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教授
太阳成集团tyc234cc古天乐 mamoru

出生年：1964
性别：男性
作业太阳成集团tyc234cc古天乐：

- 研究所董事
- 头，纳米技术中心
- 联合创新中心头，头部
隶属关系：

- 研究所
- 工程科学学院
- 环境科学与工程学院
- 工程研究生院工程系材料科学与工程学
- 研究所纳米技术中心
- 研究所共同创新中心
ResearchMap：https：//researchmapjp/m_太阳成集团tyc234cc古天乐0208418
“尖端研究和社会贡献”的文章：
https：//wwwkochi-techacjp/english/power/poper/research/flexible_transparent_electronics_reelectronics_realized_with_oxide_spematomenductorshtml

专业领域
实验室/研究办公室	高级材料和设备科学实验室高级设备和材料使我们能够改善生活质量和环境负荷。此外，设备科学对于增强材料功能是必不可少的。在这个实验室中，从物质到基于设备科学的半导体作为核心材料进行了各种各样的研究。我们的目的是通过高级功能设备来改善信息技术的生活质量。
当前的研究主题
教育背景
专业背景
许可
学术社会

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课程

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本科学校	功能电动设备工程物理和材料实验毕业论文本科生的个人工作固态物理2 半导体材料的物理学
研究生院	研究生的个人工作研讨会1 研讨会2 研讨会3 研讨会4 高级研讨会1 高级研讨会2 电气和设备的物理学

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研究活动

研究论文	太阳成集团tyc234cc古天乐：Naoki Okamoto，Wang Xiaoqian，Kotaro Morita，Yuto Kato，Alom Mir Mutakabbir，Magari Yusaku，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：增强模式多晶型氧化物氧化物薄膜晶体管的均匀性和可靠性，由固相结晶日记：IEEE电子设备Letters，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 45，太阳成集团tyc234cc古天乐2号，第2403-2406页，IEEE 年：2024 太阳成集团tyc234cc古天乐：Prashant R Ghediya，Yusaku Magari，Hikaru Sadahira，Takashi Endo，Mamoru Furuta，Yuqiao Zhang，Yusutaka Matsuo，Hiromichi Ohta 太阳成集团tyc234cc古天乐：可靠的高动作氧化物氧化物薄膜晶体管的可靠操作日记：小方法，第2400578-1-2400578-8 年：2024 Authors: Yuzhu Pan, Xin Wang, Yuhan Liao, Yubing Xu, Yuwei Li, Qing Li, Xiaobing Zhang, Jing Chen, Zhuoya Zhu, Zhiwei Zhao, Elias Emeka Elemike, Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐, Wei Lei 太阳成集团tyc234cc古天乐：外延钙钛矿单晶体稳定杂音，用于无滤器的超鼻涕带检测，可调频谱响应日记：ACS应用材料和接口，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 14（44），pp。50331-50342 年：2022 太阳成集团tyc234cc古天乐：Y Magari，W。Yeh，T。Ina，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：晶界散射对固相结晶的氢化多晶的现场效应迁移率的影响日记：纳米材料，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 12（17），第2958-1-2958-10页年：2022 太阳成集团tyc234cc古天乐：Yusaku Magari，Taiki Kataoka，Wenchang Yeh，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：高动力氢化多晶2o3（in2o3：h）薄膜晶体管日记：自然通讯，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 13，太阳成集团tyc234cc古天乐078-1-1078-8 年：2022 太阳成集团tyc234cc古天乐：Velichko Rostislav，Yusaku Magari，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：在柔性设备应用中低温退火时，氢掺杂的Ga-Zn-O（Igzo：H）膜中的缺陷钝化和载体还原机制日记：材料，卷。 15，太阳成集团tyc234cc古天乐号，第334-1-334-12页，MDPI 年：2022 太阳成集团tyc234cc古天乐：Taiki Kataoka，Yusaku Magari，Hisao Makino，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：非氧化物氧化二氧化物（Inox：h）薄膜由低温固相结晶形成，用于薄膜晶体管日记：材料，卷。 15，太阳成集团tyc234cc古天乐号，太阳成集团tyc234cc古天乐87-1-187-11页，MDPI 年：2021 太阳成集团tyc234cc古天乐：Hyo-eun Kim，Hye-Won Jang，Mamoru Furuta，Jeonghan Yoon，Saeroonter，OH，Sung-Min Yoon 太阳成集团tyc234cc古天乐：有机层间饮食对改善自我对准的Coclanar In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的机械灵活性的影响期刊：有机电子，卷。 96，太阳成集团tyc234cc古天乐06223-1-106223-7 年：2021 太阳成集团tyc234cc古天乐：Velichko Rostislav，Magari Yusaku，Hisao Makino，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：对添加适量氢对DC Magnetron溅射沉积锡氧化物膜特性的影响的研究杂志：日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 60，pp。055503-1-055503-6 年：2021 太阳成集团tyc234cc古天乐：Shuya Kono，Yusaku Magari，Marin Mari，S G Mehadi Aman，Norbert Fruehauf，Hiroshi Furuta，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：在–GA – Zn – O薄膜中氢化，具有阳极氧化和氟化的AL2O3栅极绝缘子，用于柔性设备杂志：日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 60，pp。SBBM05-1-SBBM05-6 年：2021 太阳成集团tyc234cc古天乐：Yusaku Magari，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：在–GA – Zn – O溅射过程中水和氢引入对低温加工薄膜晶体管的性能的影响杂志：日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 60，pp。SBBM04-1-SBBM04-5 年：2021 太阳成集团tyc234cc古天乐：Yusaku Magari，S G Mehadi Aman，Daichi Sasaki，Kentaro Masuda，Kenta Shimpo，Hisao Makino，Mutsumi Kimura，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：在–GA – Zn – O柔性Schottky Diodes中添加了记录高表现日记：ACS应用材料和界面，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 12，pp。47739-47746 年：2020 太阳成集团tyc234cc古天乐：Daichi Koretomo，Shuhei Hamada，Mari Mari，Yusaku Magari，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：通过将氢化的Igzo作为通道材料施加日记：应用物理Express，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 13，pp。076501-1-076501-4 年：2020 太阳成集团tyc234cc古天乐：Daichi Sasaki，Shuhei Hamada，Yusaku Magari，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：在–GA – Zn – O异型晶体管中的异形中的量子限制效应日记：材料，卷。 13，pp。1935-1-1935-12 年：2020 太阳成集团tyc234cc古天乐：Dapeng Wang，Mamoru Furuta，Shigekazu Tomai，Koki Yano 太阳成集团tyc234cc古天乐：了解温度和排水应力在具有各种活跃层厚度的insnzno TFT中的作用日记：纳米材料，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 10，第4号，第617-1-617-10页年：2020 太阳成集团tyc234cc古天乐：Yusaku Magari，S G Mehadi Aman，Daichi Sasaki，Kentaro Masuda，Kenta Shimpo，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：低温（150°C）处理的金属 - 触发器场效应晶体管具有氢化的– gA – Zn – O堆叠通道杂志：日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 59，pp。SGGJ04-1-SGGJ04-5 年：2020 太阳成集团tyc234cc古天乐：Hyo-eun Kim，Mamoru Furuta，Sung-Min Yoon 太阳成集团tyc234cc古天乐：一个自我对准的Coplanar In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的有机层间介电介电的便利掺杂过程日记：IEEE电子设备Letters，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 41，第3号，第393-396页年：2020 太阳成集团tyc234cc古天乐：Dapeng Wang，Dan Li，Wenjing Zhao，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：无定形Ingazno中的缺陷梯度控制，用于高性能薄膜晶体管杂志：物理学杂志D：应用物理学，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 53，pp。1351404-1-1351404-7 年：2020 太阳成集团tyc234cc古天乐：Ayata Kurasaki，Ryo Tanaka，Sumio Sugisaki，Tokiyoshi Matsuda，Daichi Sasaki，Yusaku Magari，Mamoru Furuta，Mutsumi Kimura 太阳成集团tyc234cc古天乐：具有不同氧气密度的双层的无定形GA-SN-O薄膜设备的回忆特性日记：材料，卷。 12，pp。3236-1-3236-8，MDPI 年：2019 太阳成集团tyc234cc古天乐：Dang Thai Giang，Martin Allen，Mamoru Furuta，Toshiyuki Kawaharamura 太阳成集团tyc234cc古天乐：在雾-CVD生长的氧化物半导体上制造的电子设备及其应用杂志：日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 58，p。 090606 年：2019 太阳成集团tyc234cc古天乐：Dapeng Wang，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：退火引起的不稳定性的定量分析杂志：贝尔斯坦纳米技术杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 10，太阳成集团tyc234cc古天乐125-1130页年：2019 太阳成集团tyc234cc古天乐：Mamoru Furuta，Daichi Koretomo，Yusaku Magari，S G Mehadi Aman，Ryonosuke Hiroshimashi，Shuhei Hamada 太阳成集团tyc234cc古天乐：杂项通道工程，以提高– ga – Zn – O薄膜晶体管中无定形的性能和可靠性杂志：日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 58，第9号，第090604-1-090604-9 年：2019 太阳成集团tyc234cc古天乐：Sol-Mi Kwak，Hyeong-Rae Kim，Hye-Won Jang，Ji-Hee Yang，Mamoru Furuta，Sung-Min Yoon 太阳成集团tyc234cc古天乐：使用解决方案处理的聚合物隔热器的GA-ZN-O薄膜晶体晶体管的偏置压力和长期系统的改进。期刊：有机电子，卷。 71，第7-13页年：2019 太阳成集团tyc234cc古天乐：C。J Koswaththage，T。Higashizako，T。Okada，T。Sadoh，Mamoru Furuta，B。S Bae，T。Noguchi 太阳成集团tyc234cc古天乐：蓝色激光二极管退火日记：AIP Advances，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 9，第4号，第045009-1-045009-5页年：2019 太阳成集团tyc234cc古天乐：Dapeng Wang，Wenjing Zhao，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：热预算退火和主动层缺陷内容的协作优化增强了电气特性和偏置应力稳定性，Ingazno薄膜杂志：物理学杂志D：Applied Physics，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 52，pp。235101-1-235101-6 年：2019 Authors: sumio sugisaki, tokiyoshi Matsuda, Mutsunori Ueuma, Toshihide Nabatame, Yasuhiko Nakashima, Takahito Imai, Yusaku Magari, Daichi Koretomo, Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐, Mustumi Kimura 太阳成集团tyc234cc古天乐：无定形GA-SN-O薄膜设备的回忆特性期刊：科学报告，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 9，pp。2757-1-2757-7 年：2019 太阳成集团tyc234cc古天乐：Daichi Koretomo，Yuta Hashimoto，Shuhei Hamada，Miki Miyanaga，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：SiO2钝化对电气性能的影响和– W – Zn – O薄膜晶体管的可靠性杂志：日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 58，太阳成集团tyc234cc古天乐号，第018003-1-018003-3页，日本应用物理学会年：2018 太阳成集团tyc234cc古天乐：Dapeng Wang，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：探索具有各种活性层厚度的无定形的Ingazno薄膜晶体管中的光片电流和光诱导的负偏置不稳定性杂志：贝尔斯坦纳米技术杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 9，pp。2573-2580 年：2018 太阳成集团tyc234cc古天乐：S G Mehadi Aman，Daichi Koretomo，Yusaku Magari，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：PE-CVD沉积温度和源气体对SIO2钝化对– ga – Zn – O薄膜晶体管的性能和可靠性的影响日记：电子设备上的IEEE交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 65，第8号，第3257-3263页，IEEE 年：2018 太阳成集团tyc234cc古天乐：Aman S G Mehadi，Yusaku Magari，Kenta Shimpo，Yuya Hirota，Hisao Makino，Daichi Koretomo，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：低温（150℃）AR+O2+H2的激活在Ga-Zn-O薄膜晶体管中溅射日记：应用物理Express，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 11，第8号，第0811101-1-0811101-4 年：2018 太阳成集团tyc234cc古天乐：Aman S G Mehadi，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：钝化膜密度与可靠性之间的相关性pf – ga – Zn – O薄膜晶体管杂志：日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 57，pp。088001-1-088001-2 年：2018 太阳成集团tyc234cc古天乐：Dapeng Wang，Wenjing Zhao，Hua Li，Mamoru Furuta 太阳成集团tyc234cc古天乐：排水压力诱导的不稳定在具有不同活性层厚度的无形Ingazno薄膜晶体管中日记：材料，卷。 11，第4号，第559-1-559-11页年：2018 太阳成集团tyc234cc古天乐：Mamoru Furuta，Yusaku Magari，Shinsuke Hashimoto，Kenichiro Hamada 太阳成集团tyc234cc古天乐：弹性设备应用程序applicatio 日记：ECS交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 79，太阳成集团tyc234cc古天乐号，第43-48页年：2017 太阳成集团tyc234cc古天乐：Tokiyoshi Matsuda，Kenta Umeda，Yuta Kato，Daiki Nishimoto，Mamoru Furuta，Mustumi Kimura 太阳成集团tyc234cc古天乐：无稀有金属的高性能GA-SN-O薄膜晶体管期刊：科学报告，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 7，第7页。 44326 年：2017 太阳成集团tyc234cc古天乐：Wang Dapeng，Jiang Jingxin，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：对氟掺杂的N+-in-in – Zn-O中的载体生成机制的研究杂志：IEEE展示技术杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 12，第3号，第258-262页，IEEE 年：2016 太阳成集团tyc234cc古天乐：Kahori Kise，Mami Fujii，Satoshi Urakaswa，Haruka Yamazaki，Emi Kawashima，Shigekazu Tomai，Koki Yano，Koki Yano，Wang Dapeng，Wang Dapeng，Furuta Mamoru，furuta Mamoru，Yasuaki Ishikiihikihihihihihiharuuuu 太阳成集团tyc234cc古天乐：在动态压力下自热诱导的氧化物薄膜晶体管的不稳定性日记：应用物理信函，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 108，p。 023501 年：2016 太阳成集团tyc234cc古天乐：Furuta Mamoru，Jiang Jingxin，Mai Phi Hung，Tatsuya Toda，Wang Dapeng，Gengo Tatsuoka 太阳成集团tyc234cc古天乐：通过氟papassiviviviviviviviviviviviviviving In-Zn-o薄膜晶体管抑制负门偏置和照明应力降解杂志：ECS固态科学技术杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 5，第3号，pp。Q88-Q91 年：2016 太阳成集团tyc234cc古天乐：Mai Phi Hung，Wang Dapeng，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：替代电流（ac-）门偏置的起源改善了Igzo TFT的NBIS稳定性期刊：ECS固态字母，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 4，太阳成集团tyc234cc古天乐2号，第66-Q68页，电化学学会年：2015 太阳成集团tyc234cc古天乐：G。T Dang，Kawaharamura Toshiyuki，Furuta Mamoru，M。W Allen 太阳成集团tyc234cc古天乐：MIST-CVD种植Sn掺杂的α-GA2O3 Mesfets 日记：电子设备上的IEEE交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 62，编号11，第3640-3644页年：2015 太阳成集团tyc234cc古天乐：Y Koga，T。Matsuda，M。Kimura，Wang Dapeng，Furuta Mamoru，M。Kasami，STomai，K。Yano 太阳成集团tyc234cc古天乐：使用无定形的sn-Zn-o thin-filmtransistors的集成触摸板的频率调制电容传感器期刊：电子杂志《电子杂志》，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 E98-C，太阳成集团tyc234cc古天乐1页，太阳成集团tyc234cc古天乐028-1031页年：2015 太阳成集团tyc234cc古天乐：Mai Phi Hung，Wang Dapeng，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：通过电导方法– ga – Zn – O TFT的正偏置压力稳定性的调查对正偏应力稳定性的研究日记：电子设备上的IEEE交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 62，编号11，第3697-3702页年：2015 太阳成集团tyc234cc古天乐：G。T Dang，Kawaharamura Toshiyuki，Furuta Mamoru，S。Saxena，M。W Allen 太阳成集团tyc234cc古天乐：In-Zn-O In-Zn-o金属 - 触发器野外效应 - 在偏置，照明和温度压力下的稳定性日记：应用物理信，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 107，pp。143504-1-143504-5 年：2015 太阳成集团tyc234cc古天乐：Furuta Mamoru，Jiang Jingxin，Gengo Tatsuoka，Wang Dapeng 太阳成集团tyc234cc古天乐：（被邀请）掺杂和缺陷在GA-Zn-O中均通过氟日记：ECS Transaction，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 67，编号（1），第41-49页年：2015 太阳成集团tyc234cc古天乐：Jiang Jingxin，Tatsuya Toda，Mai Phi Hung，Wangdapeng，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：在正门偏置和温度压力下– ga – zn – o薄膜晶体管中高度稳定的氟氟化日记：应用物理Express，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 7，太阳成集团tyc234cc古天乐14103-01-114103-4 年：2014 太阳成集团tyc234cc古天乐：Tatuya Toda，Wangdapeng，Jiang Jingxin，Mai Phi Hung，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：氢从薄膜晶体管上的–GA – Zn – O中的氢扩散层中氢扩散层的氢扩散的效果的定量分析日记：电子设备上的IEEE交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 61，编号11，第3762-3767页年：2014 太阳成集团tyc234cc古天乐：Furuta Mamoru，Kawaharamura Toshiyuki，Takayuki Uchida，Wangdapeng，Sanada Masaru 太阳成集团tyc234cc古天乐：高性能解决方案处理的Ingazno薄膜晶体管由臭氧辅助大气压力雾沉积杂志：展示技术杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 10，编号11，第934-938页，IEEE 年：2014 太阳成集团tyc234cc古天乐：Jiang Jingxin，Furuta Mamoru，Wangdapeng 太阳成集团tyc234cc古天乐：自我对准的底栅IN-GA-ZN-O薄膜晶体管，由源/排水区域直接沉积硝酸盐日记：IEEE电子设备信件，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 35，第9号，第933-935页年：2014 太阳成集团tyc234cc古天乐：Mai Phi Hung，Wangdapeng，Tatsuya Toda，Jiang Jingxin，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：漏洞和缺陷创造的定量分析杂志：ECS固态科学技术杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 3，第9号，pp。Q3023-Q3026 年：2014 太阳成集团tyc234cc古天乐：Wangdapeng，Mai Phi Hung，Jiang Jingxin，Tatuya Toda，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：通过施加阴性排水偏置而在无定形的Ingazno薄膜晶体管中受负的门偏置和照明应力引起的降解的抑制日记：ACS应用材料与界面，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 6，第8号，第5713-5718页年：2014 太阳成集团tyc234cc古天乐：Mai Phi Hung，Wangdapeng，Jiang Jingxin，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：Ingazno薄膜晶体管的后通道接口处的负偏见和照明应力诱发电子捕获日记：ECS固态字母，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 3，第3号，pp。Q13-Q16 年：2014 太阳成集团tyc234cc古天乐：Wangdapeng，Mai Phi Hung，Jiang Jingxin，Tatsuya Toda，Li Chaoyang，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：排水偏见对无定形的Ingazno薄膜晶体管中的负面偏差和照明应力降解的影响杂志：日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 53，pp。03cc01-1-03cc01-4 年：2014 太阳成集团tyc234cc古天乐：卡瓦哈拉穆拉·托希库（Kawaharamura Toshiyuki），塔卡尤木（Takayuki Uchida），Sanada Masaru，furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：通过MIS化学蒸气沉积而生长的Alox的生长和电性能日记：AIP Advances，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 3，pp。032135-1-032135-9 年：2013 太阳成集团tyc234cc古天乐：Satoshi Urakawa，Shigekazu Tomai，Yoshihiro ueoka，Haruka Yamazaki，Masashi Kasami，Koki Yano，Wangdapeng，Furuta Mamoru，Masahiro Horita Horita Horita，Yasahira Horita，Yasuaki Ishikihaaki Ishiharua 太阳成集团tyc234cc古天乐：通过焦耳加热和热载体效应的组合降解的无定形氧化物薄膜的热分析日记：应用物理信函，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 102，pp。053506-1-053506-4 年：2013 太阳成集团tyc234cc古天乐：Tatsuya Toda，Kawaharamura Toshiyuki，Frusawa Hiroshi，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：使用单壁碳纳米管的介电疗程组装日记：ECS Transactions，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 50，第8号，第223-228页年：2012 太阳成集团tyc234cc古天乐：Furuta Mamoru，Kawaharamura Toshiyuki，Tatsuya Toda，Wangdapeng 太阳成集团tyc234cc古天乐：a-ingazno薄膜晶体管，带有非Vacuum处理的Ingazno/Alox Gate Dialectric Stack 日记：ECS Transactions，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 50，第8号，第95-100页年：2012 太阳成集团tyc234cc古天乐：Shin-Ichi Shimakawa，Wangdapeng，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：锌氧化锌薄膜晶体管的照片引起的负偏置不稳定杂志：日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 51，太阳成集团tyc234cc古天乐0页，太阳成集团tyc234cc古天乐08003-1-108003-2页年：2012 太阳成集团tyc234cc古天乐：Furuta Mamoru，Kawaharamura Toshiyuki，Wangdapeng，Tatsuya Toda，Hirao Takashi 太阳成集团tyc234cc古天乐：带有im依 - 甲状腺氧化物通道的薄膜晶体管的电性能和由基于溶液的大气压力日记：IEEE电子设备信件，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 33，第6号，第851-853页，IEEE 年：2012 太阳成集团tyc234cc古天乐：kawaharamura toshiyuki，tai jan dan，furuta mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：导电的成功增长高度结晶的SN掺杂A-GA2O3薄膜，通过细通道雾化学蒸气沉积杂志：日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 51，第040207-1-040207-3，日本应用物理学会年：2012 太阳成集团tyc234cc古天乐：T。Nishida，K。Fuse，Furuta Mamoru，Y。Ishikawa，Y。Uraoka 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太阳成集团tyc234cc古天乐：（110）GAAS底物通过金属有机化学蒸气沉积杂志：日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 27，pp。l437-l440 年：1988 太阳成集团tyc234cc古天乐：K。Okamoto，Furuta Mamoru，K。Yamaguchi 太阳成集团tyc234cc古天乐：110 杂志：日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 27，pp。L2121-L2124 年：1988
主题演讲	高移动性金属氧化物半导体薄膜晶体管用于显示和LSI应用，2023 用于展示应用的金属氧化物半导体薄膜晶体管技术，国际消费电子和设备会议（ICCED2022），中国南京（在线），在线（在线），2022年
邀请的讲座	高性能和可靠的多晶氧化物氧化物薄膜晶体管，2024 掺杂氧化物氧化二晶型薄膜晶体管，ECS Prime2024，Honolulu，2024 具有固相结晶的氢氧化物国际氧化物渠道，国际信息展示会议（IMID2024），韩国济州岛，2024 用于高弹性薄膜晶体管的氧化氧化物，2024年，高级半导体设备的亚太地区研讨会（AWAD 2024），韩国Gangneung-Wonju National University，2024年，2024年，2024年高动力多晶型氧化物（Inox：H）薄膜晶体管，太阳成集团tyc234cc古天乐8国际薄膜晶体管会议，韩国Kaist，2024 低温加工TFT的氢氧化氧化物的固相结晶，2023 非掺杂氢的多晶Inox：H薄膜用于高弹性薄膜晶体管，242届ECS会议，美国亚特兰大，2022年由固相结晶形成的高动力TFT，太阳成集团tyc234cc古天乐7届国际薄膜晶体管会议（ITC2022），英国萨里大学，英国，2022 高移动性氢掺杂多晶内部氧化物（Inox：H）TFTS，第22届国际信息显示国际会议（IMID2022），韩国，韩国，2022年用于高迁移率薄膜晶体管的氧化二氮（Inox：H）的固相结晶，有关Active-Matrix Flatpanel显示器和设备的国际研讨会（AM-FPD22），京都，日本，日本，20222 氢化Igzo（Igzo：h）TFT的低压操作，带有阳极氧化AL2O3 GATE，用于灵活设备的dieElectric，国际TFT会议（ITC2020/2021），中国，2021 氧化物薄膜晶体管的异质结通道工程，混合动力，2020 用于GA-Zn-O薄膜晶体管的异径渠道工程，在线，2020年活跃矩阵的TFTS：从硅到氧化物和新材料，第三届国际消费电子和设备会议（ICCED 2019），Nanjing，Chian，Chian，2019 Igzo TFT与异性结通道的载体运输和偏置应力稳定性，第七届国际乌尔西和TFTS半导体技术会议，日本京都，日本，2019年带有有机门绝缘子的低温加工Ingaznox TFT，第五届电子材料和纳米技术的绿色环境国际会议（ENGE 2018），韩国耶稣，2018 AR+O2+H2的低温激活施加了Ingaznox膜，然后进行热退火，第4届E-MRS和MRS-J双边研讨会2018（第七届国际电导材料透明国际研讨会（TCM2018），Cretece，Cretece，Greece，Greeece，Greeece，Greece，2018 用于Ingaznox薄膜晶体管的低温激活方法，ECS和SMEQ联合国际会议，墨西哥坎昆，2018年
奖励	特别认可奖，信息显示协会，2021 Apex/JJAP编辑贡献奖，日本应用物理学会，2017年
日本政府的科学研究赠款	项目太阳成集团tyc234cc古天乐：氧化锌透明晶体管及其应用于堆叠的图像传感器类别：科学研究授予授予额（C）项目编号：23560408 项目期间：2011-2013 总预算金额：5,330,000日元关键字：项目太阳成集团tyc234cc古天乐：堆叠图像传感器应用程序的灵活和透明电路类别：科学研究授予授予额（C）项目编号：16K06309 项目期间：2016-2018 总预算金额：4,810,000日元关键字：项目太阳成集团tyc234cc古天乐：伪单晶晶体氧化二晶晶体管由低温固相结晶类别：科学研究授予授予额（b）项目编号：25K01291 项目期间：2025-2028 总预算金额：18,720,000日元关键字：

您可以看到带有侧面滑动的桌子的延续。

社交活动

委员会角色	IMID 2019，2019-2020 材料，来宾编辑日本应用物理学会Apex/Jjap的编辑，2018-2019

您可以看到侧面滑动的桌子的延续。

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