教师信息详细信息

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太阳成集团tyc234cc古天乐 Hisao太阳成集团tyc234cc古天乐 Hisao

  • 出生于1970年，男性
  • 位置：教授
  • 位置：
    • 系统工程组的副士兵
    电子和光学系统工程课程
  • 隶属关系：
    • 系统工程组
    基本工程，电子和光学系统工程课程的工程学院草案草案
    纳米技术研究中心，高级功能材料设备，研究所
  • 研究简介文章：https：//wwwkochi-techacjp/power/research/post_45html

教师传记

度 医生（工程）
教育背景 完成了Tsukuba太阳成集团tyc234cc古天乐工程研究生院物理学系（1998）
毕业于Tsukuba太阳成集团tyc234cc古天乐基本工程系物理工程系（1993）
工作历史 太阳成集团tyc234cc古天乐技术大学系统工程集团教授（2018-）
太阳成集团tyc234cc古天乐技术大学研究所教授（2018-）
太阳成集团tyc234cc古天乐技术大学系统工程集团副教授（2014-2018）
太阳成集团tyc234cc古天乐技术大学研究所副教授（2007-2018）
太阳成集团tyc234cc古天乐技术大学研究所助理教授（2005-2007）
巴斯太阳成集团tyc234cc古天乐访问研究员（2002-2003）
新南威尔士太阳成集团tyc234cc古天乐访问研究员（1999-2000）
金属与材料研究所助理，Tohoku University（1998-2005）
资格
专业 软态物理
半导体物理工程
薄膜工程
LAB 名称 功能性薄膜工程实验室
详细信息 为了解决资源，环境和能源问题并建立可持续的社会，有必要开发具有新功能的材料以及传统电子设备技术的创新。氧化物半导体被预期为下一代电子材料，引起了人们的注意，因为它们表现出了新功能，因为它们表现出各种物理特性，这些特性在常规半导体中未发现。
该实验室旨在控制功能性氧化物薄膜的物理特性，这对于高级设备至关重要，并改善功能并创建新的功能设备。
附属社会 应用物理协会
日本物理学会
日本射线照相光学学会

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负责今年的演讲

教师/研究 半导体工程的基础知识 /
研究生院 特殊研讨会1 /

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研究种子

咨询区域 薄膜增长技术
薄膜评估技术
半导体光学属性
当前的研究 氧化锌薄膜的原子层生长

宽间隙半导体的物理属性

研究基于Z太阳成集团tyc234cc古天乐的透明导电膜的应用

消息

控制薄膜材料的功能，例如电导率，化学反应性和光响应性，同时预测了看不见的电子的运动。为此，我们利用薄膜，晶体结构和弯曲效果的微观结构是薄膜所特有的。有一些有趣的东西只能在一个看不见的世界中实现。

研究成就

特别研究论文

标题 作者 出版杂志 发布年
超过130 cm2/vs柔性透明导电的霍尔在2O3膜上通过精确式固体固相结晶 J。 Nomoto，T。Koida，I。Yamaguchi，H。太阳成集团tyc234cc古天乐，Y。Kitanaka，T。Nakajima，T。Tsuchiya NPG亚洲材料，第14卷，p76 2022
耐凝胶氧化锌薄膜的光学和电子性能的稳健稳定性均可摄影 c。 Barone，J。Gupta，R。M。Martin，I。Sydoryk，V。Craciun，J。Nomoto，H。Makino，T。太阳成集团tyc234cc古天乐，C。Martin 物理。状态实体B-BASIC RES。，pp2100469-1-2100469-5 2021
研究添加适量的氢对DC磁铁溅射沉积的氧化物膜特性的影响 Velichko Rostislav，Magari Yusaku，Hisao 太阳成集团tyc234cc古天乐，Mamoru Furuta 日本应用物理学杂志，第1卷。 60，pp055503-1-055503-6 2021
底物温度对Alox限制的al掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐薄膜的热稳定性的影响 dao thi hoa，hisao 太阳成集团tyc234cc古天乐 陶瓷国际 2020
改善了使用超薄膜作为钝化层的Al掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐多晶膜的热稳定性 dao thi hoa，hisao 太阳成集团tyc234cc古天乐 太阳成集团tyc234cc古天乐能材料和太阳成集团tyc234cc古天乐能电池，第1卷。 203，p110159 2019
在polycrystalline z太阳成集团tyc234cc古天乐薄膜的光电特性中增强膜的增强膜 dao thi hoa，hisao 太阳成集团tyc234cc古天乐 半导体处理中的材料科学，第1卷。 96，pp。46-52 2019
磁控溅射靶标的侵蚀区对透明导电al掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐的结构和电气性能的空间分布的影响 j。 Nomoto，H。Makino，K。Inaba，S。Kobayashi，T。太阳成集团tyc234cc古天乐 应用物理学杂志，第1卷。 124，pp。065304-1-065304-10 2018
通过indium codoping提高了稀薄的GA Z太阳成集团tyc234cc古天乐膜的水分稳定性 h。 Song，H。Makino，J。Nomoto，N。太阳成集团tyc234cc古天乐，T。太阳成集团tyc234cc古天乐 应用的表面科学，第1卷。 457，pp。241-246 2018
晶体学极性对磁铁溅射沉积的多晶Z太阳成集团tyc234cc古天乐薄膜的选择性特性的影响 Hiroyuki Shimizu 应用表面科学 2018
通过硬X射线光电子光谱法在GA掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐膜中载体浓度测定的效果 h。 Song，H。Makino，M。Kobata，J。Nomoto，K。Kobayashi，T。太阳成集团tyc234cc古天乐 应用的表面科学，第1卷。 433，pp。1148-1153 2017
透明导电al掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐的载体传输和晶体学取向分布的特征 Junichi Nomoto，Katsuhiko Inaba，Shintaro Kobayashi，Takeshi Watanabe，Hisao Makino，Tetsuya 太阳成集团tyc234cc古天乐 材料，第10卷，第8号，p916 2017
通过在高度GA的Z太阳成集团tyc234cc古天乐 Z太阳成集团tyc234cc古天乐 Polycrystalline薄膜中大量C轴首选方向增强氢气灵敏度 Lukman Nulhakim，H。Makino，S。Kishimoro，J。Nomoto，T。太阳成集团tyc234cc古天乐 半导体处理中的材料科学，第1卷。 68，pp。322-326 2017
在Ar-和He-plasma在–GA – ZN – O薄膜中进行的子量子态的载体生成机理和起源 Yusaku Magari，Hisao 太阳成集团tyc234cc古天乐，Mamoru Furuta ECS固态科学杂志NAD Tech太阳成集团tyc234cc古天乐logy，第1卷。 6，第8号，ppQ101-Q107 2017
界面层量身定制Al掺杂的Z太阳成集团tyc234cc古天乐 Z太阳成集团tyc234cc古天乐 PolyCrystalline膜的质地和表面形态 Nomoto Junichi，Inaba Katsuhiko，Kobayashi Shintaro，Makino Hisao，太阳成集团tyc234cc古天乐 Tetsuya 晶体生长杂志，第1卷。 468，pp。645-649 2017
Ar离子的光学特性受照射的纳米晶体ZRC和ZRN薄膜 c。 Martin，KH。 Miller，H。太阳成集团tyc234cc古天乐，D。Craciun，D。Simeone，V。Craciun 核材料杂志，第1卷。 488，第16-21页 2017
高度（0001）面向的Al掺杂的Z太阳成集团tyc234cc古天乐 Polycrystalline膜上的无定形玻璃基板 Nomoto Junichi，Inaba Katsuhiko，Osada Minoru，Kobayashi Shintaro，Makino Hisao，太阳成集团tyc234cc古天乐 Tetsuya 应用物理学杂志，第1卷。 120，pp。125302-1-125302-11 2016
对纳米晶体SIC薄膜的Arion辐照效应的研究 v。 Craciun，D。Craciun，G。Socol，S。Behdad，B。Boesl，C。Himcinschi，H。太阳成集团tyc234cc古天乐，M。Socol，D。Simeone 应用的表面科学，第1卷。 374，pp。339-345 2016
载体传输与多晶透明导电al掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐膜的方向演变之间的相关性 Nomoto Junichi，Makino Hisao，太阳成集团tyc234cc古天乐 Tetsuya 薄膜，第1卷。 620，pp2-9 2016
通过使用自禁止层及其对由射频磁铁溅射沉积的GA掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐薄膜的影响来控制微观结构 Lukman Nulhakim，太阳成集团tyc234cc古天乐 Hisao 薄胶片，第1卷。 615，pp158-164 2016
极性反演对GA掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐薄膜电气性能的影响 Lukman Nulhakim，太阳成集团tyc234cc古天乐 Hisao Physica状态实体 - 快速研究信，第1卷。 10，第7号，第535-539页 2016
具有质感的多晶结构的高压动作al掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐膜具有明确的（0001）方向 Nomoto Junichi，Makino Hisao，太阳成集团tyc234cc古天乐 Tetsuya 纳米级研究信，第11卷，第320-1-320-8 2016
散射机制的更改和从载型Z太阳成集团tyc234cc古天乐膜上的缺陷中退火，这是通过射频磁磁力溅射沉积的 Lukman Nulhakim，太阳成集团tyc234cc古天乐 Hisao 应用物理学杂志，第119卷，p235302 2016
载体浓度的限制因子和由ION PLED-dC ARC排放沉积的多晶Ga的Z太阳成集团tyc234cc古天乐膜的运输 Nomoto Junichi，Makino Hisao，太阳成集团tyc234cc古天乐 Tetsuya 薄膜，第1卷。 601，pp13-17 2016
氧气流速和GA含量对通过DC ARC排放制备的GA掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐膜的结构特性的影响 Tomoaki Terasako，Nomoto Junichi，Makino Hisao，Naoki 太阳成集团tyc234cc古天乐，Sho Shirakata，太阳成集团tyc234cc古天乐 Tetsuya 薄膜，第1卷。 596，第24-28页 2015
高度透明的导电al掺杂的Z太阳成集团tyc234cc古天乐多晶膜的载体迁移率，该膜由射频，直流，直流和射频频率造成的直接电流磁磁子溅射：晶粒晶粒体积和散射的晶粒效果和散射 Nomoto，Junichi，Makino，Hisao，太阳成集团tyc234cc古天乐，Tetsuya 应用物理学杂志，第1卷。 117，pp。045304-1-045304-9 2015
GA掺杂的一氧化碳燃气感应特性 s。 Kishimoto，S。Akamatsu，Song，Huaping，Nomoto，Junichi，Makino，Hisao，太阳成集团tyc234cc古天乐，Tetsuya J。 Sens。Sens。Syst。，Vol。 3，pp331-334 2014
高度耐湿的ZnO膜，具有纹理表面，用于薄膜太阳成集团tyc234cc古天乐能电池，辅导由离子板制成的粘附胶，并用直流电流排放制造 歌曲，Huaping，Nomoto，Junichi，Makino，Hisao，太阳成集团tyc234cc古天乐，Tetsuya JPN。 J Appl。物理学，第1卷53，pp05FJ04-1-05FJ04-5 2014
氧气流速对沉积在玻璃和蓝宝石底物上的Ga掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐薄膜的电性能的影响 Makino，Hisao，Song，Huaping，太阳成集团tyc234cc古天乐，Tetsuya 薄胶片，第1卷。 559，pp78-82 2014
由离子镀膜和大气压CVD生长的GA掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐膜的载体传输和光覆盖特性 t。 Terasako，Y。Ogura，S。Fujimoto，Song，Huaping，Makino，Hisao，M。Yagi，S。Shirakata，太阳成集团tyc234cc古天乐，Tetsuya 薄膜，第1卷。 549，pp12-17 2013
由ION PLET-DC ARC放电沉积的Ga掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐膜的电特性的温度依赖性 t。 Terasako，Song，Huaping，Makino，Hisao，S。Shirakata，太阳成集团tyc234cc古天乐，Tetsuya 薄膜，第1卷。 528，pp19-25 2013
开发液晶显示面板的GA掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐透明电极 太阳成集团tyc234cc古天乐，Naoki，Makino，Hisao，Osone Satoshi，Ujihara Akira，Ujihara Akira，Ito Takahiro，Hokari Hitoshi，Maruyama Taketo，太阳成集团tyc234cc古天乐，Tetsuya 薄胶片，第1卷。 520，pp。4131-4138 2012
基于Z太阳成集团tyc234cc古天乐的LCDS透明电极 太阳成集团tyc234cc古天乐，Naoki，Makino，Hisao，Morisawa Kirihiko，太阳成集团tyc234cc古天乐，Tetsuya ECS交易，第1卷。 41，第30期，第29-35页 2012
Young的模量和Z太阳成集团tyc234cc古天乐导电和透明超薄膜的线性热膨胀系数 太阳成集团tyc234cc古天乐，Naoki，Makino，Hisao，太阳成集团tyc234cc古天乐，Tetsuya 材料科学与工程的进步，2011年 2011
通过湿化学蚀刻 太阳成集团tyc234cc古天乐，Naoki，Makino，Hisao，Sato，Yasushi，太阳成集团tyc234cc古天乐，Tetsuya ECS交易，第1卷。 35，第8期：8，pp165-172 2011
开发液晶显示面板的GA掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐透明电极 太阳成集团tyc234cc古天乐成集团tyc234cc古天乐成集团tyc234cc古天乐，Naoki，Makino，Hisao，Osone，Satoshi，Ujihara，Akira，Akira，Ito，Takahiro，Hokari，Hokari，Hitoshi，Maruyama，Maruyama，Taketo，Taketo，太阳成集团tyc234cc古天乐成集团tyc234cc古天乐成集团tyc234cc古天乐，Tetsuya 薄胶片 2011
GA的Z太阳成集团tyc234cc古天乐透明电极的开发作为液晶显示器中ITO电极的替代方案 太阳成集团tyc234cc古天乐，Naoki，Makino，Hisao，Sato，Yasushi，太阳成集团tyc234cc古天乐 Tetsuya SID 2011技术论文摘要，pp1375-1378 2011
O2流量和沉积后热退火对GA掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐膜的光滥用光谱的影响 h。 Makino，T。Yamada，N。太阳成集团tyc234cc古天乐，T。太阳成集团tyc234cc古天乐 薄膜，第1卷。 519，第5号，第1521-1524页 2010
Ingrain和晶粒边界散射对透明导电的电子迁移率的多晶Ga掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐膜 t。 Yamada，H。Makino，N。太阳成集团tyc234cc古天乐，T。太阳成集团tyc234cc古天乐 j。应用。 Phys。，第107卷，p123534 2010
Ga掺杂的Z太阳成集团tyc234cc古天乐薄膜的耐热性作为透明电极在液晶显示器中 太阳成集团tyc234cc古天乐，Naoki，Yamada Takahiro，Makino，Hisao，太阳成集团tyc234cc古天乐，Tetsuya j。电化学。 Soc。，第157卷，第J13-J20 2010
热退火对GA掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐薄膜的电气和光学性质的影响 h。 Makino，N。太阳成集团tyc234cc古天乐，A。Miyake，T。Yamada，Y。Hirashima，H。Iwaoka，T。Itoh，H。Hokari，H。Aoki，T。太阳成集团tyc234cc古天乐 薄胶片，第1卷。 518，第5号，第1386-1389页 2009
底物温度和Zn-precurs对多晶Z太阳成集团tyc234cc古天乐膜原子层沉积的影响 h。 Makino，S。Kishimoto，A。Miyake，T。Yamada，N。太阳成集团tyc234cc古天乐，T。太阳成集团tyc234cc古天乐 薄膜，第1卷。 517，p。 3138 2009
表面预处理对Z太阳成集团tyc234cc古天乐生长对玻璃基板生长的影响 h。 Makino，S。Kishimoto，A。Miyake，T。Yamada，N。太阳成集团tyc234cc古天乐，T。太阳成集团tyc234cc古天乐 物理。统计sol。 （a），第1卷。 205，第8号，第1971- 1974年 2008
在GA掺杂Z太阳成集团tyc234cc古天乐膜中残留应力与晶体结构之间的关系 太阳成集团tyc234cc古天乐，Naoki，Yamada，Takahiro，Miyake，Aki，Makino，Makino，Hisao，Kishimoto，Seiichi，Seiichi，太阳成集团tyc234cc古天乐，tetsuya j。电化学。 Soc。，第155卷，第9期，第J221-J225 2008
透明导电GA的Z太阳成集团tyc234cc古天乐膜在玻璃，PMMA和COP底物上的属性 Tetsuya 太阳成集团tyc234cc古天乐，Takahiro Yamada，Aki Miyake，Toshiyuki Morizane，Tooru Arimitsu，Hisao Makino，Naoki 太阳成集团tyc234cc古天乐 被邀请的纸，IEICE交易，vol91-C，太阳成集团tyc234cc古天乐10，pp1547-1553 2008
低抗性Ga掺杂的Z太阳成集团tyc234cc古天乐薄膜小于100 nm的厚度，该厚度是通过直流电流排放制备的厚度小于100 nm的厚度 t。 Yamada，A。Miyake，S。Kishimoto，H。Makino，N。太阳成集团tyc234cc古天乐，T。太阳成集团tyc234cc古天乐 appl。物理。 Lett。，第91卷，P051915 2007
氧部分压对未掺杂的Z太阳成集团tyc234cc古天乐膜的膜生长和电气特性的影响，其薄膜以下 Seiichi Kishimoto，Takahiro Yamada，Keigo Ikeda，Hisao Makino，Tetsuya 太阳成集团tyc234cc古天乐 Surface＆Coatings Tech太阳成集团tyc234cc古天乐logy，第1卷。 201，第4000-4003页 2006
二维半导体（CH3C6H4CH2NH3）2PBBR4单晶 h。 太阳成集团tyc234cc古天乐，T。Goto，T。Yao，G。A。Moustis，G。C。Papavassiliou j。 Lumines，第1卷。 112，第54-57号 2005
36460_36639 j。 J Kim，H。Makino，K。Kobayashi，Y。Takata，T。太阳成集团tyc234cc古天乐，T。Hanada，M。W Cho，E。Ikenaga，M。Yabanaga，M。Yabashi，D。Miwa，Y。Nishino，K。Tamasaku，Tamasaku，Tamasaku，T 物理。 Rev b，第1卷。 70，p161315（r） 2004
从III-V氮化物半导体中制造铁磁半导体 Hisao 太阳成集团tyc234cc古天乐，J。J Kim，P。P Chen，M。W Cho，Takafumi Yao Proc。 spie int。 Soc。选择。 Eng。，第5774卷，第11页 2004
Zns中Mn发光的增强：Mn多量词 - 孔结构 n。 Taghavinia，H。太阳成集团tyc234cc古天乐，T。Yao 应用。物理。 Lett。，第83卷，p4616 2003
Zn1-X-X-YMGXBEYSE QUATERNARY QUATERNARY SHYOYS的能量差异几乎与GAAS匹配 k。 Godo，H。太阳成集团tyc234cc古天乐，M。W Cho，J。H Chang，Y。Yamazaki，T。Yao，M。Y。Shen，T。Goto appl。物理。 Lett。，卷。 79，pp。4168-4170 2001
Zn1-X-X-ymgxse1-ytey Quaternary Quaternary合金的拉曼投资由分子束外观延伸 h。 太阳成集团tyc234cc古天乐，H。Sasaki，JH。 Chang，T。Yao j。水晶。增长，第1卷。 214/215，pp。359-363 2000
钙钛矿型3D1与与之相关的金属CA1-XSRXVO3中的带宽控制。 ii。光谱 h。 太阳成集团tyc234cc古天乐，I。H。Inoue，M。J。Rozenberg，I。Hase，Y。Aiura，S。Onari 物理。 Rev b，第1卷。 58，pp。4384-4393 1998

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学术演示，讲座等

  1. 实验室硬X射线光发射光谱Z太阳成集团tyc234cc古天乐薄膜，第13届韩国表面分析研讨会（2018）

科学研究归属

Kaken是美国国家信息学院提供的服务。

类别 研究问题 研究主题 研究期 建议编号
代表 在多晶锌氧化物薄膜中进行方向控制和受体掺杂的研究 基础研究（C） 2011 - 2013 23560026
共享 具有吸附的氧化学状态控制 基础研究（a） 2012 - 2014 24241025
代表 低温膜形成氧化锌多晶薄膜的极性控制和晶格缺陷 基础研究（C） 2017 - 2019 17K06356
代表 氧化锌多晶薄膜的缺陷控制及其在化学传感器上的应用 基础研究（C） 2020 - 2022 20K04582
代表 对压电氧化锌掺杂特性引起的电势调制的影响 基础研究（C） 2024-2026（计划） 24K07579

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社会贡献和公共关系活动

外部委员会成员，学术会议活动等

  1. chugoku Shikoku分支机构研究小组计划委员会主席，应用物理学会（2013-）
  2. 表面分析研究小组的编辑，表面分析研究小组，通用公司协会（2017-2018）
  3. 应用物理协会，Chugoku Shikoku分支执行董事（2011-）

其他社交活动，等等

  1. 经济，贸易和工业部/NEDO“稀有金属替代材料开发项目/ITO透明电极的替代材料开发” Sub-Leader（2007-）

主要书籍等

  1. 氧化锌的尖端技术和未来：第4章。液晶显示器透明导电膜，CMC Publishing Co，Ltd，2011年，ISBN 978-4-4-7813-03

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