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牧野久尾-1jpg

牧野久雄牧野久雄

  • 1970年出生的男性
  • 职位：太阳成集团tyc234cc古天乐
  • 标题：
    • 系统工程学院副院长
    电子与太阳成集团tyc234cc古天乐系统工程课程负责人
  • 隶属关系：
    • 系统工程组
    工学研究科基础工学系电子太阳成集团tyc234cc古天乐系统工学课程
    研究所纳米技术研究中心先进功能材料与器件领域
  • 研究介绍文章：https://wwwkochi-techacjp/power/research/post_45html

教师简历

学位 工学博士（工程学）
学术背景 筑波大学研究生院工学研究科物理工程系博士课程结业（1998年）
筑波大学基础工学部物理工程专业毕业（1993年）
工作经历 高知工业大学系统工程系太阳成集团tyc234cc古天乐（2018-）
高知工业大学研究所太阳成集团tyc234cc古天乐（2018-）
高知工业大学系统工程系副太阳成集团tyc234cc古天乐（2014-2018）
高知工业大学研究所副太阳成集团tyc234cc古天乐（2007-2018）
高知工业大学研究所助理太阳成集团tyc234cc古天乐（2005-2007）
巴斯大学客座研究员（2002-2003）
新南威尔士大学客座研究员（1999-2000）
东北大学金属研究所助理研究员（1998-2005）
资质
专业 固态物理
半导体物理工程
薄膜工程
实验室 姓名 功能薄膜工程实验室
详情 　为了解决资源、环境和能源问题，建设可持续发展的社会，需要对传统电子器件技术进行创新，并开发具有新功能的材料。氧化物半导体有望被用作下一代电子材料，并且由于它们表现出传统半导体所没有的各种物理特性，因此作为表现出新功能的材料也引起了人们的关注。
　我们实验室的目标是太阳成集团tyc234cc古天乐对于先进器件至关重要的功能性氧化物薄膜的物理性质，以改善其功能并创造具有新功能的器件。
所属学会 日本应用物理学会
日本物理学会
日本电波太阳成集团tyc234cc古天乐学会

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今年讲授的讲座

教师/小组 半导体工程基础/
研究生院 专题研讨会1 /

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研究种子

可讨论的领域 薄膜生长技术
薄膜评估技术
半导体太阳成集团tyc234cc古天乐特性
当前研究 氧化锌薄膜的原子层生长

宽禁带半导体物理性质研究

ZnO基透明导电薄膜的应用研究

消息

太阳成集团tyc234cc古天乐薄膜材料的功能，例如导电性、化学反应性和光响应性，同时预测电子的不可见运动。为此，我们利用薄膜的微观结构、晶体结构和薄膜特有的弯曲效应。这很有趣，因为这是一个看不见的世界。

研究成果

代表性研究论文

标题 作者 出版杂志 公告年份
太阳成集团tyc234cc古天乐准分子激光固相结晶实现柔性透明导电 In2O3 薄膜超过 130 cm2/Vs 霍尔迁移率 J。野本、T Koida、I Yamaguchi、H Makino、Y Kitanaka、T Nakajima、T Tsuchiya NPG 亚洲材料，第 14 卷，第 76 页 2022
镓掺杂氧化锌薄膜的太阳成集团tyc234cc古天乐和电子性能对伽马射线辐照的鲁棒稳定性 C Barone、J Gupta、R M Martin、I Sydoryk、V Craciun、J Nomoto、H Makino、T Yamamoto、C Martin 物理。 Status Solidi B-基础研究，第 2100469-1-2100469-5 2021
添加适量氢气对直流磁控溅射沉积氧化锡薄膜性能影响的研究 Velichko Rostislav、MAGARI Yusaku、Hisao Makino、Mamoru Furuta 日本应用物理学杂志，第 60 卷，第 055503-1-055503-6 页 2021
衬底温度对AlOx覆盖的Al掺杂ZnO薄膜热稳定性的影响 道氏和，牧野久夫 国际陶瓷 2020
以超薄Al薄膜作为钝化层提高Al掺杂ZnO多晶薄膜的电导率及其热稳定性 陶氏和，牧野久雄 太阳成集团tyc234cc古天乐能材料和太阳成集团tyc234cc古天乐能电池，第 203 卷，第 110159 页 2019
Ar等离子体增强多晶ZnO薄膜的光电性能 陶氏和，牧野久雄 半导体加工中的材料科学，第 96 卷，第 46-52 页 2019
磁控溅射靶材侵蚀区对透明导电Al掺杂ZnO太阳成集团tyc234cc古天乐和电学性能空间分布的影响 J。野本、H牧野、K稻叶、S小林、T山本 应用物理学杂志，第 124 卷，第 065304-1-065304-10 页 2018
太阳成集团tyc234cc古天乐共掺杂提高 Ga 掺杂 ZnO 薄膜的水分稳定性 H宋、H牧野、J野本、N山本、T山本 应用表面科学，第 457 卷，第 241-246 页 2018
晶体极性对磁控溅射沉积多晶ZnO薄膜光电性能的影响 牧野久雄、清水宏之 应用表面科学 2018
载流子浓度对硬 X 射线光电子能谱测定 Ga 掺杂 ZnO 薄膜极性的影响 H宋、H Makino、M Kobata、J Nomoto、K Kobayashi、T Yamamoto 应用表面科学，第 433 卷，第 1148-1153 页 2017
透明导电Al掺杂ZnO的载流子传输和晶体取向分布特征 野本淳一、稻叶克彦、小林慎太郎、渡边武、牧野久雄、山本哲也 材料，第 10 卷，第 8 期，第 916 页 2017
高掺杂Ga的ZnO多晶薄膜中c轴择优取向的大分布增强了氢气敏感性 Lukman Nulhakim、H Makino、S Kishimoro、J Nomoto、T Yamamoto 半导体加工中的材料科学，第 68 卷，第 322-326 页 2017
Ar 和 He 等离子体处理的 In-Ga-Zn-O 薄膜中的载流子生成机制和亚带隙态的起源 曲优作、牧野久雄、古田守 ECS 固体科学与技术杂志，第 6 卷，第 8 期，第 Q101-Q107 页 2017
定制玻璃基板上掺铝 ZnO 多晶薄膜的纹理和表面形貌的界面层 野本淳一、稻叶克彦、小林慎太郎、牧野久雄、山本哲也 晶体生长杂志，第 468 卷，第 645-649 页 2017
Ar离子辐照纳米晶ZrC和ZrN薄膜的太阳成集团tyc234cc古天乐性质 C。马丁，KH米勒、H Makino、D Craciun、D Simeone、V Craciun 核材料杂志，第 488 卷，第 16-21 页 2017
非晶玻璃基板上高度 (0001) 取向的 Al 掺杂 ZnO 多晶薄膜 野本淳一、稻叶胜彦、大田稔、小林慎太郎、牧野久男、山本哲也 应用物理学杂志，第 120 卷，第 125302-1-125302-11 页 2016
Ar离子辐照对纳米晶SiC薄膜影响的研究 五。 Craciun、D Craciun、G Socol、S Behdad、B Boesl、C Himcinschi、H Makino、M Socol、D Simeone 应用表面科学，第 374 卷，第 339-345 页 2016
多晶透明导电Al掺杂ZnO薄膜的载流子传输与取向演化之间的相关性 野本淳一、牧野久男、山本哲也 固体薄膜，第 620 卷，第 2-9 页 2016
使用自缓冲层太阳成集团tyc234cc古天乐微结构及其对射频磁控溅射沉积的Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响 卢克曼·努哈基姆、牧野久雄 固体薄膜，第 615 卷，第 158-164 页 2016
极性反转对Ga掺杂ZnO薄膜电性能的影响 卢克曼·努哈基姆、牧野久雄 固体物理状态 - 快速研究快报，第 10 卷，第 7 期，第 535-539 页 2016
具有明确 (0001) 取向的织构多晶太阳成集团tyc234cc古天乐的高霍尔迁移率掺铝 ZnO 薄膜 野本淳一、牧野久夫、山本哲也 纳米研究快报，第 11 卷，第 320-1-320-8 页 2016
射频磁控溅射沉积的Ga掺杂ZnO薄膜散射机制的变化和缺陷退火 卢克曼·努哈基姆、牧野久雄 应用物理学杂志，第 119 卷，第 235302 页 2016
直流电弧放电离子镀沉积多晶Ga掺杂ZnO薄膜的载流子浓度和输运限制因素 野本淳一、牧野久男、山本哲也 固体薄膜，第 601 卷，第 13-17 页 2016
氧气流量和Ga含量对直流电弧放电离子镀制备Ga掺杂ZnO薄膜太阳成集团tyc234cc古天乐性能的影响 Tomoaki Terasako、NOMOTO Junichi、MAKINO Hisao、Naoki Yamamoto、Sho Shirakata、YAMAMOTO Tetsuya 固体薄膜，第 596 卷，第 24-28 页 2015
射频、直流和射频叠加直流磁控溅射沉积的高透明导电Al掺杂ZnO多晶薄膜的载流子迁移率：晶界效应和晶粒体中的散射 野本、纯一、牧野、久雄、山本、哲也 应用物理学杂志，第 117 卷，第 045304-1-045304-9 页 2015
Ga掺杂的一氧化碳气体传感特性 S。岸本、S赤松、宋、华平、野本、淳一、牧野、久男、山本、哲也 J。 SensSensSyst，第 3 卷，第 331-334 页 2014
通过直流电弧放电离子镀制备的具有纹理表面的高防潮掺镓ZnO薄膜，用于具有共掺杂铟的薄膜太阳成集团tyc234cc古天乐能电池 宋华平、野本、纯一、牧野、久雄、山本、哲也 日本。 J应用程序。物理学，第 53 卷，第 05FJ04-1-05FJ04-5 2014
氧气流量对玻璃和蓝宝石基板上沉积的Ga掺杂ZnO薄膜电性能的影响 牧野、尚男、宋、华平、山本、哲也 固体薄膜，第 559 卷，第 78-82 页 2014
离子镀和常压CVD生长的Ga掺杂ZnO薄膜的载流子传输和光致发光特性 T。 Terasako、Y Ogura、S Fujimoto、SONG、Huaping、MAKINO、Hisao、M Yagi、S Shirakata、YAMAMOTO、Tetsuya 固体薄膜，第 549 卷，第 12-17 页 2013
直流电弧放电离子镀沉积的 Ga 掺杂 ZnO 薄膜电性能的温度依赖性 T。 Terasako、宋、华平、MAKINO、Hisao、S Shirakata、YAMAMOTO、Tetsuya 固体薄膜，第 528 卷，第 19-25 页 2013
液晶显示面板用Ga掺杂ZnO透明电极的开发 YAMAMOTO、Naoki、MAKINO、Hisao、OSONE Satoshi、UJIHARA Akira、ITO Takahiro、HOKARI Hitoshi、MARUYAMA Taketo、YAMAMOTO、Tetsuya 固体薄膜，第 520 卷，第 4131-4138 页 2012
用于 LCD 的 ZnO 基透明电极 山本、直树、牧野、久雄、森泽切彦、山本、哲也 ECS 交易，第 41 卷，第 30 期，第 29-35 页 2012
ZnO导电透明超薄膜的杨氏模量和线性热膨胀系数 山本、直树、牧野、久雄、山本、哲也 材料科学与工程进展，2011 年卷 2011
太阳成集团tyc234cc古天乐湿法化学蚀刻控制形成 ZnO 精细图案透明电极 山本、直树、牧野、久男、佐藤、泰、山本、哲也 ECS 交易，第 35 卷，第 8 期，第 165-172 页 2011
液晶显示面板用Ga掺杂ZnO透明电极的开发 YAMAMOTO、Naoki、Makino、Hisao、Osone、Satoshi、Ujihara、Akira、Ito、Takahiro、Hokari、Hitoshi、Maruyama、Taketo、Yamamoto、Tetsuya 固体薄膜 2011
开发掺镓 ZnO 透明电极作为液晶显示器中 ITO 电极的替代品 山本、直树、牧野、久男、佐藤、泰、山本哲也 SID 2011 年技术论文摘要，第 1375-1378 页 2011
O2 流量和沉积后热退火对 Ga 掺杂 ZnO 薄膜光吸收光谱的影响 H牧野，T山田，N山本，T山本 固体薄膜，第 519 卷，第 5 期，第 1521-1524 页 2010
晶粒和晶界散射对透明导电多晶Ga掺杂ZnO薄膜电子迁移率的影响 T。山田、H牧野、N山本、T山本 J。应用。物理学，第 107 卷，第 123534 页 2010
用作液晶显示器透明电极的掺镓 ZnO 薄膜的耐热性 山本、直树、山田孝宏、牧野、久男、山本、哲也 J。电化学。社会学会，第 157 卷，第 J13-J20 页 2010
热退火对Ga掺杂ZnO薄膜电学和太阳成集团tyc234cc古天乐性能的影响 H牧野、N山本、A三宅、T山田、Y平岛、H岩冈、T伊藤、HHokari、H青木、T山本 固体薄膜，第 518 卷，第 5 期，第 1386-1389 页 2009
基板温度和 Zn 前体对玻璃上多晶 ZnO 薄膜原子层沉积的影响，H Makino、A Miyake、T Yamada、N Yamamoto、T Yamamoto， H牧野、S岸本、A三宅、T山田、N山本、T山本 固体薄膜，第 517 卷，第 3138 页 2009
表面预处理对玻璃基板上ZnO生长的影响 H牧野、S岸本、A三宅、T山田、N山本、T山本 物理。统计。溶胶。 (a)，第 205 卷，第 8 期，第 1971-1974 页 2008
Ga掺杂ZnO薄膜中残余应力与晶体太阳成集团tyc234cc古天乐的关系 YAMAMOTO、Naoki、Yamada、Takahiro、Miyake、Aki、Makino、Hisao、Kishimoto、Seiichi、Yamamoto、Tetsuya J。电化学。学会，第 155 卷，第 9 期，第 J221-J225 页 2008
玻璃、PMMA 和 COP 基板上透明导电 Ga 掺杂 ZnO 薄膜的特性 Tetsuya Yamamoto、Takahiro Yamada、Aki Miyake、Toshiyuki Morizane、Tooru Arimitsu、Hisao Makino、Naoki Yamamoto 特邀论文，IEICE TRANSACTIONS on Electronics，VolE91-C，No10，第 1547-1553 页 2008
直流电弧放电离子镀制备厚度小于100 nm的低电阻率Ga掺杂ZnO薄膜 T。山田、A Miyake、S Kishimoto、H Makino、N Yamamoto、T Yamamoto 申请。物理。快报，第 91 卷，第 051915 页 2007
氧分压对100nm以下无掺杂ZnO薄膜薄膜生长及电性能的影响 岸本诚一、山田贵宏、池田圭吾、牧野久夫、山本哲也 表面与涂层技术，第 201 卷，第 4000-4003 页 2006
二维半导体(CH3C6H4CH2NH3)2PbBr4单晶中双激子的诱导吸收和自发发射 H牧野、T Goto、T Yao、G A Mousdis、G C Papavassiliou J。 《Lumines》，第 112 卷，第 54-57 期 2005
宽带隙稀磁半导体Ga1-xCrxN中Cr 3d-N 2p-Ga 4s的杂化 J。 J Kim、H Makino、K Kobayashi、Y Takata、T Yamamoto、T Hanada、M W Cho、E Ikenaga、M Yabashi、D Miwa、Y Nishino、K Tamasaku、T Ishikawa、S Shin、T Yao 物理。修订版 B，第 70 卷，第 161315 页（R） 2004
用 III-V 族氮化物半导体制造铁磁半导体 Hisao Makino、JJ Kim、PP Chen、MW Cho、Takafumi Yao 过程。国际太阳成集团tyc234cc古天乐工程学会苏克。选择。工程，第 5774 卷，第 11 页 2004
ZnS:Mn 多量子阱太阳成集团tyc234cc古天乐中 Mn 发光的增强 N。 Taghavinia、H Makino、T Yao 申请。物理。快报，第 83 卷，第 4616 页 2003
与 GaAs 几乎晶格匹配的 Zn1-x-yMgxBeySe 四元合金能隙的成分依赖性 K。 Godo、H Makino、M W Cho、J H Chang、Y Yamazaki、T Yao、M Y Shen、T Goto 申请。物理。快报，第 79 卷，第 4168-4170 页 2001
分子束外延生长的 Zn1-x-yMgxSe1-yTey 四元合金的拉曼研究 H牧野，H 佐佐木，JH张涛·姚 J。水晶。增长，第 214/215 卷，第 359-363 页 2000
钙钛矿型 3d1 相关金属 Ca1-xSrxVO3 中的带宽太阳成集团tyc234cc古天乐。二光谱法 H牧野、I H 井上、M J Rozenberg、I Hase、Y Aiura、S Onari 物理。修订版 B，第 58 卷，第 4384-4393 页 1998

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学术演讲、讲座等

  1. 多晶ZnO薄膜的实验室硬X射线光电子能谱，第十三届韩国表面分析研讨会（2018）

科研经费

KAKEN 是由国家信息研究所提供的一项服务。

分类 研究主题 研究类别 研究期 作业编号
代表 多晶氧化锌薄膜取向太阳成集团tyc234cc古天乐和受主掺杂研究 基础研究（C） 2011 - 2013 23560026
分享 具有吸附氧化学状态太阳成集团tyc234cc古天乐的高灵敏度氢传感器 基础研究（A） 2012 - 2014 24241025
代表 低温沉积氧化锌多晶薄膜的极性太阳成集团tyc234cc古天乐和晶格缺陷 基础研究（C） 2017 - 2019 17K06356
代表 氧化锌多晶薄膜的缺陷太阳成集团tyc234cc古天乐及其在化学传感器中的应用 基础研究（C） 2020 - 2022 20K04582
代表 压电极化电位调制对氧化锌掺杂特性的影响 基础研究 (C) 2024 - 2026 年（计划） 24K07579

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社会贡献和公共关系活动

外部委员会成员、学术活动等

  1. 日本应用物理学会中国四国分部研究组企划委员会委员长（2013年-）
  2. 表面分析研究组，美国通用协会表面分析研究组编辑委员会（2017-2018）
  3. 应用物理学会中国四国分会执行秘书（2011-）

其他社交活动等

  1. 经济产业省/NEDO“稀有金属替代材料开发项目/透明电极用ITO替代材料的开发”副负责人（2007年-）

主要出版物等

  1. 氧化锌的前沿技术与未来：第4章1液晶显示器用透明导电薄膜，CMC出版有限公司，2011年，ISBN 978-4-7813-03

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