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消息

该实验室正在对氧化物半导体的材料，过程和装置结构进行研究，这些材料，过程和设备结构吸引了作为下一代半导体材料的注意力。基于材料科学和设备物理，我们旨在在氧化物半导体设备中创新技术。通过始终如一地执行从古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站合成到设备制造，使用清洁室的评估和分析的所有内容，我们可以开发实用和先进的研究能力。通过我们在这个实验室的经验，我们旨在开发先锋人力资源，这些人力资源将来可以在材料和设备领域的最前沿。

古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站成就

主要奖项等

• 出色的纸介绍奖A（2021）电气工程师学院，一般公司协会
• 最佳纸张奖（2021）第18古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站材料设备研究小组
• Sakuma奖（总统奖）（2020）古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站技术大学
• 杰出演示奖（2019年）第七届国际边境古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站研讨会
• 演讲鼓励奖（2019）14th Chugoku-Shikoku分支学术讲座
• 演讲鼓励奖（2018）应用物理协会第79届秋季学术讲座
• 最佳纸张奖（2017）14th古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站材料设备研究小组
• 古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站委员会鼓励奖（2016）发光/非发射显示联合研究小组

特别古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站论文

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学术演示，讲座等

1. 稳定的氧化物古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站晶体管具有较高的迁移率，满足下一代FPD的要求，第72春季应用物理学会（2025）
2. 具有高可靠性，电化学学会（ECS）Prime 2024（2024）
3. 有关高动力氧化物TFT的最新发展，一般古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站鼓励协会8th透明氧化物光和电子材料古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站小组（2024）
4. 固相结晶气氛对In2O3的性能的强依赖性：H古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站晶体管，材料研究会议（MRM）（2023）
5. polycrystalline in2O3：h古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站晶体管特征取决于固相结晶大气，第84次应用物理学会（2023）
6. 高弹性古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站晶体管，带有多晶In2O3：H频道在高基础压力下通过脉冲激光沉积沉积的H通道，第23届国际信息显示（IMID）（IMID）（IMID）（2023）
7. 2O3：H古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站和古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站晶体管在不同的基本压力下沉积在不同的基本压力下，通过脉冲激光沉积，高级半导体设备（AWAD）（AWAD）（2023）
8. 高动力多晶In2O3：H古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站晶体管通过低温固相结晶制造，第30届Active-Matrix Flatpanel显示器和设备（AM-FPD'23）（AM-FPD'23）（2023）（2023）（2023）（2023）（2023）（2023）（2023）（2023）（2023）（2023）（2023）（2023）（2023）（2023）（2023））
9. 2O3：H古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站晶体管在高层压力下通过脉冲激光沉积，第四次功能材料科学研讨会（FMS）（2023）
10. 2O3古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站晶体管中高弹性的基本压力控制的制造，ulsic vs tft 8（2023）
11. 在高压下，PLD在2O3古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站中制造高移动性，在高压下，第70届应用物理学会的春季学术讲座（2023）
12. 高动力（> 100 cm2v-1s-1）In2O3：h古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站晶体管通过固相结晶，第29个国际展示研讨会（IDW）（2022）
13. 氢化的多晶In2O3（In2O3：H）通过固相结晶超过100 cm2v-1s-1的古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站晶体管，第242台电化学社会（ECS）（2022）（2022）
14. 具有固相结晶的古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站晶体管的高迁移率在2O3：h（> 100 cm2v-1s-1），硅材料和设备研究协会（SDM）（2022）
15. 氢化In2O3（IN2O3：H）固相结晶温度对载体传输特性的影响，应用物理学协会的第69春季学术讲座（2022）
16. 用于氧化物半导体的冷温地层古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站和灵活设备的应用，电气工程师学会电子材料研究小组（2021）
17. 高迁移率氢化多晶In2O3：H古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站晶体管，第18层古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站材料设备研究组（2021）
18. 高动力在2O3古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站晶体管中氢化，应用物理学会的第82秋季学术讲座（2021）
19. 在150°C的Igzo古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站通过溅射过程中使用氢气在150°C激活，SID显示周周刊2021（2021）
20. 氧化物半导体，电子，信息和通信工程师古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站所的冷冻温度缺陷控制和灵活的设备应用（2020）
21. 氧化物半导体柔性装置，古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站的化学研讨会（2020）
22. 低温加工金属 - 轴导剂场效应古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站管，由Ar+O2+H2溅射沉积的– GA – ZN – O通道，第238次电化学学会（ECS）PRIME（2020）PRIME（2020）
23. 在–GA – Zn – O溅射过程中水和氢引入对低温加工古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站晶体管的性能，固态设备和材料国际会议（SSDM）（2020）
24. 评估– GA – Zn – O中氢化的表面和散装电子状态，第81届应用物理学会的秋季学术讲座（2020）
25. 氧化物半导体Schottky柔性装置，高级古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站的联合展览（Ceatec）（2019）
26. 评估AR+O2+H2的电子状态在– Ga – Zn – O古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站中溅射，应用物理学协会的第80届秋季学术讲座（2019）
27. Ingazno/Agxo氧化物杂种界面中Schottky Diode Properties的起源，第七届国际边境古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站研讨会（2019）
28. 氧化物半导体肖特基连接控制和金属半导体场效应古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站管应用，chugoku的第14个学术讲座和应用物理系统的Shikoku分支（2019）
29. 使用AR+O2+H2溅射在GA – ZN – O中改进Schottky二极管特征，第66春季应用物理学会（2019）
30. 通过反应性溅射沉积的银 - 氧化物膜的XPS分析，第七届国际研讨会透明导电材料（TCM）（2018）
31. 使用AR+O2+H2溅射在GA – ZN – O，第79届应用物理学会（2018）
32. Ingaznox/Agox氧化物HeteroSchottky界面和灵活设备应用，硅材料和设备古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站协会（SDM）（2018）
33. 由Ingazno/Agox Oxide Heterointerface，Schottky表征评估，应用物理学会的第65春季学术讲座（2018）
34. 由He和AR等离子体和自我对准晶体管的应用Ingaznox导电层形成机理，第14层古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站材料设备研究协会（2017）
35. XPS分析He-和Ar-plasma处理的Ingazno中的载体生成机制，第29届半导体缺陷国际会议（ICDS）（ICDS）（2017）
36. 带有GA-Zn-O/Agox Schottky Gate，第230电化学学会（ECS）Prime（2016）
37. 通过血浆处理及其在血浆治疗过程中底物偏置的效果 - 发射非发射显示集团（2016）的联合古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站小组，通过血浆处理及其应用于自我对准的TFT的表达（2016）
38. 使用X射线光电子的Ingazno载体生成机制的分析 - 血浆治疗期间的底物偏置效应 - 第76秋季应用物理学会（2015）
39. 由血浆治疗以底物偏差为单位的古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站晶体管（Information of Information of Information of Information on Informagh Display（IMID）（2015）
40. 通过血浆处理Igzo TFT的来源和排水区域形成：气体物种和底物偏置对电阻率及其热稳定性的影响，第62春季应用物理学会（2015）

科学古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站隶属关系

Kaken是美国国家信息学院提供的服务。

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社会贡献和公共关系活动

外部委员会成员，学术会议活动等

1. 会计秘书，北海道分公司，应用物理学会（2024-2025）
2. 国际信息显示（IMID）计划委员会成员（2024-）
3. 应用物理协会计划委员会（2024-）
4. 古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站材料设备研究小组（2022-）的安排委员会
5. 固态古天乐太阳娱乐集团tyc493官方网站和材料国际会议（SSDM）计划委员会（2022-）

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