在玻璃上生长CNT图案发射器杂志：表面科学和纳米技术的电子杂志，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 8，第336-339页，日本地面科学学会年：2010 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：T。Hiramatsu，T。Matsuda，H。Furuta，H。Nitta，T。Kawaharamura，C。Li，M。Furuta，T。Hirao 标题：脉冲底物偏置对通过电感耦合等离子体沉积沉积的SIO2膜性能的影响日记：日本日报应用物理，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 49，pp。03CA03-1-03CA03-4 年：2010 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Furuta Mamoru，T。Nakanishi，M。Kimura，T。Hiramatsu，T。Matsuda，kawaharamura toshiyuki，furuta hiroshi，hirao hiroshi，hirao takashi 标题：栅极隔离器的表面处理对底盖ZnO薄膜晶体管中均匀性的影响日记：电化学和固态字母，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 13，pp。H101-H104 年：2010 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Chaoyang Li，Tokiyoshi Matsuda，Toshiyuki Kawaharamura，Hiroshi Furuta，Mamoru Furuta，Takahiro Hiramatsu，hiramatsu，takashi hirao，takashi hirao，yoichiro nakanish，yoichiro nakanish，keijii iichi 标题：在射频溅射过程中受气比和底物偏置影响的ZnO纳米结构的结构和光致发光特性的比较日记：J。Vac。科学。技术。 b，卷。 28，第2号，pp。C2B51-55 年：2010 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Chaoyang Li，Toshiyuki Kawaharamura，Tokiyoshi Matsuda，Hiroshi Furuta，Takahiro Hiramatsu，Furuta Mamoru，Takashi Hirao 标题：低温沉积的ZnO胶片，带有凹槽的六边形锥体纳米结构的强烈绿色阴极发光日记：应用。物理。 Express，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 2，pp。091601-091603 年：2009 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Toshiyuki Kawaharamura，Shimano Fujita 标题：用细通道雾化学蒸气沉积法制作单晶氧化锌薄膜的一种方法日记：Physica Stat。 sol。（c），卷。 5，pp。3138-3140 年：2008 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：K。Ozga，Kawaharamura Toshiyuki，A。Aliumar，M。Oyama，K。Nouneh，A slezak，Slezak，SFujita，MPiasecki，MPiasecki，AH。Reshak，IVKityk 标题：Au纳米颗粒沉积的ZnO纳米晶体膜中的二阶光学效应期刊：纳米技术，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 19，pp。185709-1-185709-6 年：2008 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Toshiyuki Kawaharamura，Hiroyuki Nishinaka，Jian-Guo Lu，Yudai Kamada，Yoshio Masuda，Shimano Fujita 标题：基于ZnO的薄膜和纳米结构的雾CVD增长杂志：J。韩国物理社会，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 53，pp。2976-2980 年：2008 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Toshiyuki Kawaharamura，Hiroyuki Nishinaka，Shimano Fujita 标题：晶锌氧化物薄膜的生长，通过细通道雾化学蒸气沉积日记：JPN。 J Appl。物理学，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷47，pp。4669-4675 年：2008 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Hiroyuki Nishinaka，Kawaharamura Toshiyuki，Shimao Fujita 标题：ZnO薄膜的低温生长，线性源源utrasonic Spray化学蒸气沉积杂志：日本应用物理学杂志，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 46，pp。6811-6813 年：2007 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Jian-Guo Lu，Kawaharamura Toshiyuki，Hiroyuki Nishinaka，Yudai Kamada，Takayoshi Oshima，Shima，Shima，Shima Fujita 标题：基于ZnO的薄膜由大气压雾化学蒸气沉积杂志：晶体生长杂志，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 299，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网-10页年：2007 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Jian-Guo Lu，Kawaharamura Toshiyuki，Hiroyuki Nishinaka，Shimano Fujita 标题：氢气和氮在ZnO的p型掺杂中的作用期刊：化学物理信函，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 441，第68-71页年：2007 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Yudai Kamada，Kawaharamura Toshiyuki，Hiroyuki Nishinaka，Shimano Fujita 标题：Zno和Znmgo薄膜的制造和紫外光电视机的化学蒸气沉积法日记：Mater。 res。 Soc。 SYMP。 Proc。，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷957，p。 K07-27 年：2007 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Jian-Guo Lu，Kawaharamura Toshiyuki，Hiroyuki Nishinaka，Yudai Kamada，Takayoshi Oshima，Shima，Shima，Shima Fujita 标题：载体诱导的al-Doped Zn1-XMGXO薄膜中的带隙移动日记：应用物理信函，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 89，pp。262107_1-262107_3 年：2006 古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网：Yudai Kamada，Kawaharamura Toshiyuki，Hiroyuki Nishinaka，Shimano Fujita 标题：用于制造Znmgo膜和紫外线光电检查器的线性源超声喷雾化学蒸气方法杂志：日本应用物理学杂志，古天乐太阳娱乐集团tyc493有限公司官网卷。 45，pp。L857-L859 年：2006
邀请的讲座	第三代雾CVD系统的开发，国际化学工程专题讨论会（ICHES）2023，在线，2023 雾气CVD的反应机制，国际化学工程专题讨论会（ICHES）2023，在线，2023 MIST CVD的金属氧化物薄膜制造和表征，2022 E-MRS秋季会议和展览，在线，2022年 MIST CVD的增长机制，2022年欧洲材料研究协会（E-MRS）的春季会议，虚拟会议，2022年 MIST CVD的增长机制，2019年材料研究会议（MRM 2019），横滨座谈会，日本横滨，日本，2019年关于使用MIS液滴开发露天大气压力薄膜制造技术的物理学：前体流的控制，第76届JSAP JSAP秋季会议，2015年，Nagoya国会中心，Nagoya，Nagoya，2015年由薄雾CVD制造功能性薄膜和电气设备的制造
奖励	第37届JSAP杰出纸质奖，2015年，JSAP年轻科学家奖，JSAP，2015年 2014 JSAP海报奖，日本应用物理学会，2014年
日本政府的科学研究赠款	项目标题：应用技术开发利用错误特征 - 电子设备制造技术的雾方法 - 类别：年轻科学家的补助金（b）项目编号：22760232 项目期间：2010-2011 总预算金额：4,290,000日元关键字：项目标题：Leidenfrost液滴的基本行为分析朝着三维对象上的功能性薄膜制造类别：用于挑战性探索性研究的授予项目编号：26630395 项目期间：2014-2015 总预算金额：4,030,000日元关键字：项目标题：下一代MIST CVD的开发使原子级别控制和开发氧化物量子设备的开发类别：年轻科学家的补助金（a）项目编号：15H05421 项目期间：2015-2018 总预算金额：21,190,000日元关键字：项目名称：用于制造超宽带氧化物氧化物量子设备的纳米结构控制基础研究类别：科学研究授予授予额（b）项目编号：18H01873 项目期间：2018-2021 总预算金额：17,810,000日元关键字：

您可以看到侧面滑动的桌子的延续。

社交活动

委员会角色	国际固态设备和材料国际会议计划委员会秘书，2013- 2016年

您可以看到侧面滑动的桌子的延续。

关于kut