师资信息详情

语言 ≫ 英语
magari-yusaku-1jpg

宋佑作玛伽里优作

教师简历

学位 工程学博士
学术背景 已完成，高知工业大学工学研究生院工程科学系（2020）
工作经历 高知工业大学环境科学与工程系助理教授（2020-2025）
岛根大学综合科学技术学院物理与材料工学系助理教授（2020-2022）
北海道大学电子科学研究所助理教授（2022-2025）
高知工业大学科学与工程学院讲师（2025-）
资质
专业 固态物理
薄膜工程
电子设备工程
实验室 名称 先进电子实验室
详情 云计算、物联网、人工智能等现代信息社会以半导体器件为支撑，其重要性与日俱增。本实验室以作为下一代半导体材料而备受关注的氧化物半导体为中心，致力于开发新的合成方法、评估其特性，以及推进利用其特性的电子领域的应用研究。我们探索氧化物电子学的前沿，创造为社会做出贡献的未来半导体器件。
附属学术会 日本应用物理古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站

水平滑动即可查看表格的其余部分。

今年讲授的讲座

教师/小组 固体物理1/
研究生院

水平滑动即可查看表格的其余部分。

研究种子

可讨论的领域 氧化物半导体
薄膜合成工艺
薄膜器件制造技术
当前研究 氧化物半导体薄膜低温合成工艺开发

氧化物半导体/绝缘膜界面的晶体结构和电子态的阐明

提高氧化物半导体薄膜晶体管的迁移率和可靠性

利用氧化物半导体提高肖特基器件的性能

留言

在这个实验室，我们对作为下一代半导体材料而备受关注的氧化物半导体的材料、工艺和器件结构进行研究。我们的目标是在材料科学和器件物理学的基础上创造氧化物半导体器件的创新技术。通过利用洁净室进行从薄膜合成到器件制造、评估和分析的所有工作，学生将培养实用和先进的研究技能。通过他们在该实验室的经验，我们的目标是培养未来能够在材料和器件领域的最前沿发挥积极作用的先锋人才。

研究成果

主要奖项等

  • 日本电气工程师协会优秀论文发表奖 A (2021)
  • 最佳论文奖（2021）第十八届薄膜材料器件研究组
  • 佐久间奖（校长奖）（2020年）高知工业大学
  • 优秀演讲奖（2019）第七届国际前沿技术研讨会
  • 讲座鼓励奖（2019）第十四届应用物理/物理学中国四国分会学术讲座
  • 鼓励奖（2018）第79届日本应用物理古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站秋季学术会议
  • 第十四届薄膜材料器件研究组最佳论文奖（2017）
  • 技术委员会鼓励奖（2016 年）发光/非发光显示联合研究组

代表性研究论文

标题 作者 出版杂志 公告年份
氢氧化铟陶瓷靶材：高迁移率薄膜晶体管技术的突破 Hikaru Sadahira、Pra古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站ant R Ghediya、Hyeonjun Kong、Akira Miura、Yasutaka Matsuo、Hiromichi Ohta、Yusaku Magari ACS 应用电子材料，第 7 卷，第 15 期，第 6952-6959 页 2025
高迁移率氧化铟薄膜晶体管的可靠运行 Pra古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站ant R Ghediya、Yusaku Magari、Hikaru Sadahira、Taka古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站i Endo、Mamoru Furuta、Yuqiao Zhu、Yasutaka Matsuo、Hiromichi Ohta 小方法，第 9 卷，第 1 期，第 1-8 页 2025
掺锌 In2O3 薄膜晶体管有效沟道厚度的热功率调制分析 吴玉章、Pra古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站ant R Ghediya、张玉桥、松尾康孝、太田弘道、Magari Yusaku 日本应用物理学杂志，第 63 卷，第 126501 期，第 1-5 页 2024
固相结晶形成的增强型多晶氧化铟薄膜晶体管的均匀性和可靠性 Naoki Okamoto、王小倩、Kotaro Morita、Yuto Kato、Alom Mir Mutakabbir、Yusaku Magari、Mamoru Furuta IEEE 电子设备通讯，第 45 卷，第 12 期，第 2403-2406 页 2024
高迁移率、高可靠性掺锌非晶In2O3基薄膜晶体管 吴玉章、Magari Yusaku、Pra古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站ant Ghediya、张玉桥、松尾康隆、太田弘道 日本应用物理学杂志，第 63 卷，第 076504 期，第 1-6 页 2024
具有大热导开关宽度的固态电化学热开关 Ziping Bian、Mitsuki Yo古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站imura、Ahrong Jeong、Haobo Li、Taka古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站i Endo、Yasutaka Matsuo、Yusaku Magari、Hidekazu Tanaka、Hiromichi Ohta 《高级科学》，第 11 卷，第 2401331 号，第 1-6 页 2024
氢掺杂氧化铟低温快速固相结晶中的成核和晶粒生长 王小倩、曲优作、古田守 日本应用物理学杂志，第 63 卷，第 03SP38 期，第 1-7 页 2024
改善富锌 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管的电子传输性能 Pra古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站ant Ghediya、Hui Yang、Taka古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站i Fujimoto、Yuqiao Zhu、Yasutaka Matsuo、Yusaku Magari、Hiromichi Ohta 物理化学杂志 C，第 127 卷，第 5 期，第 2622-2627 页 2023
高迁移率透明非晶氧化物半导体薄膜晶体管的热功率调制分析 杨辉、张玉桥、松尾康隆、曲优作、太田弘道 ACS 应用电子材料，第 4 卷，第 10 期，第 5081-5086 页 2022
晶界散射对固相结晶氢化多晶In2O3 (In2O3:H)场效应迁移率的影响 Yusaku Magari、Wenchang Yeh、To古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站iaki Ina、Mamoru Furuta 纳米材料，第 12 卷，第 2958 期，第 1-10 页 2022
全溅射工艺制造的底栅单晶硅薄膜晶体管 叶文昌、大峠海成、曲优作 日本应用物理学杂志，第 61 卷，第 086501 期，第 1-6 页 2022
使用固相结晶 In2O3:H 实现薄膜晶体管的高迁移率 (>100 cm2V-1s-1) 宋佑作、片冈大树、叶文秋、古田守 IEICE 技术报告，第 122 卷，第 8 期，第 61-64 页 2022
高迁移率氢化多晶In2O3 (In2O3:H)薄膜晶体管 Yusaku Magari、Taiki Kataoka、Wenchang Yeh、Mamoru Furuta 《自然通讯》，第 13 卷，第 1078 期，第 1-8 页 2022
用于柔性器件应用的低温退火后掺氢 In-Ga-Zn-O (IGZO:H) 薄膜中的缺陷钝化和载流子减少机制 罗斯蒂斯拉夫·维利奇科、马里优作、古田守 材料，第 15 卷，第 334 期，第 1-14 页 2022
用于薄膜晶体管的低温固相结晶形成的非简并多晶掺氢氧化铟 (InOx:H) 薄膜 片冈大树、曲优作、牧野久雄、古田守 材料，第 15 卷，第 187 期，第 1-11 页 2021
通过溅射过程中使用氢气的还原过程在 150°C 下激活 IGZO 器件 Yusaku Magari、S G Mehadi Aman、Daichi Koretomo、Mamoru Furuta SID 研讨会技术论文文摘，第 52 卷，第 1 期，第 1096-1099 页 2021
固相结晶形成的高迁移率氢化多晶In-Ga-O (IGO:H)薄膜晶体管 Mamoru Furuta、Kenta 古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站impo、Taiki Kataoka、Daiki Tanaka、To古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站ihiro Matsumura、Yusaku Magari、Rostislav Velichko、Daichi Koretomo、Emi Kawa古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站ima、Yuki Tsuruma SID 研讨会技术论文文摘，第 52 卷，第 1 期，第 69-72 页 2021
添加适量氢气对直流磁控溅射沉积氧化锡薄膜性能影响的研究 Rostislav Velichko、Yusaku Magari、Hisao Makino、Mamoru Furuta 日本应用物理学杂志，第 60 卷，第 055503 期，第 1-6 页 2021
用于柔性器件的具有阳极氧化和氟化 Al2O3 栅极绝缘体的氢化 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管 古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站uya Kono、Yusaku Magari、Marin Mori、SG Mehadi Aman、Norbert Fruehauf、Hiro古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站i Furuta、Mamoru Furuta 日本应用物理学杂志，第 60 卷，第 SBBM05，第 1-6 页 2021
In-Ga-Zn-O溅射过程中水和氢的引入对低温加工薄膜晶体管性能的影响 曲优作、古田守 日本应用物理学杂志，第 60 卷，第 SBBM04，第 1-5 页 2021
氧化物半导体和柔性器件应用的低温缺陷控制 宋佑作、古田守 IEICE 技术报告，第 120 卷，第 272 期，第 37-41 页 2020
创纪录的高性能氢化 In-Ga-Zn-O 柔性肖特基二极管 Yusaku Magari、SG Mehadi Aman、Daichi Koretomo、Kentaro Masuda、Kenta 古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站impo、Hisao Makino、Mutsumi Kimura、Mamoru Furuta ACS 应用材料与界面，第 12 卷，第 42 期，第 47739-47746 页 2020
Ar+O2+H2 溅射沉积的具有 In-Ga-Zn-O 通道的低温加工金属半导体场效应晶体管 曲优作、古田守 ECS 交易，第 98 卷，第 7 期，第 89-95 页 2020
通过应用氢化IGZO作为沟道材料，150°C处理的IGZO薄膜晶体管的可靠性显着提高 Daichi Koretomo、古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站uhei Hamada、Marin Mori、Yusaku Magari、Mamoru Furuta 《应用物理快车》，第 13 卷，第 076501 期，第 1-4 页 2020
In-Ga-Zn-O 肖特基二极管氧化银功函数工程的起源 Yusaku Magari、Hisao Makino、古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站insuke Ha古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站imoto、Mamoru Furuta 应用表面科学，第 512 卷，第 144519 号，第 1-8 页 2020
薄膜晶体管非晶 In-Ga-Zn-O 异质结通道中的量子限制效应 Daichi Koretomo、古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站uhei Hamada、Yusaku Magari、Mamoru Furuta 材料，第 13 卷，第 8 期，第 1-12 页 2020
具有氢化 In-Ga-Zn-O 堆叠沟道的低温 (150 °C) 处理金属半导体场效应晶体管 Yusaku Magari、SG Mehadi Aman、Daichi Koretomo、Kentaro Masuda、Kenta 古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站impo、Mamoru Furuta 日本应用物理学杂志，第 59 卷，第 SGGJ04，第 1-5 页 2020
非晶Ga-Sn-O薄膜器件的忆阻特性 Sumio Sugisaki、Tokiyo古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站i Matsuda、Matsunori Uenuma、To古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站ihide Nabatame、Yasuhiko Naka古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站ima、Takahito Imai、Yusaku Magari、Daichi Koretomo、Mamoru Furuta、Mutsumi Kimura 科学报告，第 9 卷，第 2757 期，第 1-7 页 2019
不同氧密度双层非晶Ga-Sn-O薄膜器件的忆阻特性 Ayata Kurasaki、Ryo Tanaka、Sumio Sugisaki、Tokiyo古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站i Matsuda、Daichi Koretomo、Yusaku Magari、Mamoru Furuta、Mutsumi Kimura 材料，第 12 卷，第 3236 期，第 1-8 页 2019
异质结沟道工程可提高非晶 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管的性能和可靠性 Mamoru Furuta、Daichi Koretomo、Yusaku Magari、SG Mehadi Aman、Ryunosuke Higa古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站i、古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站uhei Hamada 日本应用物理学杂志，第 58 卷，第 090604 期，第 1-9 页 2019
SiO2 钝化 PE-CVD 中的沉积温度和源气体对 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管性能和可靠性的影响 SG Mehadi Aman、Daichi Koretomo、Yusaku Magari、Mamoru Furuta IEEE 电子设备汇刊，第 65 卷，第 8 期，第 3257-3263 页 2018
薄膜晶体管中 Ar+O2+H2 溅射 In-Ga-Zn-O 的低温（150 °C）激活 SG Mehadi Aman、Yusaku Magari、Kenta 古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站impo、Yuya Hirota、Hisao Makino、Daichi Koretomo、Mamoru Furuta 《应用物理快报》，第 11 卷，第 081101 期，第 1-4 页 2018
InGaZnOX/AgOX氧化物异质肖特基界面和柔性器件应用的起源 宋佑作、牧野久夫、桥本信介、滨田健一郎、增田健太郎、古田守 IEICE 技术报告，第 118 卷，第 1 期，第 33-36 页 2018
适用于柔性器件应用的低温处理 InGaZnO MES-FET 古田守、曲优作、桥本信介、滨田健一郎 ECS 交易，第 79 卷，第 1 期，第 43-48 页 2017
Ar 和 He 等离子体处理的 In-Ga-Zn-O 薄膜中的载流子生成机制和亚带隙态的起源 曲优作、牧野久雄、古田守 ECS 固体科学与技术学报，第 6 卷第 8 期，第 Q101-Q107 页 2017
使用可涂层有机绝缘体在 150 °C 下制造的高性能顶栅和自对准 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管 户田达也、辰冈源吾、曲优作、古田守 IEEE 电子设备通讯，第 37 卷，第 8 期，第 1006-1009 页 2016
等离子体处理低电阻IGZO区域的形成及其在自对准TFT中的应用 宋佑作、户田达也、牧野久雄、古田守 IEICE 技术报告，第 115 卷，第 439 期，第 41-44 页 2016
用于柔性器件的具有有机栅极绝缘体的低温处理和自对准InGaZnO薄膜晶体管 古田守、户田达也、辰冈源吾、曲优作 ECS 交易，第 75 卷，第 10 期，第 117-122 页 2016

水平滑动即可查看表格的其余部分。

学术演讲、讲座等

  1. 满足下一代 FPD 要求的高迁移率稳定氧化物薄膜晶体管，第 72 届日本应用物理古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站春季会议（2025 年）
  2. 具有高可靠性的高迁移率氧化铟薄膜晶体管，电化学协会 (ECS) PRiME 2024 (2024)
  3. 高迁移率氧化物TFT最新进展，综合研究推进委员会第八届透明氧化物光电材料研究组（2024）
  4. 固相结晶气氛对 In2O3:H 薄膜晶体管性能的强烈依赖性，材料研究会议 (MRM) (2023)
  5. 多晶In2O3:H薄膜晶体管特性的固相结晶气氛依赖性，第84届日本应用物理古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站秋季会议（2023年）
  6. 高基压下脉冲激光沉积多晶 In2O3:H 通道的高迁移率薄膜晶体管，第 23 届国际信息显示会议 (IMID)（2023 年）
  7. 通过脉冲激光沉积在不同基础压力下沉积的高迁移率 In2O3:H 薄膜和薄膜晶体管，亚太先进半导体器件研讨会 (AWAD) (2023)
  8. 通过低温固相结晶制造的高迁移率多晶 In2O3:H 薄膜晶体管，第 30 届有源矩阵平板显示器和设备国际研讨会 (AM-FPD'23) (2023)
  9. 高基压脉冲激光沉积高迁移率In2O3:H薄膜晶体管，第四届功能材料科学研讨会（FMS）（2023）
  10. 高迁移率In2O3薄膜晶体管的基压控制制造，ULSIC VS TFT 8 (2023)
  11. 高背压下通过 PLD 制备高迁移率 In2O3 薄膜，第 70 届日本应用物理古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站春季会议（2023 年）
  12. 固相结晶高迁移率 (>100 cm2V−1s−1) In2O3:H 薄膜晶体管，第 29 届国际显示研讨会 (IDW) (2022)
  13. 通过固相结晶实现超过 100 cm2V−1s−1 高迁移率的氢化多晶 In2O3 (In2O3:H) 薄膜晶体管，第 242 届电化学古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站 (ECS) (2022)
  14. 使用固相结晶 In2O3:H (>100 cm2V−1s−1) 的薄膜晶体管的高迁移率，硅材料与器件研究组 (SDM) (2022)
  15. 氢化In2O3 (In2O3:H)固相结晶温度对载流子传输性能的影响，第69届日本应用物理古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站春季会议（2022年）
  16. 氧化物半导体的低温形成技术及柔性器件应用，日本电气工程师古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站电子材料研究小组（2021）
  17. 高迁移率氢化多晶In2O3:H薄膜晶体管，第18薄膜材料与器件研究组（2021）
  18. 高迁移率氢化In2O3薄膜晶体管，第82届日本应用物理古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站秋季学术会议（2021）
  19. 通过溅射过程中使用氢气的还原工艺在 150°C 下激活 IGZO 器件，2021 年 SID 显示周研讨会 (2021)
  20. 氧化物半导体低温缺陷控制及柔性器件应用，电子信息与通信工程师古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站（2020）
  21. 氧化物半导体柔性器件，高知化学研讨会（2020）
  22. Ar+O2+H2 溅射沉积的具有 In-Ga-Zn-O 通道的低温加工金属半导体场效应晶体管，第 238 届电化古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站 (ECS) PRiME (2020)
  23. In-Ga-Zn-O 溅射过程中引入水和氢对低温加工薄膜晶体管性能的影响，国际固态器件与材料会议 (SSDM) (2020)
  24. 氢化In-Ga-Zn-O的表面和体电子态评估，第81届日本应用物理古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站秋季会议（2020年）
  25. 氧化物半导体肖特基柔性器件，先进技术联合展（CEATEC）（2019）
  26. Ar+O2+H2溅射In-Ga-Zn-O薄膜的电子态评估，第80届日本应用物理古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站秋季会议（2019）
  27. InGaZnO/AgxO氧化物异质界面肖特基二极管特性的起源，第七届国际前沿技术研讨会（2019）
  28. 氧化物半导体肖特基结控制与金属半导体场效应晶体管应用，第十四届应用物理中四国分会学术会议（2019）
  29. 通过Ar+O2+H2溅射In-Ga-Zn-O改善肖特基二极管特性，第66届日本应用物理古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站春季会议（2019）
  30. 反应溅射沉积的氧化银薄膜的 XPS 分析，第七届国际透明导电材料研讨会 (TCM)（2018 年）
  31. 通过Ar+O2+H2溅射In-Ga-Zn-O改善肖特基二极管特性，第79届日本应用物理古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站秋季学术会议（2018）
  32. InGaZnOX/AgOX 氧化物异质肖特基界面和柔性器件应用的起源，硅材料与器件研究组 (SDM) (2018)
  33. 使用 InGaZnO/AgOX 氧化物异质界面评估肖特基特性，第 65 届日本应用物理古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站春季会议（2018 年）
  34. 利用He和Ar等离子体的InGaZnOX导电层形成机制及自对准晶体管应用，第14届薄膜材料与器件研究组（2017）
  35. XPS 分析 He 和 Ar 等离子体处理的 InGaZnO 中的载流子生成机制，第 29 届国际半导体缺陷会议 (ICDS)（2017 年）
  36. 采用 In-Ga-Zn-O/AgOx 肖特基栅极的低温处理金属半导体场效应晶体管，第 230 届电化学古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站 (ECS) PRiME (2016)
  37. 通过等离子体处理形成低电阻 IGZO 区域及其在自对准 TFT 中的应用 - 等离子体处理期间基板偏压的影响 -，发光和非发光显示器联合研究组 (2016)
  38. 利用X射线光电子分析InGaZnO中的载流子生成机制〜He等离子体处理期间的基板偏置效应〜，第76届日本应用物理古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站秋季学术会议（2015年）
  39. 自对准薄膜晶体管通过衬底偏压等离子处理形成的热稳定 In-Ga-Zn-O 同质结，第 15 届国际信息显示会议 (IMID)（2015 年）
  40. 通过等离子体处理形成IGZO TFT的源极/漏极区域〜气体种类和基板偏压对电阻率及其热稳定性的影响〜，第62届日本应用物理古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站春季会议（2015年）

科研经费

KAKEN 是国家信息研究所提供的一项服务。

分类 研究主题 研究类别 研究期 作业编号
代表 使用半导体激光器的氧化物半导体的单晶带生长和高性能柔性器件的创建 年轻研究员 2022 - 2026 年（计划） 22K14303

水平滑动即可查看表格的其余部分。

社会贡献和公共关系活动

外部委员会成员、学术活动等

  1. 日本应用物理古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站北海道分会会计秘书（2024-2025）
  2. 国际信息显示会议 (IMID) 程序委员会（2024 年-）
  3. 应用物理古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站计划委员会（2024-）
  4. 薄膜材料与器件研究组组委会成员（2022-）
  5. 国际固态器件和材料会议 (SSDM) 程序委员会（2022-）

水平滑动即可查看表格的其余部分。