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古田守古田守

太阳成集团tyc234cc古天乐简历

学位 工学博士（工程学）
学术背景 电力通信大学通信工程系已完成（1988）
奈良太阳成集团tyc234cc古天乐技术大学材料太阳成集团tyc234cc古天乐研究科博士课程结业（2003年）
工作经历 松下电器工业有限公司中央研究实验室（1988-1996）
松下电器工业株式会社液晶显示器事业部（1996-2003）
东芝松下显示技术有限公司生产技术中心（2003-2005）
高知工业大学研究所副教授（2005-2010）
高知工业大学纳米技术研究所教授（2011-）
高知工业大学环境太阳成集团tyc234cc古天乐与工程系教授（2012-）
资质
专业 半导体材料特性（多晶硅、氧化物半导体）
半导体工艺/器件技术
薄膜晶体管
平板显示器
实验室 姓名 先进材料与元素太阳成集团tyc234cc古天乐实验室
详情 新的功能元件和材料在减少环境太阳成集团tyc234cc古天乐、改善我们的生活方面发挥着重要作用。此外，为了最大限度地发挥材料的功能，设备科学的视角至关重要。我们实验室开展了广泛的研究，旨在实现新型信息功能器件，重点是半导体材料的研究。这项研究的成果有望丰富我们的生活，比如透明、灵活、隐形的信息设备。
附属学术团体 IEEE 电子设备协会
信息显示协会(SID)
日本应用物理学会
电化学会 (ECS)

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今年讲授的讲座

太阳成集团tyc234cc古天乐/小组 功能器件工程/
研究生院 专题研究​/

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研究种子

可讨论的领域 半导体材料特性[多晶硅、氧化物半导体特性]
半导体微细加工工艺技术【光刻、干法刻蚀】
功能器件应用[薄膜晶体管、液晶显示器等平板显示器、各种传感器应用]
薄膜形成技术[气相生长（CVD）、溅射、激光退火、离子注入、金属化等]
当前研究 氧化物半导体和多晶半导体薄膜的形成及功能器件应用

高品质单壁碳纳米管（CNT）功能器件应用研究

留言

我的研究主题是新材料合成和纳米功能器件的演示。让我们亲手制作晶体管和太阳成集团tyc234cc古天乐能电池吧！

研究成果

主要奖项等

  • 信息显示学会特别表彰奖（2021 年）
  • APEX/JJAP 编辑贡献奖（2017 年）日本应用物理学会
  • [学生奖（导师）]薄膜材料与器件研究组第九次研究会议（2012）薄膜材料与器件研究组
  • “学生奖”，有源矩阵平板显示器和设备 (AM-FPD 12)（指导学生）（2012 年）日本应用物理学会
  • “最佳论文奖”，薄膜材料与器件研究组第八次研究会议（2011）薄膜材料与器件研究组
  • “丹羽高柳论文奖”，图像信息和电视工程师协会（2011）图像信息和媒体工程师协会
  • “最佳论文奖”，薄膜材料与器件研究组第七次研究会议（2010）薄膜材料与器件研究组
  • “学生论文奖”，有源矩阵平板显示器和设备 (AM-FPD'09)（导师）(2009) 有源矩阵平板显示器和设备 (AM-FPD)
  • “优秀海报论文奖”，第十三届国际显示研讨会 (IDW’06) (2006) 信息显示协会
  • “杰出论文奖”，国际研讨会 SID 2006 (2006) 信息显示学会

代表性研究论文

标题 作者 演示杂志 公告年份
固相结晶形成的增强型多晶氧化铟薄膜晶体管的均匀性和可靠性 冈本直树、王小千、森田幸太郎、加藤佑人、Alom Mir Mutakabbir、Magari Yusaku、FURUTA Mamoru IEEE 电子设备通讯，第 45 卷，第 12 期，第 2403-2406 页 2024
高迁移率氧化铟薄膜晶体管的可靠运行 Prashant R Ghediya、Yusaku Magari、Hikaru Sadahira、Takashi Endo、Mamoru Furuta、Yuqiao Zhu、Yasutaka Matsuo、Hiromichi Ohta 小方法，第 2400578-1-2400578-8 页 2024
外延钙钛矿单晶异质结，用于具有可调光谱响应的无滤波器超窄带检测 潘玉珠、王欣、廖玉涵、徐玉冰、李宇伟、李清、张晓兵、陈静、朱卓亚、赵志伟、Elias Emeka Elemike、Mamoru Furuta、Wei Lei ACS 应用材料与界面，第 14 卷(44)，第 50331-50342 页 2022
高迁移率氢化多晶In2O3 (In2O3:H)薄膜晶体管 Yusaku Magari、Taiki Kataoka、Wenchang Yeh、Mamoru Furuta 《自然通讯》，第 13 卷，第 1078-1-1078-8 页 2022
晶界散射对固相结晶氢化多晶 In2O3 (In2O3:H) 场效应迁移率的太阳成集团tyc234cc古天乐 Y。 Magari、W Yeh、T Ina、Mamoru Furuta 纳米材料，第 12 卷(17)，第 2958-1-2958-10 页 2022
用于薄膜晶体管的低温固相结晶形成的非简并多晶掺氢氧化铟 (InOx:H) 薄膜 片冈大树、曲优作、牧野久男、古田守 材料，第 15 卷，第 1 期，第 187-1-187-11 页 2021
用于柔性器件应用的低温退火时掺氢 In-Ga-Zn-O (IGZO:H) 薄膜中的缺陷钝化和载流子减少机制 Velichko Rostislav、曲优作、古田守 材料，第 15 卷，第 1 期，第 334-1-334-12 页 2022
有机层间电介质对提高自对准共面In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的机械柔性的太阳成集团tyc234cc古天乐 Hyo-Eun Kim、Hye-Won Jang、Mamoru Furuta、Jeonghan Yoon、Saeroonter Oh、Sung-Min Yoon 有机电子学，第 96 卷，第 106223-1-106223-7 页 2021
添加适量氢对直流磁控溅射沉积氧化锡薄膜性能太阳成集团tyc234cc古天乐的研究 Velichko Rostislav、MAGARI Yusaku、Hisao Makino、Mamoru Furuta 日本应用物理学杂志，第 60 卷，第 055503-1-055503-6 页 2021
薄膜晶体管非晶 In-Ga-Zn-O 异质结通道中的量子限制效应 佐佐木大地、滨田周平、曲优作、古田守 材料，第 13 卷，第 1935-1-1935-12 页 2020
具有氢化 In-Ga-Zn-O 堆叠沟道的低温 (150 °C) 处理金属半导体场效应晶体管 Yusaku Magari、SG Mehadi Aman、Daichi Sasaki、Kentaro Masuda、Kenta Shimpo、Mamoru Furuta 日本应用物理学杂志，第 59 卷，第 SGGJ04-1-SGGJ04-5 2020
In-Ga-Zn-O溅射过程中引入水和氢对低温加工薄膜晶体管性能的太阳成集团tyc234cc古天乐 曲优作、古田守 日本应用物理学杂志，第 60 卷，第 SBBM04-1-SBBM04-5 页 2021
用于柔性器件的具有阳极氧化和氟化 Al2O3 栅极绝缘体的氢化 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管 Shuya Kono、Yusaku Magari、Marin Mori、SG Mehadi Aman、Norbert Fruehauf、Hiroshi Furuta、Mamoru Furuta 日本应用物理学杂志，第 60 卷，第 SBBM05-1-SBBM05-6 2021
创纪录的高性能氢化 In-Ga-Zn-O 柔性肖特基二极管 Yusaku Magari、SG Mehadi Aman、Daichi Sasaki、Kentaro Masuda、Kenta Shimpo、Hisao Makino、Mutsumi Kimura、Mamoru Furuta ACS 应用材料和界面，第 12 卷，第 47739-47746 页 2020
通过应用氢化 IGZO 作为沟道材料，150 °C 处理的 In-Ga-Zn-O (IGZO) 薄膜晶体管的可靠性显着提高 Daichi Koretomo、Shuhei Hamada、Marin Mori、Yusaku Magari、Mamoru Furuta 《应用物理快车》，第 13 卷，第 076501-1-076501-4 页 2020
了解温度和漏极电流应力在具有不同有源层厚度的 InSnZnO TFT 中的作用 王大鹏、古田卫、富井重和、矢野浩希 纳米材料，第 10 卷，第 4 期，第 617-1-617-10 页 2020
用于自对准共面 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管的有机层间电介质的简便掺杂工艺 金孝恩、古田守、尹成民 IEEE 电子设备通讯，第 41 卷，第 3 期，第 393-396 页 2020
高性能薄膜晶体管非晶 InGaZnO 中的缺陷梯度控制 王大鹏、李丹、赵文静、古田守 物理学杂志 D：应用物理学，第 53 卷，第 1351404-1-1351404-7 页 2020
不同氧密度双层非晶Ga-Sn-O薄膜器件的忆阻特性 Ayata Kurasaki、Ryo Tanaka、Sumio Sugisaki、Tokiyoshi Matsuda、Daichi Sasaki、Yusaku Magari、Mamoru Furuta、Mutsumi Kimura 材料，第 12 卷，第 3236-1-3236-8 页 2019
无稀有金属GaSnO材料在薄膜晶体管中的应用 松田时吉、梅田哲马、加藤雄太、西本大树、杉崎纯夫、古田守、木村睦美 IEICE Transactions C，第 J102-C 卷，第 11 号，第 305-311 页 2019
雾气CVD生长氧化物半导体制造的电子器件及其应用 Dang Thai Giang、马丁·艾伦、Mamoru Furuta、Toshiyuki Kawaharamura 日本应用物理学杂志，第 58 卷，第 090606 页 2019
异质结沟道工程可提高非晶 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管的性能和可靠性 Mamoru Furuta、Daichi Koretomo、Yusaku Magari、SG Mehadi Aman、Ryunosuke Higashi、Shuhei Hamada 日本应用物理学杂志，第 58 卷，第 9 期，第 090604-1-090604-9 页 2019
退火引起的不太阳成集团tyc234cc古天乐性的定量分析 王大鹏、古田守 拜尔斯坦纳米技术杂志，第 10 卷，第 1125-1130 页 2019
非晶Ga-Sn-O薄膜器件的忆阻特性 sumio sugisaki、tokiyoshi Matsuda、Matsunori Uenuma、Toshihide Nabatame、Yasuhiko Nakashima、Takahito Imai、Yusaku Magari、Daichi Koretomo、Mamoru Furuta、Musumi Kimura 太阳成集团tyc234cc古天乐报告，第 9 卷，第 2757-1-2757-7 页 2019
太阳成集团tyc234cc古天乐溶液工艺兼容的聚合物栅极绝缘体提高了 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管的偏置应力和长期稳定性。 郭索美、金亨来、张慧媛、杨智熙、古田守、尹成民 有机电子学，第 71 卷，第 7-13 页 2019
蓝色激光二极管退火高迁移率溅射InSb薄膜 C。 J Koswaththage、T Higashizako、T Okada、T Sadoh、Mamoru Furuta、B S Bae、T Noguchi AIP 进展，第 9 卷，第 4 期，第 045009-1-045009-5 页 2019
热预算退火和有源层缺陷含量的协同优化可增强 InGaZnO 薄膜的电特性和偏置应力太阳成集团tyc234cc古天乐性 王大鹏、赵文静、古田守 物理学杂志 D：应用物理学，第 52 卷，第 235101-1-235101-6 页 2019
探索不同有源层厚度的非晶 InGaZnO 薄膜晶体管的光漏电流和光致负偏压不太阳成集团tyc234cc古天乐性 王大鹏、古田守 拜尔斯坦纳米技术杂志，第 9 卷，第 2573-2580 页 2018
不同有源层厚度的非晶 InGaZnO 薄膜晶体管中漏电流应力引起的不太阳成集团tyc234cc古天乐性 王大鹏、赵文静、李华、古田守 材料，第 11 卷，第 4 期，第 559-1-559-11 页 2018
SiO2钝化对In-W-Zn-O薄膜晶体管电性能和可靠性的太阳成集团tyc234cc古天乐 Daichi Koretomo、Yuta Hashimoto、Shuhei Hamada、Miki Miyanaga、Mamoru Furuta 日本应用物理学杂志，第 58 卷，第 1 期，第 018003-1-018003-3 页 2018
SiO2 钝化 PE-CVD 中的沉积温度和源气体对 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管性能和可靠性的太阳成集团tyc234cc古天乐 SG Mehadi Aman、Daichi Koretomo、Yusaku Magari、Mamoru Furuta IEEE 电子器件汇刊，第 65 卷，第 8 期，第 3257-3263 页 2018
Ar+O2+H2溅射In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的低温（150℃）激活 Aman S G Mehadi、Yusaku Magari、Kenta Shimpo、Yuya Hirota、Hisao Makino、Daichi Koretomo、Mamoru Furuta 《应用物理快报》，第 11 卷，第 8 期，第 0811101-1-0811101-4 页 2018
In-Ga-Zn-O薄膜晶体管钝化膜密度与可靠性之间的相关性 阿曼 S G 梅哈迪、古田守 日本应用物理学杂志，第 57 卷，第 088001-1-088001-2 页 2018
无稀有金属高性能Ga-Sn-O薄膜晶体管 松田时吉、梅田健太、加藤雄太、西本大树、古田守、木村须美 太阳成集团tyc234cc古天乐报告，第 7 卷，第 44326 页 2017
用于柔性器件应用的低温处理 InGaZnO MES-FET 古田守、曲优作、桥本信介、滨田健一郎 ECS 交易，第 79 卷，第 1 期，第 43-48 页 2017
自对准薄膜晶体管掺氟 n+-In-Ga-Zn-O 载流子生成机制的研究 王大鹏、蒋景欣、古田守 IEEE 显示技术杂志，第 12 卷，第 3 期，第 258-262 页 2016
氟钝化 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管抑制负栅极偏压和照明应力退化 FURUTA Mamoru、蒋晶鑫、MAI Phi Hung、户田达也、王大鹏、Gengo Tatsuoka ECS 固体太阳成集团tyc234cc古天乐与技术杂志，第 5 卷，第 3 期，第 Q88-Q91 页 2016
动态应力下氧化物薄膜晶体管的自热导致不太阳成集团tyc234cc古天乐 Kahori Kise、Mami Fujii、Satoshi Urakaswa、Haruka Yamazaki、Emi Kawashima、Shigekazu Tomai、Koki Yano、王大鹏、FURUTA Mamoru、Yasuaki Ishikawa、Yukiharu Uraoka 应用物理快报，第 108 卷，第 023501 页 2016
交流 (AC-) 栅极偏压提高 IGZO TFT NBIS 太阳成集团tyc234cc古天乐性的起源 麦皮雄、王大鹏、古田守 ECS 固态通讯，第 4 卷，第 12 期，第 Q66-Q68 页 2015
太阳成集团tyc234cc古天乐非晶 In-Sn-Zn-O 薄膜晶体管的集成触摸屏频率调制电容传感器 Y。 Koga、T Matsuda、M Kimura、王大鹏、FURUTA Mamoru、M Kasami、S Tomai、K Yano IEICE Trabsaction on Electronics，VolE98-C，No11，第 1028-1031 页 2015
雾气 CVD 生长的掺锡 α-Ga2O3 MESFET G。 T Dang、河原村、敏之、古田守、M W 艾伦 IEEE 电子设备交易，第 62 卷，第 11 期，第 3640-3644 页 2015
通过电导法研究后退火时间对 In-Ga-Zn-O TFT 正偏压稳定性的太阳成集团tyc234cc古天乐 麦皮雄、王大鹏、古田守 IEEE 电子设备交易，第 62 卷，第 11 期，第 3697-3702 页 2015
In-Ga-Zn-O 金属半导体场效应晶体管在偏置、光照和温度应力下的太阳成集团tyc234cc古天乐性 G。 T Dang、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、FURUTA Mamoru、S Saxena、M W Allen 应用物理学快报，第 107 卷，第 143504-1-143504-5 页 2015
（特邀）In-Ga-Zn-O中氟的掺杂和缺陷钝化 古田守、江晶鑫、辰冈源吾、王大鹏 ECS 交易，第 67 卷，第 (1) 期，第 41-49 页 2015
通过臭氧辅助大气压雾沉积制造的高性能溶液处理 InGaZnO 薄膜晶体管 FURUTA、Mamoru、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、Takayuki Uchida、WANG、大鹏、SANADA、Masaru 显示技术杂志，第 10 卷，第 11 期，第 934-938 页 2014
在正栅极偏压和温度应力下高度太阳成集团tyc234cc古天乐的氟钝化 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管 江晶鑫、户田龙也、麦披雄、王、大鹏、FURUTA、Mamoru 应用物理快车，第 7 卷，第 114103-01-114103-4 页 2014
空穴捕获和缺陷产生的定量分析 MAI Phi Hung、王、大鹏、户田龙也、蒋景欣、FURUTA、Mamoru ECS 固体太阳成集团tyc234cc古天乐与技术杂志，第 3 卷，第 9 期，第 Q3023-Q3026 页 2014
具有通过直接沉积氟化氮化硅形成的源极/漏极区域的自对准底栅 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管 蒋景欣，FURUTA，Mamoru，王，大鹏 IEEE 电子设备通讯，第 35 卷，第 9 期，第 933-935 页 2014
薄膜晶体管上氢从氧化硅蚀刻停止层扩散到非晶 In-Ga-Zn-O 中的太阳成集团tyc234cc古天乐的定量分析 户田达也、王、大鹏、蒋景欣、麦菲洪、FURUTA、Mamoru IEEE 电子设备汇刊，第 61 卷，第 11 期，第 3762-3767 页 2014
通过施加负漏极偏置来抑制非晶 InGaZnO 薄膜晶体管中由负栅极偏置和照明应力引起的退化 王大鹏、麦菲洪、蒋景欣、户田达哉、FURUTA、Mamoru ACS 应用材料与界面，第 6 卷，第 8 期，第 5713-5718 页 2014
漏极偏压对负栅极偏压和光照应力引起的非晶 InGaZnO 薄膜晶体管退化的太阳成集团tyc234cc古天乐 王大鹏、麦菲洪、蒋景欣、户田龙也、李、朝阳、FURUTA、Mamoru 日本应用物理学杂志，第 53 卷，第 03CC01-1-03CC01-4 2014
雾化学气相沉积法生长的 AlOx 的生长和电性能 河原村、敏之、内田孝之、真田、胜、古田、卫 AIP 进展，第 3 卷，第 032135-1-032135-9 页 2013
InGaZnO 薄膜晶体管背沟道界面处的负偏压和照明应力诱导电子捕获 MAI Phi Hung、王、大鹏、蒋景欣、FURUTA、Mamoru ECS 固态通讯，第 3 卷，第 3 期，第 13 季度至第 16 季度 2014
焦耳热和热载流子效应相结合而退化的非晶氧化物薄膜晶体管的热分析 Satoshi Urakawa、Shigekazu Tomai、Yoshihiro Ueoka、Haruka Yamazaki、Masashi Kasami、Koki Yano、WANG、Dapeng、FURUTA、Mamoru、Masahiro Horita、Yasuaki Ishikawa、Yukiharu Uraoka 应用物理快报，第 102 卷，第 053506-1-053506-4 页 2013
具有非真空处理的 InGaZnO/AlOx 栅极电介质堆栈的 A-InGaZnO 薄膜晶体管 FURUTA、Mamoru、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、Tatsuya Toda、王、大鹏 ECS 交易，第 50 卷，第 8 期，第 95-100 页 2012
太阳成集团tyc234cc古天乐单壁碳纳米管介电泳组装的薄膜晶体管 户田达也、河原村、敏行、弗泽泽、浩、古田、卫 ECS 交易，第 50 卷，第 8 期，第 223-228 页 2012
用于有机图像传感器的 128×96 像素、50 m 像素间距透明读出电路，太阳成集团tyc234cc古天乐具有氧化铟锡电极的 InGaZnO4 薄膜晶体管阵列 T。 Sakai、H Seo、S Aihara、M Kubota、N Egami、WANG、Dapeng、FURUTA、Mamoru 日本应用物理学杂志，第 51 卷，第 010202-1-010202-3 页 2011
光致氧化锌薄膜晶体管的负偏压不太阳成集团tyc234cc古天乐性 岛川真一、王、大鹏、FURUTA、Mamoru 日本应用物理学杂志，第 51 卷，第 10 期，第 108003-1-108003-2 页 2012
氧化锌薄膜缺陷能级密度对薄膜晶体管电特性和可靠性的太阳成集团tyc234cc古天乐 古田守、岛川真一 高知工业大学通报，第 9 卷，第 1 期，第 29-35 页 2012
通过溶液常压沉积形成的具有氧化铟镓锌通道和氧化铝栅极电介质堆栈的薄膜晶体管的电性能 FURUTA、Mamoru、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、WANG、Dapeng、Tatsuya Toda、HIRAO、Takashi IEEE 电子设备通讯，第 33 卷，第 6 期，第 851-853 页 2012
通过细通道雾化学气相沉积成功生长导电高结晶 Sn 掺杂 a-Ga2O3 薄膜 河原村、敏之、大詹丹、古田、卫 日本应用物理学杂志，第 51 卷，第 040207-1-040207-3 页 2012
可见光照射下不同氧分压下形成的具有 ZnO 通道的薄膜晶体管的光漏电流 S。 Shimakawa, Y Kamada, KAWAHARAMURA, Toshiyuki, WANG, Dapeng, LI, Chaoyang, S Fujita, HIRAO, Takashi, FURUTA, Mamoru 日本应用物理学杂志，第 51 卷，第 03CB04-1-03CB04-4 2012
利用化学气相沉积、溅射和电子束蒸发沉积的非晶硅厚膜的生物矿化镍纳米点进行结晶 T。西田、K Fuse、FURUTA、Mamoru、Y Ishikawa、Y Uraoka 日本应用物理学杂志，第 51 卷，第 03CA01-1-03CA01-5 页 2012
通过照射Ar束控制Si晶体的膨胀高度 MOMOTA、Sadao、Jango Hangu、Takuya Toyonaga、Hikaru Terauchi、Kazuki Maeda、Jun Taniguchi、HIRAO、Takashi、FURUTA、Mamoru、KAWAHARAMURA、Toshiyuki 纳米太阳成集团tyc234cc古天乐与纳米技术杂志，第 12 卷，第 1 期，第 552-556 页 2012
ZnO 薄膜晶体管中陷阱密度的提取以及 ZnO 薄膜溅射过程中氧分压的依赖性 M。 Kimura、FURUTA、Mamoru、Y Kamada、T Hiramatsu、T Matsuda、FURUTA、Hiroshi、LI、Chaoyang、S Fujita、HIRAO、Takashi IEEE 电子设备汇刊，第 58 卷，第 9 期，第 3018-3024 页 2011
太阳成集团tyc234cc古天乐重离子束进行纳米尺寸的 3D 加工 桃田佐夫、平尾隆、古田守、河原村俊之、谷口淳 高知工业大学通报，第 8 卷，第 1 期，第 89-94 页 2011
几种沉积条件下具有 SiOx 栅极绝缘体的 ZnO 薄膜晶体管中的陷阱密度 M。 Kimura、FURUTA、Mamoru、Y Kamada、T Hiramatsu、T Matsuda、FURUTA、Hiroshi、LI、Chaoyang、S Fujita、HIRAO、Takashi 电化学和固态快报，第 14 卷，第 H365-H367 页 2011
128×96 像素堆叠式彩色图像传感器：与 ZnO 薄膜晶体管读出电路集成的单独的蓝色、绿色和红色敏感有机光电导薄膜的堆叠 H Seo、S Aihara、T Watabe、H Ohtake、T Sakai、M Kubota、N Egami、T Hiramatsu、FURUTA、Mamoru、HIRAO、Takashi 日本应用物理学杂志，第 50 卷，第 024103 页 2011
热退火过程中氧化锌薄膜中氧的行为及其对方块电阻的太阳成集团tyc234cc古天乐 T。平松、FURUTA、Mamoru、T Matsuda、李、朝阳、HIRAO、Takashi 应用表面太阳成集团tyc234cc古天乐，第 257 卷，第 5480 页 2011
具有 SiOx/SiNx 堆叠栅极绝缘体的底栅极氧化锌薄膜晶体管 (ZnO TFT) 的正偏置不太阳成集团tyc234cc古天乐性 FURUTA、Mamoru、Y Kamada、T Hiramatsu、LI、Chaoyang、M Kimura、S Fujita、HIRAO、Takashi 日本应用物理学杂志，第 50 卷，第 03CB09 页 2011
减少双栅极结构 ZnO 薄膜晶体管的光漏电流 Y。镰田、S Fujita、M Kimura、T Hiramatsu、T Matsuda、FURUTA、Mamoru、HIRAO、Takashi IEEE 电子设备通讯，第 32 卷，第 509 页 2011
沟道区化学计量对 ZnO 薄膜晶体管偏置不稳定性的太阳成集团tyc234cc古天乐 Y。镰田、S Fujita、M Kimura、T Hiramatsu、T Matsuda、FURUTA、Mamoru、HIRAO、Takashi 应用物理快报，第 98 卷，第 103512 页 2011
不同氧分压下溅射沉积ZnO沟道的薄膜晶体管驼峰特性分析 M。古田、Y Kamada、M Kimura、T Hiramatsu、T Matsuda、C Li、H Furuta、S Fujita、T Hirao IEEE 电子设备通讯，第 31 卷，第 1257-1259 页 2010
通过新开发的横截面 XRD 测量对多壁碳纳米管森林进行晶体结构分析 H古田、T川原村、M古田、K川端、T平尾、T小向、K吉原、Y下本、T大口 应用物理快车，第 3 卷，第 105101-1-105101-3 页 2010
通过热脱附光谱评价射频磁控溅射制备的ZnO薄膜的热太阳成集团tyc234cc古天乐性 T。松田、M Furuta、T Hiramatsu、H Furuta、C Li、T Hirao 应用表面太阳成集团tyc234cc古天乐，第 256 卷，第 21 期，第 6350-6353 页 2010
面内型三极管碳纳米管发射器的仿真研究 H古田、K 石井、K 冈田、M 古田、T 平尾 真空太阳成集团tyc234cc古天乐与技术学报B，第28卷，第4期，第878-881页 2010
玻璃上高密度短高度直接生长 CNT 图案化发射极 H古田、T 川原村、K 川端、M 古田、T 松田、C Li、T Hirao 表面太阳成集团tyc234cc古天乐与纳米技术电子杂志，第 8 卷，第 336-339 页 2010
脉冲基底偏压对感应耦合等离子体沉积沉积的 SiO2 薄膜特性的太阳成集团tyc234cc古天乐 T。平松、T 松田、H 古田、H 新田、T 川原村、C Li、M 古田、T Hirao 日本应用物理学杂志，第 49 卷，第 03CA03-1-03CA03-4 页 2010
玻璃基板上硼注入多晶硅的活化行为 M。古田、K岛村、H坪川、K德重、H古田、T平尾 固体薄膜，第 518 卷，第 4477-4481 页 2010
太阳成集团tyc234cc古天乐有机光电薄膜和ZnO TFT电路的堆叠结构的有机成像器件的原理验证实验 Hokuto Seo、Satoshi Aihara、Masakazu Namba、Toshihisa Watanabe、Hiroshi Otake、Setsu Kubota、Norifumi Egami、Takahiro Hiramatsu、Tokiyoshi Matsuda、Mamoru Furuta、Hiroshi Nitta、Takashi Hirao 图像信息与电视工程师学会学报，第64卷，第365-371页 2010
铟注入和后退火的 ZnO 薄膜的结晶度和电阻率 T。松田、古田、守、平松、古田、宏、平尾、隆 真空太阳成集团tyc234cc古天乐与技术学报A，第28卷，第135页 2010
采用低频脉冲衬底偏置的感应耦合等离子体化学气相沉积 (ICP-CVD) 增强微晶硅薄膜的成核作用 FURUTA、Mamoru、T Hiramatsu、HIRAO、Takashi 日本应用物理学杂志，第 49 卷，第 050202 页 2010
利用铟离子注入分析 ZnO 薄膜晶体管的亚阈值光漏电流 Y。镰田、S Fujita、T Hiramatsu、T Matsuda、FURUTA、Mamoru、HIRAO、Takashi 固态电子学，第 54 卷，第 1392 页 2010
氧化锌薄膜晶体管 (ZnO TFT) 的均匀性和太阳成集团tyc234cc古天乐性 FURUTA、Mamoru、李、朝阳、HIRAO、Takashi 信息显示学会杂志，第 18 卷/10 卷，第 773 页 2010
利用器件仿真对 ZnO 薄膜晶体管中的光漏电流进行机理分析 M。木村、Y Kamada、S Fujita、T Hiramatsu、T Matsuda、FURUTA、Mamoru、HIRAO、Takashi 应用物理快报，第 97 卷，第 163503 页 2010
射频溅射过程中气体比例和衬底偏压对ZnO纳米结构的结构和光致发光性能的太阳成集团tyc234cc古天乐 朝阳李、Tokiyoshi Matsuda、Toshiyuki Kawaharamura、Hiroshi Furuta、Mamoru Furuta、Takahiro Hiramatsu、Takashi Hirao、Yoichiro Nakanishi、Keiji Ichi J。真空。太阳成集团tyc234cc古天乐。技术。 B，第 28 卷，第 2 期，第 C2B51-55 页 2010
可见光下 ZnO TFT 的光漏电流 Y。镰田、S Fujita、T Hiramatsu、T Matsuda、H Nitta、FURUTA、Mamoru、HIRAO、Takashi 日本应用物理学杂志，第 49 卷，第 03CB03 页 2010
栅绝缘体表面处理对底栅 ZnO 薄膜晶体管均匀性的太阳成集团tyc234cc古天乐 FURUTA、Mamoru、T Nakanishi、M Kimura、T Hiramatsu、T Matsuda、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、FURUTA、Hiroshi、HIRAO、Takashi 电化学和固态快报，第 13 卷，第 H101-H104 页 2010
高知工业大学公告“碳纳米管的合成及其在场发射灯FEL中的应用” 古田宏、川原村俊之、川端胜正、古田守、平尾隆 高知工业大学学报，第 6 卷，第 1 期，第 47-55 页 2009
衬底偏压对溅射沉积 ZnO 薄膜晶体结构和热稳定性的太阳成集团tyc234cc古天乐 T。平松、FURUTA、Mamoru、FURUTA、Hiroshi、T Matsuda、LI、Chaoyang、HIRAO、Takashi 晶体生长杂志，第 311 卷，第 282-285 页 2009
基材对射频磁控溅射制备Al掺杂ZnO薄膜结构、电学和光学性能的太阳成集团tyc234cc古天乐 朝阳李、Mamoru Furuta、Tokiyoshi Matsuda、Takahiro Hiramatsu、Hiroshi Furuta、Takashi Hirao 固体薄膜，第 517 卷，第 3265-3268 页 2009
具有凹槽六角锥体纳米结构的低温沉积 ZnO 薄膜发出强绿色阴极发光 朝阳李、Toshiyuki Kawaharamura、Tokiyoshi Matsuda、Hiroshi Furuta、Takahiro Hiramatsu、FURUTA、Mamoru、Takashi Hirao 申请。物理。快报，第 2 卷，第 091601-091603 页 2009
沉积在绝缘体上的未掺杂 ZnO 薄膜的热太阳成集团tyc234cc古天乐性和薄层电阻 FURUTA、Mamoru、T Hiramatsu、T Matsuda、LI、朝阳、FURUTA、Hiroshi、HIRAO、Takashi 电化学和固态快报，第 12 卷，第 K74-K76 页 2009
具有绿光和红光敏感有机光电导薄膜的堆叠式图像传感器，将氧化锌薄膜晶体管应用于信号读出电路 S。 Aihara、H Seo、M Namba、H Ohtake、M Kubota、N Egami、T Hiramatsu、T Matsuda、FURUTA、Mamoru、HIRAO、Takashi IEEE 传输。电子器件，第 56 卷，第 11 期，第 2570-2576 页 2009
高知工业大学公告“碳纳米管量产技术的开发及其在场致发射器件中的应用” 古田宏、古田守、平尾隆 高知工业大学通报，第 5 卷，第 1 期，第 55-65 页 2008
非晶缓冲层对溅射沉积未掺杂 ZnO 薄膜结晶度的太阳成集团tyc234cc古天乐 T。松田、FURUTA、Mamoru、T Hiramatsu、LI、Chaoyang、FURUTA、Hiroshi、HIRAO、Takashi 晶体生长杂志，第 315 卷，第 31-35 页 2008
氧轰击对溅射沉积 ZnO 薄膜平均晶粒尺寸的太阳成集团tyc234cc古天乐 FURUTA、Mamoru、T Hiramatsu、T Matsuda、LI、朝阳、FURUTA、Hiroshi、HIRAO、Takashi 非晶固体杂志，第 354 卷，第 1926-1931 页 2008
用于 AM-LCD 的底栅氧化锌薄膜晶体管 (ZnO TFT) FURUTA、Mamoru、HIRAO、Takashi、T Hiramatsu、T Matsuda、LI、Chaoyang、FURUTA、Hiroshi、H Hokari、M Yoshida、H Ishii、M Kakekawa IEEE 传输。电子器件，第 55 卷，第 11 期，第 3136-3142 页 2008
受衬底偏压控制的ZnO薄膜的结晶度与干法刻蚀形成的侧壁形状之间的相关性 Takahiro Hiramatsu、Mamoru Furuta、Hiroshi Furuta、Tokiyoshi Matsuda、Takashi Hirao 真空，第 50 卷，第 498-501 页 2007
高能粒子轰击对射频磁控溅射沉积氧化锌 (ZnO) 薄膜微观结构的太阳成集团tyc234cc古天乐 FURUTA、Mamoru、T Hiramatsu、T Matsuda、FURUTA、Hiroshi、HIRAO、Takashi 日本应用物理学杂志，第 46 卷，第 4038-4041 页 2007
热退火对射频磁控溅射沉积氧化锌薄膜微观结构的太阳成集团tyc234cc古天乐 T。平松、古田、守、古田、宏、T松田、平尾、隆 日本应用物理学杂志，第 46 卷，第 3319-3323 页 2007
后退火的 Ga 和 Al 注入氧化锌薄膜的薄层电阻和结晶度 T。松田、古田、守、平松、古田、宏、平尾、隆 真空太阳成集团tyc234cc古天乐与技术学报A，第25卷，第706-710页 2007
用于 AMLCD 的新型顶栅氧化锌薄膜晶体管 (ZnO TFT) T。平尾、M古田、H古田、T松田、T平松、HHokari、M吉田、M石井、M挂川 SID J，第 15 卷，第 17-22 页 2007
太阳成集团tyc234cc古天乐四甲基硅烷通过感应耦合等离子体化学气相沉积在 100℃ 合成 SiO2 绝缘膜 H古田、M古田、T松田、T平松、T平尾 日本应用物理学杂志，第 46 卷，第 10 期，第 L237-L240 页 2007
射频功率和热退火对射频磁控溅射制备氧化锌薄膜性能的太阳成集团tyc234cc古天乐 朝阳李、Mamoru Furuta、Tokiyoshi Matsuda、Takahiro Hiramatsu、Hiroshi Furuta、Takashi Hirao 材料太阳成集团tyc234cc古天乐研究快报，第 1155 卷，第 26459-26463 页 2007
（评论文章）“产学官合作之地——高知工业大学碳纳米管材料及应用” Hiroshi Furuta、Mamoru Furuta、Takuji Komukai、Katsunori Aoki、Takashi Hirao 材料集成，第 19 卷，第 10 期，第 17-30 页 2006
（评论文章）“非耐热基板低温绝缘膜技术的发展” Hiroshi Furuta、Mamoru Furuta、Tokiyoshi Matsuda、Takahiro Hiramatsu、Takashi Hirao 材料集成，第 19 卷，第 10 期，第 31-33 页 2006
通过选择性蚀刻方法形成纳米碳发射器 Katsuaki Aoki、Keitomo Suzuki、Kumiko Takanashi、Kazuhisa Ishii、BS SATYANARAYANA、Kenjiro Oura、Hiroshi Furuta、Mamoru Furuta、Takashi Hirao 真空，第 49 卷，第 430-432 页 2006
通过铁/铝多层催化剂的厚度控制碳纳米管的密度 T。小向、K青木、FURUTA、Hiroshi、FURUTA、Mamoru、KOura、HIRAO、Takashi 日本应用物理学杂志，第 45 卷，第 6043-6045 页 2006
太阳成集团tyc234cc古天乐 CuNi 催化剂通过热化学气相沉积法低温生长碳纳米纤维 K。青木、T山本、H古田、T生野、S本田、M古田、K大浦、T平尾 日本应用物理学杂志，第 45 卷，第 5329 期，第 5329-5331 页 2006
铁/铝多层催化剂热化学气相沉积法生长的高密度垂直排列碳纳米管的结构分析 T。 Komukai、K Aoki、H Furuta、M Furuta、K Oura、HIRAO、Takashi 日本应用物理学杂志，第 45 卷，第 11 期，第 8988-8990 页 2006
LDD 结构的低温多晶硅 TFT 的可靠性 FURUTA、Mamoru、Y浦冈、TFuyuki 日本应用物理学杂志，第 42 卷，第 4257-4260 页 2003
离子掺杂引起的多晶硅薄膜晶体管的氢注入损伤 FURUTA、Mamoru、H Satani、T Terashita、T Tamura、Y Tsuchihashi 日本应用物理学杂志，第 41 卷，第 1259-1264 页 2002
通过准分子激光照射和离子掺杂法进行杂质掺杂再结晶的多晶硅 Y。宫田、古田、守、T吉冈、T川村 应用物理学杂志，第 73 卷，第 3271-3275 页 1993
太阳成集团tyc234cc古天乐 XeCl 准分子激光退火和离子掺杂的底栅多晶硅薄膜晶体管 FURUTA、Mamoru、T Kawamura、T Yoshioka、Y Miyata IEEE 电子设备交易，第 40 卷，第 1964-1969 页 1993
大面积液晶显示器用低温多晶硅薄膜晶体管 Y。宫田、古田、守、T吉冈、T川村 日本应用物理学杂志，第 31 卷，第 4559-4562 页 1992
通过金属有机化学气相沉积生长的 110 K。冈本、古田、守、山口 日本应用物理学杂志，第 27 卷，第 L2121-L2124 页 1988
通过金属有机化学气相沉积在 (110) GaAs 衬底上横向生长 K。冈本、古田、守、山口 日本应用物理学杂志，第 27 卷，第 L437-L440 页 1988

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学术演讲、讲座等

  1. 高度可靠的无氢顶栅氧化物 TFT
    ~用于 TFT 的无氢 ICP-CVD SiO2 和 SiNx 薄膜~，第 31 届国际显示研讨会 (IDW'24) (2024)
  2. 高性能、可靠的多晶氧化铟薄膜晶体管，2024 年电子器件未来国际会议，关西 (2024 年)
  3. 氢掺杂多晶氧化铟薄膜晶体管的性能和可靠性，ECS PRiME2024 (2024)
  4. 用于顶栅氧化物 TFT 的无氢 SiO2 栅极绝缘体，国际信息显示会议 (IMID2024) (2024)
  5. 具有固相结晶掺氢氧化铟通道的高迁移率增强型薄膜晶体管，国际信息显示会议 (IMID2024) (2024)
  6. 用于高迁移率薄膜晶体管的多晶氧化铟，2024 年亚太先进半导体器件研讨会 (AWAD 2024) (2024)
  7. 高迁移率多晶氧化铟 (InOx:H) 薄膜晶体管，第 18 届国际薄膜晶体管会议（2024 年）
  8. 用于显示器和 LSI 应用的高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管，消费电子和设备国际会议 (ICCED2023) (2023)
  9. 用于低温加工 TFT 的氢掺杂氧化铟固相结晶，超大规模集成电路和薄膜晶体管半导体技术国际会议（ULSIC 与 TFT 8）（2023 年）
  10. 用于高迁移率薄膜晶体管 (TFT) 的氢掺杂多晶氧化铟 (InOx:H) 的固相结晶 (SPC)，第 29 届非晶与纳米晶半导体国际会议（2022 年）
  11. 用于高迁移率薄膜晶体管的非简并氢掺杂多晶 InOx:H 薄膜，第 242 届 ECS 会议（2022 年）
  12. 通过固相结晶形成用于高迁移率 TFT 的氢掺杂多晶氧化铟 (InOx:H)，第十七届国际薄膜晶体管会议 (ITC2022) (2022)
  13. 高迁移率氢掺杂多晶氧化铟 (InOx:H) TFT，第 22 届国际信息显示会议 (IMID2022) (2022)
  14. 用于高迁移率薄膜晶体管的氢化氧化铟 (InOX:H) 的固相结晶，有源矩阵平板显示器和设备国际研讨会 (AM-FPD22) (2022)
  15. 用于显示应用的金属氧化物半导体薄膜晶体管技术，消费电子和设备国际会议 (ICCED2022) (2022)
  16. 用于柔性器件的具有阳极氧化 Al2O3 栅极电介质的氢化 IGZO (IGZO:H) TFT 的低压操作，国际 TFT 会议 (ITC2020/2021) (2021)
  17. 通过固相结晶形成的高迁移率氢化多晶 In-Ga-O (IGO:H) 薄膜晶体管，信息显示协会 (2021)
  18. 太阳成集团tyc234cc古天乐氧化物半导体的多晶硅薄膜晶体管的挑战，硅材料和器件研究组（SDM）（2021）
  19. 氧化物薄膜晶体管的异质结沟道工程，第六届绿色环境电子材料与纳米技术国际会议（ENGE2020）（2020）
  20. In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管的异质结通道工程，电化学协会 (ECS PRiME2020) (2020)
  21. 非晶氧化物半导体In-Ga-Zn-O异质结沟道薄膜晶体管、硅材料与器件/有机电子研究组（2019）
  22. 用于有源矩阵的 TFT：从硅到氧化物和新材料，第三届消费电子与设备国际会议 (ICCED 2019) (2019)
  23. 具有异质结沟道的 IGZO TFT 的载流子传输和偏置应力太阳成集团tyc234cc古天乐性，第七届 ULSI 和 TFT 半导体技术国际会议（2019 年）
  24. 太阳成集团tyc234cc古天乐异质结通道的In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的高迁移率和高可靠性，日本应用物理学会春季会议（2019）
  25. 柔性器件用氧化物薄膜晶体管的低温工艺，第79届日本应用物理学会秋季会议研讨会（2018）
  26. 通过不同成分的异质沟道增强 InGaZnOx 薄膜晶体管的迁移率，国际固态器件和材料会议 (SSDM2018) (2018)
  27. InGaZnOx薄膜晶体管的低温激活方法，ECS和SMEQ联合国际会议（2018）
  28. 异质结沟道IGZO TFT的特性和可靠性，第二届氧化物半导体研讨会（2018）
  29. Ar+O2+H2溅射In-Ga-Zn-O薄膜的低温活化及热退火，2018年第四届E-MRS & MRS-J双边研讨会（第七届导电材料透明国际研讨会（TCM2018））（2018）
  30. 采用有机栅极绝缘体的低温加工 InGaZnOx TFT，第五届绿色环境电子材料和纳米技术国际会议 (ENGE 2018) (2018)
  31. 氧化物半导体InGaZnOx薄膜晶体管的特性控制，硅材料与器件研究组（SDM）（2018）
  32. 氟对 In-Ga-Zn-O 的掺杂和缺陷钝化，超大规模集成电路和薄膜晶体管的半导体技术 V (2015)
  33. 通过选择性沉积氟化 SiNx 钝化形成的具有源极和漏极区域的自对准底栅 InGaZnO 薄膜晶体管，2014 年 ECS 和 SMEQ (Sociedad Mexicana de Electroquímica) 联合国际会议 (2014)
  34. 负栅极偏压和照明应力下横向电场和电子浓度对IGZO TFT退化机制的太阳成集团tyc234cc古天乐，第14届国际信息显示会议(IMID2014) (2014)
  35. [特邀]高性能氧化物薄膜晶体管的制作
    太阳成集团tyc234cc古天乐常压沉积法，国际先进材料会议（2013）
  36. 通过基于溶液的非真空雾化学气相沉积制造高迁移率 IGZO TFT，第四届 ULSI 和 TFT 半导体技术国际会议 (2013)
  37. [邀请]大气压处理的InGaZnO薄膜晶体管，2013年电子器件未来国际会议，关西（2013）
  38. [邀请]基于溶液的氧化物TFT大气压沉积方法，第19届国际显示研讨会(IDW/AD'12) (2012)
  39. 采用非真空处理的 InGaZnO/AlOx 栅极电介质堆栈的 A-InGaZnO 薄膜晶体管。，太平洋 RIM 电化学和固态太阳成集团tyc234cc古天乐会议 (2012)
  40. 高迁移率氧化物薄膜晶体管中的浮体效应，第十二届国际信息显示会议（2012 年）
  41. [主题演讲]
    用于平板显示器和透明电子产品的氧化物薄膜晶体管，第 20 届国际复合材料或纳米工程会议（2012 年）
  42. [邀请]沟道/栅极-绝缘体界面处理对底栅氧化锌薄膜晶体管 (ZnO TFT) 均匀性的太阳成集团tyc234cc古天乐，第六届国际薄膜晶体管会议 (ITC ‘10) (2010)
  43. [特邀]Effects of Interface Processes of Gate Dielectric on Electrical Properties and Reliability of Bottom-Gate ZnO TFTs, 第十届国际信息显示会议/国际显示器制造会议和亚洲显示器 2010 (IMID/IDMC/ASIA DISPLAY 2010) (2010)
  44. [邀请] 氧化锌薄膜晶体管 (ZnO TFT) 的太阳成集团tyc234cc古天乐性，第 16 届有源矩阵平板显示器和设备国际研讨会 (AMFPD ’09) (2009)
  45. [邀请]溅射沉积 ZnO 薄膜的表征及其在薄膜晶体管中的应用，第 13 届国际显示研讨会 (IDW '06) (2006)

主要专利

  1. 薄膜、成膜方法以及通过该方法得到的薄膜荧光体（日本特开2011-021159号公报）
  2. 海外注册专利（顶级发明）USP5397718、5523865、6034748、6309917、6420760等（13项以上）
  3. 国内注册专利（头部发明）2502789、2584117、2970176、3438178、3029787、3210568、2917925、3274081、3318285、3357038等（10或更多）
  4. 薄膜形成方法、薄膜晶体管、液晶显示装置、电子发射装置等（国内申请120余件/海外申请50余件）

科研经费

KAKEN 是国家信息研究所提供的一项服务。

分类 研究课题 研究类别 研究期 作业编号
代表 由氧化锌透明晶体管和叠层分色型光电转换元件组成的光学器件的制作 基础研究（C） 2011 - 2013 23560408
代表 实现柔性透明电路的三层层压分色型图像传感器的创建 基础研究（C） 2016 - 2018 16K06309
代表 氢催化透明金属氧化铟的半导体转变及固相晶化柔性晶体管 基础研究（C） 2022 - 2024 22K04200
代表 低温固相结晶制备准单晶氧化铟晶体管 基础研究（B） 2025 - 2028（计划） 25K01291

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社会贡献及公关活动

外部委员会成员、学术活动等

  1. IEEE Transaction on Electron Devices 编辑（2024-2025）
  2. 应用物理学会欧洲期刊编辑，《应用物理快报》（2019-2020）
  3. SSDM 程序委员会（Area10 主席）（2020 年）
  4. 国际会议IMID程序委员会成员（2019-2020）
  5. MDPI 期刊材料，客座编辑
    特刊“硅和金属氧化物薄膜晶体管：材料、工艺技术、器件物理和可靠性”（2019-2021）
  6. 日本应用物理学会欧洲期刊日本应用物理学会APEX/JJAP编辑委员会（2018-2019）
  7. 国际会议（AM-FPD）主席（2018）
  8. 国际薄膜晶体管会议项目指导委员会（2012-2013）
  9. 薄膜材料与器件研究组组委会/执行委员会主席（2011-2012）
  10. 国际会议有源矩阵平板显示器和设备国际研讨会程序委员会主席/JJAP论文委员会（2011-2013）
  11. 化合物半导体国际研讨会程序委员会（2009）
  12. 有源矩阵平板显示器和设备国际研讨会程序委员会（2009-）
  13. 薄膜器件研究组组委会成员（2005-）

其他社交活动等

  1. 东京工业大学应用陶瓷研究所客座教授（2012-）

一般讲座等

  1. 用于柔性器件的高质量氧化物半导体的新型低温形成技术，JST新技术简报（2018）
  2. 氧化物 TFT ~工艺技术的器件特性和可靠性~，国际会议 AM-FPD'13 教程讲座 (2013)
  3. 采用常压工艺的氧化物TFT，FineTech日本技术研讨会（2013年）
  4. 氧化物半导体形成方法、TFT特性/可靠性/未来问题
    ～下一代显示器的实用技术～，信息技术公司（2012）

主要出版物等

  1. “ZnO 复合体系的最新应用”第 6 章（撰稿人），CMC 出版社，2010 年
  2. 薄膜晶体管，合著者，Corona Publishing，2008 年
  3. 薄膜手册（第 2 版），合著者，日本学术振兴会第 131 届薄膜委员会，2008 年
  4. 低温多晶硅薄膜晶体管的开发 - 瞄准面板系统 -，合著者，CMC Publishing，2007 年

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