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太阳成集团tyc234cc古天乐：通过氟papassiviviviviviviviviviviviviviving In-Zn-o太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管抑制负门偏置和照明应力降解杂志：ECS固态科学技术杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 5，第3号，pp。Q88-Q91 年：2016 太阳成集团tyc234cc古天乐：Mai Phi Hung，Wang Dapeng，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：替代电流（ac-）门偏置的起源改善了Igzo TFT的NBIS稳定性期刊：ECS固态字母，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 4，太阳成集团tyc234cc古天乐2号，第66-Q68页，电化学学会年：2015 太阳成集团tyc234cc古天乐：G。T Dang，Kawaharamura Toshiyuki，Furuta Mamoru，M。W Allen 太阳成集团tyc234cc古天乐：MIST-CVD种植Sn掺杂的α-GA2O3 Mesfets 日记：电子设备上的IEEE交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 62，编号11，第3640-3644页年：2015 太阳成集团tyc234cc古天乐：Y Koga，T。Matsuda，M。Kimura，Wang Dapeng，Furuta Mamoru，M。Kasami，STomai，K。Yano 太阳成集团tyc234cc古天乐：使用无定形的sn-Zn-o thin-filmtransistors的集成触摸板的频率调制电容传感器期刊：电子杂志《电子杂志》，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 E98-C，太阳成集团tyc234cc古天乐1页，太阳成集团tyc234cc古天乐028-1031页年：2015 太阳成集团tyc234cc古天乐：Mai Phi Hung，Wang Dapeng，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：通过电导方法– ga – Zn – O TFT的正偏置压力稳定性的调查对正偏应力稳定性的研究日记：电子设备上的IEEE交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 62，编号11，第3697-3702页年：2015 太阳成集团tyc234cc古天乐：G。T Dang，Kawaharamura Toshiyuki，Furuta Mamoru，S。Saxena，M。W Allen 太阳成集团tyc234cc古天乐：In-Zn-O In-Zn-o金属 - 触发器野外效应 - 在偏置，照明和温度压力下的稳定性日记：应用物理信，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 107，pp。143504-1-143504-5 年：2015 太阳成集团tyc234cc古天乐：Furuta Mamoru，Jiang Jingxin，Gengo Tatsuoka，Wang Dapeng 太阳成集团tyc234cc古天乐：（被邀请）掺杂和缺陷在GA-Zn-O中均通过氟日记：ECS Transaction，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 67，编号（1），第41-49页年：2015 太阳成集团tyc234cc古天乐：Jiang Jingxin，Tatsuya Toda，Mai Phi Hung，Wangdapeng，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：在正门偏置和温度压力下– ga – zn – o薄膜晶体管中高度稳定的氟氟化日记：应用物理Express，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 7，太阳成集团tyc234cc古天乐14103-01-114103-4 年：2014 太阳成集团tyc234cc古天乐：Tatuya Toda，Wangdapeng，Jiang Jingxin，Mai Phi Hung，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：氢从薄膜晶体管上的–GA – Zn – O中的氢扩散层中氢扩散层的氢扩散的效果的定量分析日记：电子设备上的IEEE交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 61，编号11，第3762-3767页年：2014 太阳成集团tyc234cc古天乐：Furuta Mamoru，Kawaharamura Toshiyuki，Takayuki Uchida，Wangdapeng，Sanada Masaru 太阳成集团tyc234cc古天乐：高性能解决方案处理的Ingazno薄膜晶体管由臭氧辅助大气压力雾沉积杂志：展示技术杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 10，编号11，第934-938页，IEEE 年：2014 太阳成集团tyc234cc古天乐：Jiang Jingxin，Furuta Mamoru，Wangdapeng 太阳成集团tyc234cc古天乐：自我对准的底栅IN-GA-ZN-O薄膜晶体管，由源/排水区域直接沉积硝酸盐日记：IEEE电子设备信件，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 35，第9号，第933-935页年：2014 太阳成集团tyc234cc古天乐：Mai Phi Hung，Wangdapeng，Tatsuya Toda，Jiang Jingxin，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：漏洞和缺陷创造的定量分析杂志：ECS固态科学技术杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 3，第9号，pp。Q3023-Q3026 年：2014 太阳成集团tyc234cc古天乐：Wangdapeng，Mai Phi Hung，Jiang Jingxin，Tatuya Toda，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：通过施加阴性排水偏置而在无定形的Ingazno薄膜晶体管中受负的门偏置和照明应力引起的降解的抑制日记：ACS应用材料与界面，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 6，第8号，第5713-5718页年：2014 太阳成集团tyc234cc古天乐：Mai Phi Hung，Wangdapeng，Jiang Jingxin，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：Ingazno薄膜晶体管的后通道接口处的负偏见和照明应力诱发电子捕获日记：ECS固态字母，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 3，第3号，pp。Q13-Q16 年：2014 太阳成集团tyc234cc古天乐：Wangdapeng，Mai Phi Hung，Jiang Jingxin，Tatsuya Toda，Li Chaoyang，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：排水偏见对无定形的Ingazno薄膜晶体管中的负面偏差和照明应力降解的影响杂志：日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 53，pp。03cc01-1-03cc01-4 年：2014 太阳成集团tyc234cc古天乐：卡瓦哈拉穆拉·托希库（Kawaharamura Toshiyuki），塔卡尤木（Takayuki Uchida），Sanada Masaru，furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：通过MIS化学蒸气沉积而生长的Alox的生长和电性能日记：AIP Advances，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 3，pp。032135-1-032135-9 年：2013 太阳成集团tyc234cc古天乐：Satoshi Urakawa，Shigekazu Tomai，Yoshihiro ueoka，Haruka Yamazaki，Masashi Kasami，Koki Yano，Wangdapeng，Furuta Mamoru，Masahiro Horita Horita Horita，Yasahira Horita，Yasuaki Ishikihaaki Ishiharua 太阳成集团tyc234cc古天乐：通过焦耳加热和热载体效应的组合降解的无定形氧化物薄膜的热分析日记：应用物理信函，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 102，pp。053506-1-053506-4 年：2013 太阳成集团tyc234cc古天乐：Tatsuya Toda，Kawaharamura Toshiyuki，Frusawa Hiroshi，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：使用单壁碳纳米管的介电疗程组装日记：ECS Transactions，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 50，第8号，第223-228页年：2012 太阳成集团tyc234cc古天乐：Furuta Mamoru，Kawaharamura Toshiyuki，Tatsuya Toda，Wangdapeng 太阳成集团tyc234cc古天乐：a-ingazno薄膜晶体管，带有非Vacuum处理的Ingazno/Alox Gate Dialectric Stack 日记：ECS Transactions，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 50，第8号，第95-100页年：2012 太阳成集团tyc234cc古天乐：Shin-Ichi Shimakawa，Wangdapeng，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：锌氧化锌薄膜晶体管的照片引起的负偏置不稳定杂志：日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 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Taniguchi，Hirao Takashi，Furuta Takashi，Furuta Mamoru，Kawaharamura Toshiyuki 太阳成集团tyc234cc古天乐：通过辐照AR横梁控制Si Crystal的肿胀高度杂志：纳米科学和纳米技术杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 12，太阳成集团tyc234cc古天乐号，第552-556页，美国科学出版商年：2012 太阳成集团tyc234cc古天乐：T。Sakai，H。Seo，S。Aihara，M。Kubota，N。Egami，Wangdapeng，Furuta Mamoru 太阳成集团tyc234cc古天乐：A 128×96像素，50 m Pixel Pitch透明读数电路，使用Ingazno4薄膜晶体管阵列，带有依赖有机图像传感器的二键tin-氧化物eltrodes 杂志：日本应用物理学杂志，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 51，pp。010202-1-010202-3 年：2011 太阳成集团tyc234cc古天乐：M。Kimura，Furuta Mamoru，Y。Kamada，T。Hiramatsu，T。Matsuda，Furuta Hiroshi，Li Chaoyang，SFujita，Hirao Takashi 太阳成集团tyc234cc古天乐：ZnO薄膜晶体管中陷阱密度的提取，并依赖于ZnO膜的溅射过程中对氧部分压日记：电子设备上的IEEE交易，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 58，第9号，第3018-3024页，IEEE电子设备协会年：2011 太阳成集团tyc234cc古天乐：M。Kimura，Furuta Mamoru，Y。Kamada，T。Hiramatsu，T。Matsuda，Furuta Hiroshi，Li Chaoyang，SFujita，Hirao Takashi 太阳成集团tyc234cc古天乐：Zno薄膜中的陷阱密度，带有几个沉积条件的Siox门绝缘子日记：电化学和固态字母，太阳成集团tyc234cc古天乐卷。 14，pp。H365-H367 年：2011 太阳成集团tyc234cc古天乐：Y Kamada，S。Fujita，M。Kimura，T。Hiramatsu，T。Matsuda，Furuta Mamoru，Hirao Takashi 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27，pp。L2121-L2124 年：1988
主题演讲	高移动性金属氧化物半导体太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管用于显示和LSI应用，2023 用于展示应用的金属氧化物半导体太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管技术，国际消费电子和设备会议（ICCED2022），中国南京（在线），在线（在线），2022年
邀请的讲座	高性能和可靠的多晶氧化物氧化物太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管，2024 掺杂氧化物氧化二晶型太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管，ECS Prime2024，Honolulu，2024 具有固相结晶的氢太阳成集团tyc234cc古天乐物国际太阳成集团tyc234cc古天乐物渠道，国际信息展示会议（IMID2024），韩国济州岛，2024 用于高弹性太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的氧化氧化物，2024年，高级半导体设备的亚太地区研讨会（AWAD 2024），韩国Gangneung-Wonju National University，2024年，2024年，2024年高动力多晶型氧化物（Inox：H）薄膜晶体管，太阳成集团tyc234cc古天乐8国际薄膜晶体管会议，韩国Kaist，2024 低温加工TFT的氢太阳成集团tyc234cc古天乐太阳成集团tyc234cc古天乐物的固相结晶，2023 非掺杂氢的多晶Inox：H太阳成集团tyc234cc古天乐用于高弹性太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管，242届ECS会议，美国亚特兰大，2022年由固相结晶形成的高动力TFT，太阳成集团tyc234cc古天乐7届国际薄膜晶体管会议（ITC2022），英国萨里大学，英国，2022 高移动性氢掺杂多晶内部太阳成集团tyc234cc古天乐物（Inox：H）TFTS，第22届国际信息显示国际会议（IMID2022），韩国，韩国，2022年用于高迁移率太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的氧化二氮（Inox：H）的固相结晶，有关Active-Matrix Flatpanel显示器和设备的国际研讨会（AM-FPD22），京都，日本，日本，20222 氢化Igzo（Igzo：h）TFT的低压操作，带有阳极太阳成集团tyc234cc古天乐AL2O3 GATE，用于灵活设备的dieElectric，国际TFT会议（ITC2020/2021），中国，2021 氧化物太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的异质结通道工程，混合动力，2020 用于GA-Zn-O太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的异径渠道工程，在线，2020年活跃矩阵的TFTS：从硅到太阳成集团tyc234cc古天乐物和新材料，第三届国际消费电子和设备会议（ICCED 2019），Nanjing，Chian，Chian，2019 Igzo TFT与异性结通道的载体运输和偏置应力稳定性，第七届国际乌尔西和TFTS半导体太阳成集团tyc234cc古天乐会议，日本京都，日本，2019年带有有机门绝缘子的低温加工Ingaznox TFT，第五届电子材料和纳米太阳成集团tyc234cc古天乐的绿色环境国际会议（ENGE 2018），韩国耶稣，2018 AR+O2+H2的低温激活施加了Ingaznox膜，然后进行热退火，第4届E-MRS和MRS-J双边研讨会2018（第七届国际电导材料透明国际研讨会（TCM2018），Cretece，Cretece，Greece，Greeece，Greeece，Greece，2018 用于Ingaznox太阳成集团tyc234cc古天乐晶体管的低温激活方法，ECS和SMEQ联合国际会议，墨西哥坎昆，2018年
奖励	特别认可奖，信息显示协会，2021 Apex/JJAP编辑贡献奖，日本太阳成集团tyc234cc古天乐物理学会，2017年
太阳成集团tyc234cc古天乐政府的科学研究赠款	项目太阳成集团tyc234cc古天乐：氧化锌透明晶体管及其应用于堆叠的图像传感器类别：科学太阳成集团tyc234cc古天乐授予授予额（C）项目编号：23560408 项目期间：2011-2013 总预算金额：5,330,000日元关键字：项目太阳成集团tyc234cc古天乐：堆叠图像传感器应用程序的灵活和透明电路类别：科学太阳成集团tyc234cc古天乐授予授予额（C）项目编号：16K06309 项目期间：2016-2018 总预算金额：4,810,000日元关键字：项目太阳成集团tyc234cc古天乐：伪单晶晶体氧化二晶晶体管由低温固相结晶类别：科学太阳成集团tyc234cc古天乐授予授予额（b）项目编号：25K01291 项目期间：2025-2028 总预算金额：18,720,000日元关键字：

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社交活动

委员会角色	IMID 2019，2019-2020 材料，来宾编辑日本太阳成集团tyc234cc古天乐物理学会Apex/Jjap的编辑，2018-2019

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