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教师传记

度 医生（工程）
教育背景 完成电信太阳成集团tyc234cc古天乐传播工程系（1988）
在奈良科学太阳成集团tyc234cc古天乐研究生院材料创造科学研究生院完成博士课程（2003）
工作历史 Matsushita Electric Industrial Co，Ltd。中央太阳成集团tyc234cc古天乐所（1988-1996）
Matsushita Electric Industrial Co，LCD部门（1996-2003）
Toshiba Matsushita Display Technology Co，Ltd。生产太阳成集团tyc234cc古天乐中心（2003-2005）
太阳成集团tyc234cc古天乐技术大学研究所副教授（2005-2010）
太阳成集团tyc234cc古天乐理大学纳米技术研究所教授（2011--）
太阳成集团tyc234cc古天乐技术大学环境科学技术集团教授（2012--）
资格
专业 半导体材料特性（太阳成集团tyc234cc古天乐物硅，太阳成集团tyc234cc古天乐物半导体）
半导体过程和设备太阳成集团tyc234cc古天乐
太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管
平板显示
LAB 名称 高级材料和元素科学实验室
详细太阳成集团tyc234cc古天乐 新的功能元素和材料在减少环境影响的同时改善我们的生活中起着重要作用。此外，设备科学的观点对于最大化材料功能至关重要。该实验室专注于对半导体材料的太阳成集团tyc234cc古天乐，并对新信息功能设备的实现进行了广泛的太阳成集团tyc234cc古天乐。可以期望这些太阳成集团tyc234cc古天乐的结果丰富我们的生活，例如没有表现出透明和灵活存在的信息设备。
附属社会 IEEE电子设备协会
太阳成集团tyc234cc古天乐显示协会（SID）
太阳成集团tyc234cc古天乐物理协会
电化学学会（ECS）

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负责今年的演讲

教师/太阳成集团tyc234cc古天乐 功能设备工程 /
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咨询区 半导体材料属性[多晶硅，太阳成集团tyc234cc古天乐物半导体特性]
半导体微加工过程太阳成集团tyc234cc古天乐[光刻，干蚀刻]
功能设备应用程序[太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管，液晶显示器，平板显示器，各种传感器应用]
薄膜形成太阳成集团tyc234cc古天乐[蒸气相沉积（CVD），溅射，激光退火，离子植入，金属化等]
当前的太阳成集团tyc234cc古天乐 氧化物半导体和多晶半导体太阳成集团tyc234cc古天乐的配方以及功能设备的应用

有关高质量单壁碳纳米管（CNTS）功能设备应用的太阳成集团tyc234cc古天乐

消息

研究主题是关于新型材料合成和纳米化功能设备的。尝试用自己的手制作晶体管和太阳成集团tyc234cc古天乐能电池！

太阳成集团tyc234cc古天乐成就

主要奖项等

  • 特别认可奖（2021）太阳成集团tyc234cc古天乐显示协会
  • Apex/JJAP编辑贡献奖（2017年）太阳成集团tyc234cc古天乐物理学会
  • [学生奖（学生）]第9届太阳成集团tyc234cc古天乐材料设备研究小组的研究会议（2012年）太阳成集团tyc234cc古天乐材料设备研究小组
  • “学生奖”，Active-Matrix Flatpanel显示器和设备（AM-FPD 12）（教师学生）（2012年）太阳成集团tyc234cc古天乐物理学会
  • “最佳纸张奖”，太阳成集团tyc234cc古天乐材料设备研究小组第八研究会议（2011）太阳成集团tyc234cc古天乐材料设备研究小组
  • “ Niwa Takayanagi Paper Award”，视频太阳成集团tyc234cc古天乐与媒体协会（2011）视频太阳成集团tyc234cc古天乐与媒体协会
  • “最佳纸张奖”，太阳成集团tyc234cc古天乐材料设备研究小组第七研究会议（2010年）太阳成集团tyc234cc古天乐材料设备研究小组
  • “学生纸奖”，Active-Matrix Flatpanel显示器和设备（AM-FPD'09）（教师学生）（2009年）Active-Matrix Flatpanel显示器和设备（AM-FPD）
  • “杰出海报纸奖”，太阳成集团tyc234cc古天乐3届国际展示研讨会（IDW’06）（2006）信息显示协会
  • “杰出纸奖”，国际座谈会2006（2006）太阳成集团tyc234cc古天乐显示学会

特别太阳成集团tyc234cc古天乐论文

标题 作者 出版杂志 发布年
由固相结晶形成的增强模式多晶型氧化物太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的均匀性和可靠性 Naoki Okamoto，Wang Xiaoqian，Kotaro Morita，Yuto Kato，Alom Mir Mutakabbir，Magari Yusaku，太阳成集团tyc234cc古天乐uta Mamoru IEEE Electron Device Letters，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 45，太阳成集团tyc234cc古天乐2号，第2403-2406页 2024
可靠的高动作氧化物氧化物太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的可靠操作 Prashant R Ghediya，Yusaku Magari，Hikaru Sadahira，Takashi Endo，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Yuqiao Zhang，Yusutaka Matsuo，Hiromichi Ohta 小方法，pp2400578-1-2400578-8 2024
外延钙钛矿单太阳成集团tyc234cc古天乐稳定异常，用于无滤器的超鼻涕带检测，可调节光谱响应 Yuzhu Pan，Xin Wang，Yuhan Liao，Yubing Xu，Yuwei Li，Yuwei Li，Qing Li，Xiaobing Zhang，Jing Chen，Zhuoya Zhu，Zhuoya Zhu，Zhiwei Zhao，Zhiwei Zhao，Elias Emeka Elemike，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐成集团tyc234cc古天乐成集团tyc234cc古天乐成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐成集团tyc234cc古天乐成集团tyc234cc古天乐成集团tyc234cc古天乐uta，Wei ii leii leii leii leii lei ii lei ii leii ACS应用材料和接口，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 14（44），pp。50331-50342 2022
高动力氢化多晶In2O3（in2O3：h）太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管 Yusaku Magari，Taiki Kataoka，Wenchang Yeh，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta 自然通讯，太阳成集团tyc234cc古天乐3卷，太阳成集团tyc234cc古天乐078-1-1078-8-8 2022
晶界散射对固相结晶氢化多晶的现场效应迁移率的影响 y。 Magari，W。Yeh，T。Ina，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta 纳米材料，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 12（17），第2958-1-2958-10页 2022
非氧化二氧化二氧化物（Inox：H）太阳成集团tyc234cc古天乐由低温固相结晶形成，用于太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管 Taiki Kataoka，Yusaku Magari，Hisao Makino，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta 材料，卷。 15，太阳成集团tyc234cc古天乐号，太阳成集团tyc234cc古天乐87-1-187-11页 2021
在低温退火时使用氢掺杂的Ga-Zn-O（Igzo：H）膜中的缺陷钝化和载体还原机制（Igzo：H）膜，用于灵活设备太阳成集团tyc234cc古天乐 Velichko Rostislav，Yusaku Magari，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta 材料，卷。 15，太阳成集团tyc234cc古天乐号，第334-1-334-12页 2022
有机层间饮食对改善自我对准的共浮是在GA-ZN-O太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的机械灵活性的影响 Hyo-eun Kim，Hye-Won Jang，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Jeonghan Yoon，Saeroonter哦，Sung-Min Yoon 有机电子，卷。 96，太阳成集团tyc234cc古天乐06223-1-106223-7 2021
对添加适量氢对DC磁铁溅射沉积的氧化物膜特性的影响的太阳成集团tyc234cc古天乐 Velichko Rostislav，Magari Yusaku，Hisao Makino，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 60，pp055503-1-055503-6 2021
在–GA – Zn – O异晶太阳成集团tyc234cc古天乐管中的异形中的量子限制效应 Daichi Sasaki，Shuhei Hamada，Yusaku Magari，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta 材料，卷。 13，pp。1935-1-1935-12 2020
低温（150°C）加工的金属 - 触发器场效应太阳成集团tyc234cc古天乐管，具有氢化的– ga-Zn – O堆叠通道 Yusaku Magari，S G Mehadi Aman，Daichi Sasaki，Kentaro Masuda，Kenta Shimpo，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 59，ppsggj04-1-sggj04-5 2020
在–GA – Zn – O溅射过程中水和氢的影响对低温加工太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的性能的影响 Yusaku Magari，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 60，ppsbm04-1-sbbm04-5 2021
在–GA – Zn – O太阳成集团tyc234cc古天乐中氢化，具有阳极氧化和荧光的AL2O3栅极绝缘子，用于柔性设备 Shuya Kono，Yusaku Magari，Mari，S G Mehadi Aman，Norbert Fruehauf，Hiroshi 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 60，ppSBBM05-1-SBBM05-6 2021
在–GA – Zn – O柔性Schottky Diodes中添加了纪录高表现 Yusaku Magari，S G Mehadi Aman，Daichi Sasaki，Kentaro Masuda，Kenta Shimpo，Hisao Makino，Mutsumi Kimura，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta ACS应用材料和接口，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 12，pp。47739-47746 2020
通过将氢化的Igzo作为通道材料施加 Daichi Koretomo，Shuhei Hamada，Mari，Yusaku Magari，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta 应用物理Express，太阳成集团tyc234cc古天乐3卷，第076501-1-1-076501-4 2020
了解温度和排水应力在具有各种活性层厚度的insnzno TFT中的作用 Dapeng Wang，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Shigekazu Tomai，Koki Yano 纳米材料，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 10，第4号，第617-1-617-10页 2020
一个自我对准的Coplanar In-Ga-Zn-O太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的有机间层介电介电的便利掺杂过程 Hyo-eun Kim，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Sung-Min Yoon IEEE Electron Device Letters，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 41，第3号，第393-396页 2020
用于高性能太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的无定形Ingazno中的缺陷梯度控制 Dapeng Wang，Dan Li，Wenjing Zhao，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta 物理学杂志D：Applied Physics，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 53，pp1351404-1-1351404-7 2020
具有不同氧气密度的双层的无定形GA-SN-O太阳成集团tyc234cc古天乐设备的回忆特性 Ayata Kurasaki，Ryo Tanaka，Sumio Sugisaki，Tokiyoshi Matsuda，Daichi Sasaki，Yusaku Magari，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mutsumi Kimura 材料，太阳成集团tyc234cc古天乐2卷，pp3236-1-3236-8 2019
将稀有金属煤气材料应用于太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管 Matsuda Tokigi，Umeda Tetsuma，Kato Yuta，Nishimoto Daiki，Sugisaki Sumio，太阳成集团tyc234cc古天乐uta Mamoru，Kimura Mutsumi 电子，信息与通信工程师研究所杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 J102-C，太阳成集团tyc234cc古天乐1页，第305-311页 2019
在雾-CVD生长的氧化物半导体上制造的电子设备及其太阳成集团tyc234cc古天乐 Dang Thai Giang，Martin Allen，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Toshiyuki Kawaharamura 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 58，p090606 2019
杂项渠道工程，以提高– GA – ZN – O太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管中无定形的性能和可靠性 Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Daichi Koretomo，Yusaku Magari，S G Mehadi Aman，Ryunosuke Hiroshimashi，Shuhei Hamada 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 58，第9号，第090604-1-090604-9 2019
退火引起的不稳定性的定量分析 Dapeng Wang，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta 贝尔斯坦纳米太阳成集团tyc234cc古天乐杂志，第1卷。 10，第1125-1130页 2019
无定形GA-SN-O太阳成集团tyc234cc古天乐设备的回忆特性 Sumio Sugisaki，Tokiyoshi Matsuda，Mutsunori Ueuma，Toshihide Nabatame，Yasuhiko Nakashima Nakashima，Takahito Imai，Yusaku Magari，Yusaku Magari，Daichiichi Koretomo，Maumoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta kimumi kimura 科学报告，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 9，pp。2757-1-2757-7 2019
使用解决方案处理的聚合物绝缘子的GA-ZN-O太阳成集团tyc234cc古天乐晶体晶体管的偏置压力和长期系统的改进。 Sol-Mi Kwak，Hyeong-Rae Kim，Hye-Won Jang，Ji-Hee Yang，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Sung-Min Yoon 有机电子，卷。 71，pp7-13 2019
蓝色激光二极管退火 c。 J Koswaththage，T。Higashizako，T。Okada，T。Sadoh，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，B。S。Bae，T。Noguchi AIP Advances，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 9，第4号，第045009-1-045009-5页 2019
热预算退火和主动层缺陷内容的协作优化增强了电气特性和偏置应力稳定性，Ingazno太阳成集团tyc234cc古天乐 Dapeng Wang，Wenjing Zhao，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta 物理学杂志D：Applied Physics，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 52，pp。235101-1-235101-6 2019
探索具有各种活性层厚度的无定形的Ingazno太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管中的光片段电流和光诱导的负偏置不稳定 Dapeng Wang，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta 贝尔斯坦纳米太阳成集团tyc234cc古天乐杂志，第1卷。 9，pp。2573-2580 2018
排出电流应力诱导的不稳定性在具有不同活性层厚度的无定形Ingazno太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管中 Dapeng Wang，Wenjing Zhao，Hua Li，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta 材料，太阳成集团tyc234cc古天乐1卷，第4页，第559-1-559-11页 2018
SiO2钝化对电气性能的影响和– W – Zn – O太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的可靠性 Daichi Koretomo，Yuta Hashimoto，Shuhei Hamada，Miki Miyanaga，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 58，太阳成集团tyc234cc古天乐号，第018003-1-018003-3 2018
PE-CVD沉积温度和源气体对SIO2钝化对– ga – Zn – O太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的性能和可靠性的影响 S G Mehadi Aman，Daichi Koretomo，Yusaku Magari，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta 电子设备上的IEEE交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 65，第8号，第3257-3263页 2018
低温（150℃）AR+O2+H2的激活在Ga-Zn-O太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管中溅射 Aman S G Mehadi，Yusaku Magari，Kenta Shimpo，Yuya Hirota，Hisao Makino，Daichi Koretomo，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta Applied Physics Express，Vol11，No8，pp0811101-1-0811101-4 2018
钝化膜密度与可靠性之间的相关性pf pf in – ga – Zn – O太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管 Aman S G Mehadi，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 57，pp088001-1-088001-2 2018
无稀有金属的高性能GA-SN-O太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管 Tokiyoshi Matsuda，Kenta Umeda，Yuta Kato，Daiki Nishimoto，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mustumi Kimura 科学报告，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 7，p44326 2017
弹性设备太阳成集团tyc234cc古天乐程序applicatio的低温处理Ingazno Mes-Fet Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Yusaku Magari，Shinsuke Hashimoto，Kenichiro Hamada ECS交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 79，太阳成集团tyc234cc古天乐号，第43-48页 2017
对自我对齐的太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的氟掺杂n+-in-in – zn-o中载体生成机制的研究 Wang Dapeng，Jiang Jingxin，太阳成集团tyc234cc古天乐uta Mamoru IEEE展示太阳成集团tyc234cc古天乐杂志，第1卷。 12，第3号，第258-262页 2016
通过氟papassiviviviviviviviviviviviviving In-Zn-O太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管抑制负门偏置和照明应力降解 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta Mamoru，Jiang Jingxin，Mai Phi Hung，Tatsuya Toda，Wang Dapeng，Gengo Tatsuoka ECS固态科学太阳成集团tyc234cc古天乐杂志，第1卷。 5，第3号，ppQ88-Q91 2016
在动态压力下自热诱导的氧化物太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的不稳定性 Kahori Kise, Mami Fujii, Satoshi Urakaswa, Haruka Yamazaki, Emi Kawashima, Shigekazu Tomai, Koki Yano, WANG Dapeng, 太阳成集团tyc234cc古天乐UTA Mamoru, Yasuaki Ishikawa, Yukiharu Uraoka 应用物理字母，太阳成集团tyc234cc古天乐08卷，p023501 2016
替代电流（ac-）门偏置的起源改善了Igzo TFT的NBIS稳定性 Mai Phi Hung，Wang Dapeng，太阳成集团tyc234cc古天乐uta Mamoru ECS固态字母，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 4，太阳成集团tyc234cc古天乐2号，ppQ66-Q68 2015
使用无定形IN-ZN-ZN-O太阳成集团tyc234cc古天乐thin-filmtransistors的集成触摸板的频率调制电容传感器 y。 Koga，T。Matsuda，M。Kimura，Wang Dapeng，太阳成集团tyc234cc古天乐uta Mamoru，M。Kasami，S。Tomai，K。Yano ieice Trabsaction on Electronics，vol98-C，No11，pp1028-1031 2015
MIST-CVD种植Sn的α-GA2O3 Mesfets g。 T dang，卡瓦哈拉姆拉（Kawaharamura），toshiyuki，太阳成集团tyc234cc古天乐uta mamoru，M。W Allen 电子设备上的IEEE交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 62，编号11，第3640-3644页 2015
通过电导方法– ga – Zn – O TFT中的降压压力稳定性调查对正偏应力稳定性的太阳成集团tyc234cc古天乐 Mai Phi Hung，Wang Dapeng，太阳成集团tyc234cc古天乐uta Mamoru 电子设备上的IEEE交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 62，编号11，第3697-3702页 2015
在偏见，照明和温度压力下，GA-ZN-O金属 - 智能电场效应 - 贯穿器的稳定性 g。 T Dang，Kawaharamura，Toshiyuki，太阳成集团tyc234cc古天乐uta Mamoru，SSaxena，M。W Allen 应用物理信，太阳成集团tyc234cc古天乐07卷，太阳成集团tyc234cc古天乐43504-1-143504-5 2015
（被邀请）通过氟中的ga-Zn-o掺杂和缺陷钝化 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta Mamoru，Jiang Jingxin，Gengo Tatsuoka，Wang Dapeng ECS交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 67，编号（1），第41-49页 2015
高性能解决方案处理的Ingazno太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管由臭氧辅助大气压力雾气 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta，Mamoru，Kawaharamura，Toshiyuki，Takayuki Uchida，Wang，Dapeng，Sanada，Masaru 展示太阳成集团tyc234cc古天乐杂志，第1卷。 10，编号11，第934-938页 2014
高度稳定的氟在– Zn – o太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管下在正门偏置和温度应力下 Jiang Jingxin，Tatsuya Toda，Mai Phi Hung，Wang，Dapeng，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru 应用物理Express，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 7，pp114103-01-114103-4 2014
孔捕获和缺陷创造的定量分析 Mai Phi Hung，Wang，Dapeng，Tatsuya Toda，Jiang Jingxin，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru ECS固态科学太阳成集团tyc234cc古天乐杂志，第1卷。 3，第9号，ppQ3023-Q3026 2014
自我对准的底盖特式in-Zn-o太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管具有直接沉积氟化硅的源/排水区域 Jiang Jingxin，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，Wang，Dapeng IEEE Electron Device Letters，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 35，第9号，第933-935页 2014
从太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管上氢氧化物蚀刻层氢扩散成–GA – Zn – O中的氢扩散的作用的定量分析 Tatuya Toda，Wang，Dapeng，Jiang Jingxin，Mai Phi Hung，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru 电子设备上的IEEE交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 61，编号11，第3762-3767页 2014
通过施加阴性排水偏置而在无定形的Ingazno太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管中受负的栅极偏置和照明应力引起的降解的抑制 Wang，Dapeng，Mai Phi Hung，Jiang Jingxin，Tatuya Toda，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru ACS应用材料和接口，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 6，第8号，第5713-5718页 2014
排水偏置对负栅极偏置的影响和照明应力引起的无定形Ingazno太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的降解 Wang，Dapeng，Mai Phi Hung，Jiang Jingxin，Tatsuya Toda，Li，Chaoyang，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 53，pp03cc01-1-03cc01-4 2014
由MIS化学蒸气沉积生长的Alox的生长和电性能 卡瓦哈拉姆拉，托希亚木，高尤木uchida，sanada，masaru，masaru，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，mamoru AIP Advances，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 3，pp032135-1-032135-9 2013
负偏置和照明应力引起的电子捕获在Ingazno太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的后通道接口处 Mai Phi Hung，Wang，Dapeng，Jiang Jingxin，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru ECS固态字母，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 3，第3号，ppQ13-Q16 2014
通过焦耳加热和热载体效应的组合降解的非晶氧化物太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的热分析 Satoshi Urakawa, Shigekazu Tomai, Yoshihiro Ueoka, Haruka Yamazaki, Masashi Kasami, Koki Yano, WANG, Dapeng, 太阳成集团tyc234cc古天乐UTA, Mamoru, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Yukiharu Uraoka 应用物理信，太阳成集团tyc234cc古天乐02卷，第053506-1-1-053506-4 2013
a- ingazno太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管，带有非Vacuum处理的Ingazno/Alox Gate介电堆栈 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta，Mamoru，Kawaharamura，Toshiyuki，Tatsuya Toda，Wang，Dapeng ECS交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 50，第8号，第95-100页 2012
使用单壁碳纳米管的介电练习组件 Tatsuya Toda，Kawaharamura，Toshiyuki，Frusawa，Hiroshi，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru ECS交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 50，第8号，第223-228页 2012
使用Ingazno4太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管阵列，带有有机图像传感器的Ingazno4太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管阵列，使用Ingazno4太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管阵列，使用Ingazno4太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管阵列50 m Pixel Pitch透明读数电路 t。 Sakai，H。Seo，S。Aihara，M。Kubota，N。Egami，Wang，Dapeng，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 51，pp010202-1-010202-3 2011
照片诱导的氧化锌太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的负偏置不稳定 Shin-Ichi Shimakawa，Wang，Dapeng，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 51，太阳成集团tyc234cc古天乐0页，太阳成集团tyc234cc古天乐08003-1-108003-2页 2012
氧化锌太阳成集团tyc234cc古天乐中缺陷水平密度对太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的可靠性的影响 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta Mamoru，Shimakawa Shinichi 太阳成集团tyc234cc古天乐理大学公告，第1卷。 9，第1号，第29-35页 2012
带有im依 - - 基因 - 锌氧化物通道的太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的电性能和由基于溶液的大气压力沉积形成的氧化铝门介电量 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta，Mamoru，Kawaharamura，Toshiyuki，Wang，Dapeng，Tatsuya Toda，Tatsuya Toda，Hirao，Takashi IEEE Electron Device Letters，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 33，第6号，第851-853页 2012
通过细通道雾化学蒸气沉积的高度结晶型A-GA2O3太阳成集团tyc234cc古天乐成功增长 Kawaharamura，Toshiyuki，Tai Jan Dan，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 51，pp040207-1-040207-3 2012
带有ZnO通道的太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的光渗流电流在可见光下在各种氧气压力下形成 s。 Shimakawa，Y。Kamada，Kawaharamura，Toshiyuki，Wang，Dapeng，Li，Chaoyang，S。Fujita，Hirao，Takashi，Takashi，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 51，pp03CB04-1-03CB04-4 2012
使用化学蒸气沉积，溅射和电子束蒸发沉积的无定形硅厚膜的生物矿化镍纳米质量的结晶 t。 Nishida，K。Fuse，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，Y。Ishikawa，Y。Uraoka 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 51，pp03CA01-1-03CA01-5 2012
通过照射AR梁的Si太阳成集团tyc234cc古天乐肿胀高度的控制 Momota，Sadao，Jango Hanga，Takuy​​a Toyonaga，Hikaru Terauchi，Kazuki Maeda，Maeda，Jun Taniguchi，Hirao，Takashi，Takashi，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，Mamoru，Mamoru，Kawaharamura，Toshiyuki 纳米科学和纳米太阳成集团tyc234cc古天乐杂志，第1卷。 12，第1号，第552-556页 2012
ZnO太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管中陷阱密度的提取，并依赖于Zno膜的溅射过程中的氧部分压力 m。 Kimura，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，Y。Kamada，T。Hiramatsu，T。Matsuda，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Hiroshi，Li，Chaoyang，SFujita，Hirao，Takashi 电子设备上的IEEE交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 58，第9号，第3018-3024页 2011
使用重离子束3D纳米尺寸的加工 Momota Satao，Hirao Takashi，太阳成集团tyc234cc古天乐uta Mamoru，Kawaharamura Toshiyuki，Taniguchi Jun 太阳成集团tyc234cc古天乐技术大学公告，第1卷。 8，第1号，第89-94页 2011
Zno太阳成集团tyc234cc古天乐中的陷阱密度通过几个沉积条件，带有Siox Gate绝缘子 m。 Kimura，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，Y。Kamada，T。Hiramatsu，T。Matsuda，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Hiroshi，Li，Chaoyang，SFujita，Hirao，Takashi 电化学和固态字母，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 14，ppH365-H367 2011
A 128×96像素堆叠型颜色图像传感器：单个蓝色，绿色和红色敏感的有机光导膜的堆叠，与ZnO太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管读取电路 h。 Seo，S。Aihara，T。Watabe，H。Ohtake，T。Sakai，M。Kubota，N。Egami，T。Hiramatsu，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，Mamoru，Hirao，Takashi 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 50，p024103 2011
通过热退火太阳成集团tyc234cc古天乐锌膜中氧的行为及其对板电阻的影响 t。 Hiramatsu，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，T。Matsuda，Li，Chaoyang，Hirao，Takashi 应用表面科学，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 257，第2页。 5480 2011
带有siox/sinx堆叠的栅极绝缘子的底栅氧化锌太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管（ZnO TFTS）的阳性偏置不稳定 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta，Mamoru，Y。Kamada，T。Hiramatsu，Li，Chaoyang，MKimura，SFujita，Hirao，Takashi 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 50，p03cb09 2011
ZnO太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管中带有双门结构的透明电流的减少 y。 Kamada，SFujita，M。Kimura，T。Hiramatsu，T。Matsuda，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，Hirao，Takashi IEEE Electron Device Letters，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 32，p。 509 2011
通道区域化学化学计量学对ZnO太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管中偏置不稳定性的影响 y。 Kamada，SFujita，M。Kimura，T。Hiramatsu，T。Matsuda，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，Hirao，Takashi 太阳成集团tyc234cc古天乐物理字母，第98卷，p103512 2011
分析太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管中hump特性的分析，该晶体管通过在各种氧气压力下施加溅射而沉积了ZnO通道 m。 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Y。Kamada，M。Kimura，T。Hiramatsu，T。Matsuda，C。Li，H。太阳成集团tyc234cc古天乐uta，S。Fujita，T。Hirao IEEE Electron Device Letters，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 31，pp1257-1259 2010
新开发的横截面XRD测量的多壁碳纳米管森林的太阳成集团tyc234cc古天乐结构分析 h。 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，T。Kawaharamura，M。太阳成集团tyc234cc古天乐uta，K。Kawabata，T。Hirao，T。Komukai，K。Yoshihara，Y。Shimomoto，T。Oguchi 应用物理Express，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 3，pp105101-1-105101-3 2010
由RF-MAGNETRON溅射制备的ZnO太阳成集团tyc234cc古天乐的热稳定性通过热解吸光谱评估 t。 Matsuda，M。太阳成集团tyc234cc古天乐uta，T。Hiramatsu，H。太阳成集团tyc234cc古天乐uta，C。Li，T。Hirao 应用的表面科学，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 256，第21号，第6350-6353页 2010
平面类型三极管碳纳米管发射器的仿真太阳成集团tyc234cc古天乐 h。 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，K。Ishii，K。Okada，M。太阳成集团tyc234cc古天乐uta，T。Hirao 真空科学太阳成集团tyc234cc古天乐杂志b，第1卷。 28，第4号，第878-881页 2010
高密度短高度直接在玻璃上生长CNT图案发射极 h。 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，T。Kawaharamura，K。Kawabata，M。太阳成集团tyc234cc古天乐uta，T。Matsuda，C。Li，T。Hirao 表面科学与纳米太阳成集团tyc234cc古天乐的电子杂志，第1卷。 8，pp336-339 2010
脉冲底物偏置对通过电感耦合等离子体沉积沉积的SIO2膜性能的影响 t。 Hiramatsu，T。Matsuda，H。太阳成集团tyc234cc古天乐uta，H。Nitta，T。Kawaharamura，C。Li，M。太阳成集团tyc234cc古天乐uta，T。Hirao 日本日报应用物理学，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 49，pp03CA03-1-03CA03-4 2010
硼植入poly-si在玻璃基板上的激活行为 m。 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，K。Shimamura，H。Tsubokawa，K。Tokushige，H。太阳成集团tyc234cc古天乐uta，T。Hirao 薄膜，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 518，pp。4477-4481 2010
使用有机光电膜和ZnO TFT电路层压结构的有机成像设备的原理演示实验 Seo Hokuto，Aihara Satoshi，Namba Masakazu，Namba Masakazu，Watanabe Toshihisa，Otake Hiroshi，Kubota Setsu，Egami Norifumi，egami Norifumi，Hiramatsu tokahiro 视觉信息与媒体协会杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 64，pp。365-371 2010
ZnO太阳成集团tyc234cc古天乐的结晶度和电阻率，并带有凹入和退火后 t。 Matsuda，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，T。Hiramatsu，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Hiroshi，Hirao，Takashi 真空科学太阳成集团tyc234cc古天乐杂志，第1卷。 28，第135页 2010
通过电感耦合等离子体化学蒸气沉积（ICP-CVD）沉积的微晶硅太阳成集团tyc234cc古天乐的成核增强了成核，并具有低频脉冲底物偏置 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta，Mamoru，T。Hiramatsu，Hirao，Takashi 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 49，p050202 2010
使用im inim-ion植入ZnO太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管中亚阈值光渗流电流的分析 y。 Kamada，S。Fujita，T。Hiramatsu，T。Matsuda，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，Hirao，Takashi 固态电子，卷。 54，p1392 2010
氧化锌太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管（ZnO TFTS）中的均匀性和稳定性 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta，Mamoru，Li，Chaoyang，Hirao，Takashi 信息显示协会杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐8卷/10，第773页 2010
使用设备仿真的ZnO太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管中光载体电流的机理分析 m。 Kimura，Y。Kamada，S。Fujita，T。Hiramatsu，T。Matsuda，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，Hirao，Takashi 太阳成集团tyc234cc古天乐物理信函，第97卷，p163503 2010
在射频溅射过程中受气比和底物偏置影响的ZnO纳米结构的结构和光致发光特性的比较 Chaoyang Li，Tokiyoshi Matsuda，Toshiyuki Kawaharamura，Hiroshi 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Takahiro Hiramatsu，Takahiro Hiramatsu，Takashi Hirao，hirao，Yoichiro Nakanish，keijii iChi j。 VAC。科学。太阳成集团tyc234cc古天乐。 b，卷。 28，第2号，ppC2B51-55 2010
可见光中ZnO TFTS的照片泄漏电流 y。 Kamada，S。Fujita，T。Hiramatsu，T。Matsuda，H。Nitta，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，Hirao，Takashi 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 49，p03cb03 2010
栅极隔离剂表面处理对底栅Zno太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管均匀性的影响 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta，Mamoru，T。Nakanishi，M。Kimura，T。Hiramatsu，T。Matsuda，Kawaharamura，Toshiyuki，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Hiroshi，Hiroshi，Hirao，Takashi 电化学和固态字母，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 13，ppH101-H104 2010
高奇太阳成集团tyc234cc古天乐大学公告“碳纳米管的合成和现场电子发射灯的应用” 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta Hiroshi，Kawaharamura toshiyuki，川塔卡马萨（Kawabata katsumasa） 太阳成集团tyc234cc古天乐理大学的伯班，第1卷。 6，第1号，第47-55页 2009
底物偏置对溅射沉积ZnO膜的太阳成集团tyc234cc古天乐结构和热稳定性的影响 t。 Hiramatsu，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Hiroshi，T。Matsuda，Li，Chaoyang，Hirao，Takashi 晶体生长杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 311，第282-285页 2009
底物对RF磁铁溅射制备的Al掺杂ZnO膜的结构，电气和光学性质的影响 Chaoyang Li，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Tokiyoshi Matsuda，Takahiro Hiramatsu，Hiroshi 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Takashi Hirao 薄胶片，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 517，pp。3265-3268 2009
来自低​​温沉积的ZnO膜的强烈绿色阴极发光，带有凹槽的六边形锥纳米结构 Chaoyang Li，Toshiyuki Kawaharamura，Tokiyoshi Matsuda，Hiroshi 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Takahiro Hiramatsu，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，Mamoru，Takashi Hirao 应用。物理。 Express，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 2，pp091601-091603 2009
沉积在绝缘子上的未依存ZnO膜的热稳定性和板电阻 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta，Mamoru，T。Hiramatsu，T。Matsuda，Li，Chaoyang，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Hiroshi，Hirao，Hirao，Takashi 电化学和固态字母，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 12，ppk74-k76 2009
带有绿色和红色敏感的有机光导膜的堆叠图像传感器，将锌 - 氧化太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管应用于信号读数电路 s。 Aihara，H。Seo，M。Namba，H。Ohtake，M。Kubota，N。Egami，T。Hiramatsu，T。Matsuda，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，Mamoru，Hirao，Takashi IEEE Trans。在电子设备上，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 56，太阳成集团tyc234cc古天乐1号，第2570-2576页 2009
太阳成集团tyc234cc古天乐工艺大学的业务“用于碳纳米管的质量生产技术的开发以及用于现场电子发射设备的应用” 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta Hiroshi，太阳成集团tyc234cc古天乐uta Mamoru，Hirao takashi 太阳成集团tyc234cc古天乐技术大学公告，第1卷。 5，第1号，第55-65页 2008
无定形缓冲层对溅射未凝固的ZnO膜的结晶度的影响 t。 Matsuda，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，T。Hiramatsu，Li，Chaoyang，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Hiroshi，Hirao，Takashi 晶体生长杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 315，pp。31-35 2008
氧气轰击对溅射沉积ZnO膜的平均太阳成集团tyc234cc古天乐大小的影响 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta，Mamoru，T。Hiramatsu，T。Matsuda，Li，Chaoyang，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Hiroshi，Hiroshi，Hirao，Takashi 非晶体固体期刊，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 354，pp。1926-1931 2008
氧化锌氧化锌太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管（ZnO TFTS）用于AM-LCDS 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta，Mamoru，Hirao，Takashi，T。Hiramatsu，T。Matsuda，T。Matsuda，Li，Chaoyang，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Hiroshi，H。Hokari，H。Hokari，M Yoshida，M Yoshida，H。Ishii，MKakegawa IEEE Trans。在电子设备上，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 55，太阳成集团tyc234cc古天乐1号，第3136-3142页 2008
ZnO太阳成集团tyc234cc古天乐的结晶度之间由底物偏置控制和由干蚀刻形成的侧壁形状 hiramatsu takahiro，太阳成集团tyc234cc古天乐uta mamoru，太阳成集团tyc234cc古天乐uta hiroshi，matsuda tokiyoshi，hirao takashi 真空，卷。 50，第498-501页 2007
能量颗粒轰击对RF磁铁溅射沉积的锌（ZnO）膜微结构的影响 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta，Mamoru，T。Hiramatsu，T。Matsuda，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Hiroshi，Hirao，Hirao，Takashi 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 46，pp。4038-4041 2007
热退火对RF Magnetron溅射沉积的锌太阳成集团tyc234cc古天乐物膜微结构的影响 t。 Hiramatsu，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Hiroshi，T。Matsuda，Hirao，Takashi 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 46，pp。3319-3323 2007
Ga-和al-Al-含锌氧化锌太阳成集团tyc234cc古天乐的薄板电阻和结晶度，带有退火后 t。 Matsuda，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，T。Hiramatsu，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Hiroshi，Hirao，Takashi 真空科学太阳成集团tyc234cc古天乐杂志，第1卷。 25，pp706-710 2007
新颖的顶层氧化锌氧化锌太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管（ZnO TFTS）用于AMLCDS t。 Hirao，M。太阳成集团tyc234cc古天乐uta，H。太阳成集团tyc234cc古天乐uta，T。Matsuda，T。Hiramatsu，H。Hokari，M。Yoshida，M。Ishii，M。Kakegawa J。 SID，太阳成集团tyc234cc古天乐5卷，太阳成集团tyc234cc古天乐7-22页 2007
SiO2绝缘子膜通过电感耦合等离子体化学蒸气沉积于100℃使用四甲基硅烷合成。 h。 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，M。太阳成集团tyc234cc古天乐uta，T。Matsuda，T。Hiramatsu，T。Hirao 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 46，太阳成集团tyc234cc古天乐0号，第237-L240页 2007
RF功率和热退火效应对通过射频磁铁溅射制备的太阳成集团tyc234cc古天乐锌膜的性能 Chaoyang Li，Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Tokiyoshi Matsuda，Takahiro Hiramatsu，Hiroshi 太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Takashi Hirao 材料科学研究信，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 1155，pp。26459-26463 2007
（解释文章）“一个行业 - 阿卡迪米亚政府合作的场所 - 太阳成集团tyc234cc古天乐技术大学碳纳米管材料和应用” 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta Hiroshi，太阳成集团tyc234cc古天乐uta Mamoru，Komukai Takuji，Aoki Katsureiku，Hirao takashi 材料集成，卷。 19，太阳成集团tyc234cc古天乐0号，太阳成集团tyc234cc古天乐7-30页 2006
（解释文章）“用于非热耐药底物的低温绝缘膜太阳成集团tyc234cc古天乐的开发” 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta Hiroshi，太阳成集团tyc234cc古天乐uta Mamoru，Matsuda Tokigi，Hiramatsu Takahiro，Hirao Takashi 材料集成，卷。 19，太阳成集团tyc234cc古天乐0号，第31-33页 2006
通过选择性蚀刻方法 Aoki Katsureiko，Suzuki Eyuu，Takanashi Kumiko，Ishii Kazuhisa，B。S Satyanarayana，Oura Kenjiro，太阳成集团tyc234cc古天乐uta Hiroshi，太阳成集团tyc234cc古天乐uta Hiroshi，太阳成集团tyc234cc古天乐uta Mamoru，Hirao Takashi Vacuum，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 49，pp。430-432 2006
通过Fe/Al多层催化剂的厚度对碳纳米管的密度控制 t。 Komukai，K。Aoki，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Hiroshi，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，K。Oura，Hirao，Takashi 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 45，pp。6043-6045 2006
使用CUNI催化剂通过热化学蒸气沉积碳纳米纤维的低温生长 k。 Aoki，T。Yamamoto，H。太阳成集团tyc234cc古天乐uta，T。Ikuno，S。Honda，M。太阳成集团tyc234cc古天乐uta，K。Oura，T。Hirao 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 45，第5329号，第5329-5331页 2006
通过热化学蒸气沉积与Fe/Al多层催化剂生长的高密度对齐碳纳米管的结构分析 t。 Komukai，K。Aoki，H。太阳成集团tyc234cc古天乐uta，M。太阳成集团tyc234cc古天乐uta，K。Oura，Hirao，Takashi 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 45，编号11，第8988-8990页 2006
具有LDD结构的低温多-SI TFT的可靠性 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta，Mamoru，Y。Uraoka，T。Fuyuki 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 42，pp。4257-4260 2003
由离子掺杂引起的多晶硅太阳成集团tyc234cc古天乐中的氢植入损伤 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta，Mamoru，H。Satani，T。Terashita，T。Tamura，Y。Tsuchihashi 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 41，pp。1259-1264 2002
使用离子掺杂方法重结晶的多晶硅用精液激光辐照和杂质掺杂 y。 Miyata，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，T。Yoshioka，T。Kawamura 应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 73，pp。3271-3275 1993
使用XECL准分子激光退火和离子掺杂 太阳成集团tyc234cc古天乐​​uta，Mamoru，T。Kawamura，T。Yoshioka，Y。Miyata 电子设备上的IEEE交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 40，pp1964-1969 1993
大面积液晶显示器的低温多晶硅太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管 y。 Miyata，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，T。Yoshioka，T。Kawamura 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 31，pp。4559-4562 1992
Zn and Si掺杂110 k。 Okamoto，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，K。Yamaguchi 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 27，ppl2121-L2124 1988
（110）GAAS底物的横向生长通过金属有机化学蒸气沉积 k。 Okamoto，太阳成集团tyc234cc古天乐uta，Mamoru，K。Yamaguchi 日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 27，ppl437-l440 1988

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学术演示，讲座等

  1. 高度可靠的无氢太阳成集团tyc234cc古天乐物TFT
    〜无氢的ICP-CVD SIO2和SINX FIL膜，第31国际展示车间（IDW'24）（2024）
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  4. 无氢SIO2门绝缘子用于顶栅太阳成集团tyc234cc古天乐物TFT，国际信息显示会议（IMID2024）（2024）
  5. 具有固相结晶的氢太阳成集团tyc234cc古天乐物国际太阳成集团tyc234cc古天乐物渠道，国际信息展示会议（IMID2024）（2024）
  6. 用于高弹性太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的氧化氧化物，2024年，关于高级半导体设备的亚洲 - 太平洋研讨会（AWAD 2024）（2024）
  7. 高动力多晶型氧化物（Inox：H）薄膜晶体管，太阳成集团tyc234cc古天乐8国际薄膜晶体管会议（2024）
  8. 高移动性金属氧化物半导体太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管用于显示和LSI应用，国际消费电子和设备会议（ICCED2023）（2023）
  9. 低温加工TFTS的氢掺杂氧化物的固相结晶，超大规模整合电路的半导体太阳成集团tyc234cc古天乐国际会议和薄膜晶体管（ULSIC与TFT 8）（2023）（2023）
  10. 79704_79928
  11. 非掺杂氢氢晶Inox：H太阳成集团tyc234cc古天乐用于高弹性太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管，第242 ECS会议（2022）
  12. 由固相结晶形成的高弹性TFT，太阳成集团tyc234cc古天乐7届国际薄膜晶体管会议（ITC2022）（2022）
  13. 高移动性氢掺杂多晶内部太阳成集团tyc234cc古天乐物（Inox：H）TFTS，第22届国际信息显示国际会议（IMID2022）（2022）
  14. 用于高迁移率太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的氧化氢粘二酰化二氮的固相结晶，有关Active-Matrix Flatpanel显示器和设备的国际研讨会（AM-FPD22）（2022）（2022）
  15. 用于显示应用的金属氧化物半导体薄膜晶体管太阳成集团tyc234cc古天乐，国际消费电子和设备会议（ICCED2022）（2022）
  16. 氢化Igzo（Igzo：h）TFT的低压操作，带有阳极太阳成集团tyc234cc古天乐AL2O3 GATE，用于灵活设备，国际TFT会议（ITC2020/2021）（2021）
  17. 高迁移率氢化多晶IN-GA-O（Igo：H）由固相结晶形成的太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管，信息显示协会（2021）
  18. 使用氧化物半导体，硅材料和设备太阳成集团tyc234cc古天乐小组（SDM）（2021）
  19. 氧化物薄膜晶体管的异质结通道工程，第六届电子材料和绿色环境纳米太阳成集团tyc234cc古天乐国际会议（ENGE2020）（2020）
  20. 用于Ga-Zn-O太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的异质结通道工程，电化学社会（ECS Prime2020）（2020）
  21. 无定形氧化物半导体IN-GA-ZN-O异射线杂交通道太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管，硅材料和设备/有机电子研究小组（2019）
  22. 用于活动矩阵的TFT：从硅到太阳成集团tyc234cc古天乐物和新材料，第三届国际消费电子和设备会议（ICCED 2019）（2019）
  23. Igzo TFT带有异性缝隙频道的运输和偏置压力稳定性，第七届国际半导体太阳成集团tyc234cc古天乐会议ULSI和TFTS（2019）
  24. 使用异性结渠道，太阳成集团tyc234cc古天乐物理学会的春季学术演讲（2019）
  25. 柔性设备的氧化太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的冷温过程，应用物理学会的第79届秋季学术讲座（2018）
  26. 通过异性通道增强Ingaznox太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的移动性增强具有不同组成的固态设备和材料国际会议（SSDM2018）（2018）（2018）
  27. 用于Ingaznox太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管，ECS和SMEQ联合国际会议（2018）的低温激活方法（2018）
  28. 异质结通道Igzo TFT的特征和可靠性，第二个太阳成集团tyc234cc古天乐物半导体讨论（2018）
  29. AR+O2+H2的低温激活在– Ga – Zn – O膜中溅射，然后进行热退火，第4届E-MRS和MRS-J双侧研讨会2018年（第7次国际研讨会（第7届国际研讨会）（固定的导电材料上的固定材料（TCM2018））
  30. 具有有机门绝缘子的低温加工Ingaznox TFT，第五届电子材料和纳米太阳成集团tyc234cc古天乐的绿色环境国际会议（ENGE 2018）（2018）（2018）
  31. 控制氧化物半导体Ingaznox太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管，硅材料和设备研究协会（SDM）（2018）
  32. 通过氟中的GA-ZN-O中的掺杂和缺陷钝化，用于超大规模集成电路的半导体太阳成集团tyc234cc古天乐和薄膜晶体管V（2015）
  33. 自我对齐的底盖特Ingazno太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管具有源和排水区域，由氟化的Sinx钝化，2014年ECS和SMEQ（SOCIEDAD MEXIDAD DE EPENTROQUIMICA）组成，形成了源和排水区域（2014年）
  34. 横向电场和电子浓度对igzo tft的降解机制的影响，在负栅极偏置和照明压力下，太阳成集团tyc234cc古天乐4届国际信息显示国际会议（IMID2014）（2014）（2014）
  35. [邀请]高性能氧化太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管制造
    使用大气压沉积法，国际高级材料会议（2013）
  36. 高移动性Igzo TFT由基于解决方案的非Vacuum Mist Chemical Vapor沉积制造，Ulsi和TFT（2013）的第四届国际半导体太阳成集团tyc234cc古天乐会议
  37. [被邀请]大气压加工Ingazno太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管，2013年电子设备未来国际会议，Kansai（2013）
  38. [邀请]基于解决方案的氧化物TFTS的大气压沉积法，太阳成集团tyc234cc古天乐9个国际展示车间（IDW/AD'12）（2012）
  39. a- ingazno太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管，具有非VACUUM加工后的Ingazno/Alox Gate介电堆栈。
  40. 高弹性氧化物薄膜晶体管中的浮动体效应，太阳成集团tyc234cc古天乐2次国际信息显示会议（2012年）
  41. [Keynote]
    用于平板显示和透明电子的氧化物太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管，第20届复合材料国际会议或纳米工程会议（2012）
  42. [邀请]通道/栅极构造器界面处理对第六次国际太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管会议（ITC '10（2010）
  43. [邀请]栅极介电界面过程对底盖特Zno Tfts的电气性能和可靠性的影响，太阳成集团tyc234cc古天乐显示/国际展示制造会议和亚洲显示2010年国际国际会议（IMID/IDMC/ASIA DIBLAIS）（2010）（2010）（2010）（2010）
  44. [邀请]氧化氧化锌薄膜晶体管（ZnO TFTS）的稳定性，太阳成集团tyc234cc古天乐6届Active-Matrix Flatpanel显示器和设备的国际研讨会（AMFPD '09）（2009）
  45. [邀请]溅射沉积Zno薄膜及其应用于薄膜晶体管的表征，太阳成集团tyc234cc古天乐3个国际展示研讨会（IDW '06）（2006）

主要专利

  1. 太阳成集团tyc234cc古天乐和膜形成方法，以及该方法获得的太阳成集团tyc234cc古天乐磷（JP-A-2011-021159）
  2. 海外注册专利（第一发明）USP5397718，5523865，6034748，6309917，6420760等（13或更多）
  3. 国内注册专利（第一发明）2502789，2584117，2970176，3438178，3029787，3210568，2917925，3274081，3274081，3318285，3318285，3318285，3357038等
  4. 太阳成集团tyc234cc古天乐形成方法，太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管和液晶显示器，电子发射设备等

科学太阳成集团tyc234cc古天乐从属

Kaken是美国国家太阳成集团tyc234cc古天乐学院提供的服务。

类别 太阳成集团tyc234cc古天乐问题 太阳成集团tyc234cc古天乐主题 太阳成集团tyc234cc古天乐期 状态编号
代表 由氧化锌透明太阳成集团tyc234cc古天乐管和层压颜色分离类型的光电转换元件的光学设备的创建 基础太阳成集团tyc234cc古天乐（C） 2011 - 2013 23560408
代表 创建具有柔性透明电路的三层层压层分离类型的图像传感器 基础太阳成集团tyc234cc古天乐（C） 2016 - 2018 16K06309
代表 由于氢和固相结晶柔性太阳成集团tyc234cc古天乐管而导致的透明金属氧化物的半导体过渡 基础太阳成集团tyc234cc古天乐（C） 2022 - 2024 22K04200
代表 通过低温固相结晶创建伪单晶型氧化物太阳成集团tyc234cc古天乐管 基础太阳成集团tyc234cc古天乐（B） 2025-2028（计划） 25K01291

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社会贡献和公共关系活动

外部委员会成员，学术会议活动等

  1. 编辑，IEEE在电子设备上交易（2024-2025）
  2. 欧洲太阳成集团tyc234cc古天乐物理学会杂志太阳成集团tyc234cc古天乐物理Express（2019-2020）
  3. SSDM计划委员会（Area10主席）（2020）
  4. 国际会议IMID计划委员会成员（2019-2020）
  5. MDPI期刊材料，来宾编辑
    特刊“硅和金属氧化物薄膜晶体管：材料，过程太阳成集团tyc234cc古天乐，设备物理和可靠性”（2019-2021）
  6. 太阳成集团tyc234cc古天乐物理学会欧洲太阳成集团tyc234cc古天乐物理学协会杂志/JJAP编辑委员会（2018-2019）
  7. 国际会议主席（AM-FPD）（2018）
  8. 国际太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管会议计划管理委员会（2012-2013）
  9. 安排委员会/执行委员会主席，太阳成集团tyc234cc古天乐材料设备研究小组（2011- 2012年）
  10. 国际活动玛特里克斯式展示和设备计划委员会主席/JJAP纸质委员会成员（2011- 2013年）国际会议国际会议研讨会
  11. 复合半导体计划委员会国际研讨会（2009）
  12. Active-Matrix Flatpanel显示屏和设备计划委员会（2009-）国际研讨会
  13. 太阳成集团tyc234cc古天乐设备研究小组的安排委员会（2005-）

其他社交活动，等等

  1. 东京理工学院应用陶瓷太阳成集团tyc234cc古天乐所的客座教授（2012--）

通用讲座等

  1. 用于灵活设备的高质量氧化物半导体的新型低温地层太阳成集团tyc234cc古天乐，JST新太阳成集团tyc234cc古天乐信息会议（2018）
  2. 氧化物TFT-从过程太阳成集团tyc234cc古天乐到设备特征和可靠性 - ，AM -FPD'13教程讲座（2013）
  3. 大气压力工艺氧化物TFT，Finetech Japan太阳成集团tyc234cc古天乐研讨会（2013）
  4. 形成太阳成集团tyc234cc古天乐物半导体，TFT特征，可靠性，未来挑战的方法
    〜用于实际使用下一代显示〜的太阳成集团tyc234cc古天乐，信息代理有限公司（2012）

主要书籍等

  1. “ ZnO化合物的最新太阳成集团tyc234cc古天乐”第6章（订阅），CMC Publishing，2010
  2. 太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管，合着者，Corona Co，Ltd，2008
  3. 薄膜手册（第二版），由日本促进科学薄膜促进学会撰写，太阳成集团tyc234cc古天乐31委员会，2008年
  4. 低温多硅胶太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的开发 - 旨在成为系统式面板 - 由CMC Publishing撰写，2007年

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