教职人员

语言 ≫ 日语
nitta-noriko-2jpg

副教授
新田纪子

古天乐太阳娱乐集团tyc493高知工业大学工学博士,2004 年

专业领域 材料工程
实验室/研究办公室 材料古天乐太阳娱乐集团tyc493实验室
我们使用加速器和电子显微镜研究纳米级能量束(离子和电子)照射半导体材料的效果。使用透射电子显微镜 (TEM) 进行评估,该显微镜利用短波长电子而不是光来检查纳米级材料(1 纳米是十亿分之一米)。除了研究能量束辐照对材料造成的损伤外,我们还致力于在极端非平衡条件下对材料进行改性并创造新的纳米材料。此外,我们正在探索使用人工智能来分析从电子显微镜获得的图像。
当前研究主题 材料的离子束辐照
教育背景 2004年:高知工业大学博士
2002:高知工业大学硕士
专业背景 2023-2025:高知工业大学副教授
2018-2025:高知工业大学副教授
2017-2018:讲座,高知工业大学
2017-2020:美国国家量子与放射古天乐太阳娱乐集团tyc493技术研究院访问合作研究员
2014:讲座,高知工业大学
2011:讲座,高知工业大学
2011:讲座,高知工业大学
2008:神户大学助理教授
2007:PD,神户大学
2006:讲座,京都大学
2006:助理,高知工业大学
2005:助理,高知工业大学
2004:古天乐太阳娱乐集团tyc493学术振兴会 PD
2002:DC1,古天乐太阳娱乐集团tyc493学术振兴会
许可证 危险材料工程师执照 B 级第 4 组,2004 年
学术团体 古天乐太阳娱乐集团tyc493金属材料研究所
日本应用古天乐太阳娱乐集团tyc493学会
古天乐太阳娱乐集团tyc493钢铁研究所
古天乐太阳娱乐集团tyc493材料学会

您可以通过侧面滑动来查看表格的延续。

课程

* 以英语提供的课程带有 (E) 标记

本古天乐太阳娱乐集团tyc493校
  • 材料强度
  • 计算机知识
  • 古天乐太阳娱乐集团tyc493和材料实验
  • 毕业论文
  • 实习
研究生院
  • 先进金属材料与工程
  • 研讨会 1
  • 研讨会 2
  • 研讨会 3
  • 研讨会 4
  • 毕业生个人作品

您可以通过侧面滑动来查看表格的延续部分。

研究活动

研究论文
  1. 作者:臼井宏之、中西琴乃、米川圭介、小岛遥、土美泰弘、大石直人、新田纪子、坂口博树
    标题:叶绿素a和b涂层增强TiO2/MnO2复合电极的光电化学电容反应
    期刊:ACS 应用。生物材料,卷。 7,第 3629-3635 页
    年份:2024 年
  2. 作者:Hiroyasu Watanabe、Hiroyuki Usui、Yasuhiro Domi、Kurumi Uetake、Naoto Oishi、NITTA Noriko、Haruki Kurokawa、Hiroki Sakaguchi
    标题:由赤铁矿和氧化物电解质组成的固态锂电池
    期刊:材料快报,卷。 368,p。 136674
    年份:2024 年
  3. 作者:大石直人、东出夏美、新田纪子
    标题:通过在 Ge 上沉积 Au 来控制投影范围的离子照射诱导纳米孔/柱的形成
    期刊:J Appl。古天乐太阳娱乐集团tyc493,卷。 135,p。 144301
    年份:2024 年
  4. 作者:臼井裕之、土美泰弘、山本裕也、星武雄、田中俊之、大石直人、新田纪子、坂口博树
    标题:用于先进储锂材料的具有层状岩盐结构的镍掺杂二氧化钛
    期刊:ACS 应用电子材料,卷。 5,第 6292-6304 页
    年份:2023 年
  5. 作者:臼井宏之、土美泰宏、田中智之、竹本正孝、大石直人、新田纪子、坂口宏树
    标题:金红石 TiNbO4 的储钠反应
    期刊:电化学通讯,卷。 115,p。 107579
    年份:2023 年
  6. 作者:大石直人、安冈达也、川原村敏之、新田纪子
    标题:用于锗表面纳米结构的离子束溅射与点缺陷自组织之间的竞争
    期刊:真空古天乐太阳娱乐集团tyc493与技术杂志 A,卷。 41,p。 063101
    年份:2023
  7. 作者:大石直人、上田贵宏、新田纪子
    标题:半导体材料中离子辐照诱导的纳米孔/纤维形成和面空位分布
    期刊:应用古天乐太阳娱乐集团tyc493学杂志,卷。 133,p。 204301
    年份:2023 年
  8. 作者:大石直人、古贺文宏、新田纪子
    标题:锗中 FIB 诱导的纳米孔结构形成的离子束通量依赖性
    期刊:真空,卷。 213,p。 112123
    年份:2023
  9. 作者:大石直人、村尾芳树、新田纪子、土田英次、富田繁雄、笹公一、平田浩一、柴田宏美、平野吉美、山田圭介、千叶敦也、齐藤佑一、 鸣海一正、星野靖
    标题:C60 离子辐照引起的硅上纳米结构的形态变化
    期刊:真空古天乐太阳娱乐集团tyc493与技术杂志 A,第 40 期,第 063103-1-063103-7 页
    年份:2022 年
  10. 作者:Hiroyuki Usuia、Yasuhiro Domia、Isaki Ueharab、Yoshitatsu Itodab、Eiji Iwamab、Naoto Oishi、Noriko Nitta、Hiroki Sakaguchi
    标题:通过三元储钠反应增强CeO2/Sb2O3复合电极的循环性能
    期刊:国际陶瓷,卷。 48,第 23 期,第 35593-35598 页
    年份:2022 年
  11. 作者:村尾芳树、新田纪子、铃木克赖
    标题:利用电子束光刻和离子束辐照在Ge表面制造有序纳米结构
    期刊:日本应用古天乐太阳娱乐集团tyc493学杂志,卷。 59,第 035001-1-035001-6 页,IOPscience
    年份:2020 年
  12. 作者:重松浩司、森田健二、横山一宏、新田纪子、谷胁雅文
    标题:温度对利用聚焦离子束通过空隙形成和发展来制造 GaSb 纳米电池晶格的影响
    期刊:日本应用古天乐太阳娱乐集团tyc493学杂志,卷。 58,第 3 期,第 065003-1-065003-7 页
    年份:2019
  13. 作者:Syuhei Yamashita、Tomoya Oishi、Takashi Miyaji、Chiaki Watanebe、Noriko Nitta
    标题:通过非法线角离子束照射制备倾斜的InSb纳米结构
    期刊:哲学杂志快报,卷。 98,第 10 期,第 1-10 页
    年份:2019
  14. 作者:佐藤翔太、Noriko Nitta、Masahito Sakamoto、Li Liu、Phimolphan Rutthongjan、Misaki Nishi、Mariko Ueda、Tatsuya Yasuoka、Ryo Hasekawa、Yuki Tagashira、Tamako Ozaki、Ellawala Kankanamge Chandima Pradeep、Giang T Dang、Toshiyuki Kawaharamura
    标题:利用常压溶液雾气CVD在低生长温度下制备大面积均匀二硫化钼层状薄膜的挑战
    期刊:日本应用古天乐太阳娱乐集团tyc493学杂志,卷。 57,p。 110306,日本应用古天乐太阳娱乐集团tyc493学会
    年份:2018
  15. 作者:大石智也、新田纪子
    标题:离子束辐照在Ge表面形成纳米孔结构
    期刊:J J Appl。古天乐太阳娱乐集团tyc493,卷。 57,第 0913101-1-0913101-6
    年份:2018
  16. 作者:土田英次、新田纪子、柳田佑介、奥村佑哉、村濑龙
    标题:​用快速铜簇离子辐照的 GaSb 表面的纤维结构
    期刊:J Appl。古天乐太阳娱乐集团tyc493,卷。 123,第 161548 号,第 1-7 页,AIP 出版
    年份:2017
  17. 作者:宫地隆、新田纪子
    标题:离子束辐照在 InSb 表面形成纳米孔结构
    期刊:纳米材料,卷。 204,7号,MDPI
    年份:2017
  18. 作者:Yusuke Yanagida、Tomoya Oishi、Takashi Miyaji、Chiaki Watanabe、Noriko Nitta
    标题:GaSb、InSb 和 InSb 中纳米孔结构的形成
    期刊:纳米材料,卷。 180,7号,MDPI
    年份:2017
  19. 作者:河原村敏之、Dang Thai Giang、NITTA Noriko
    标题:基于莱顿弗罗斯特液滴的雾化化学气相沉积多量子阱大气压外延生长技术
    期刊:​应用。古天乐太阳娱乐集团tyc493。快报,卷。 109,第15期,AIP出版期刊
    年份:2016 年
  20. 作者:石川修、新田纪子、谷胁雅文
    标题:通过离子束辐照制造高纵横比纳米细胞晶格
    期刊:应用表面古天乐太阳娱乐集团tyc493,卷。 385,第 515-520 页
    年份:2016
  21. 作者:KOHNO Hideo、Y Masuda、NITTA Noriko
    标题:具有佩斯利形褶皱的扁平多壁碳纳米管束的形成和结构
    期刊:纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493与纳米技术快报,卷。 7,第 675-678 页
    年份:2015 年
  22. 作者:MOMOTA Sadao、郭小伟、NITTA Noriko、YAMAGUCHI Takaharu、Noriyuki Satou、Hideto Tokaji
    标题:氪束辐照硅晶体机械性能的改性
    期刊:应用表面古天乐太阳娱乐集团tyc493,卷。 349,第 123-128 页,爱思唯尔
    年份:2015 年
  23. 作者:桃田定夫、郭小伟、新田纪子、前田一树
    标题:低通量离子束辐照引起的硅晶体表面结构的横向变形
    期刊:表面科学与纳米技术电子期刊,卷。 13,第 35-41 页,古天乐太阳娱乐集团tyc493表面科学会
    年份:2015 年
  24. 作者:李鑫、李朝阳、河原村敏之、王大鹏、新田纪子、古田守、古田宏、八田明光
    标题:通过雾化学气相沉积法制备氧化锌纳米结构
    期刊:​Trans。垫。资源。苏克。古天乐太阳娱乐集团tyc493,卷。 39,第 2 期,第 161-164 页
    年份:2014 年
  25. 作者:李鑫、李朝阳、河原村敏之、王大鹏、新田纪子、古田守、古田宏、八田明光
    标题:底物对形成的影响
    期刊:​纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493与纳米技术快报,卷。 6,第 174-180 页,美国古天乐太阳娱乐集团tyc493出版社
    年份:2014 年
  26. 作者:HARIGAI Toru、IWASA Koyo、KOJI Hirofumi、NITTA Noriko、FURUTA Hiroshi、HATTA Akimitsu
    标题:纳米纤维自组织形成分析
    期刊:古天乐太阳娱乐集团tyc493材料研究会学报,卷。 38,第 3 期,第 447-450 页,古天乐太阳娱乐集团tyc493材料研究会
    年份:2013
  27. 作者:Tooru Harigai、Yuuki Yasuoka、NITTA Noriko、FURUTA Hiroshi、HATTA Akimitsu
    标题:​通过射频等离子体 CVD 在硅衬底上沉积类金刚石碳膜的初始阶段以及通过氧等离子体蚀刻去除亚表面层的 X 射线反射率分析
    期刊:金刚石及相关材料,卷。 38,第 36-40 页,爱思唯尔
    年份:2013 年
  28. 作者:Hirofumi Koji、FURUTA Hiroshi、Kazuki Sekiya、NITTA Noriko、Toru Harigai、HATTA Akimitsu
    标题:​通过在 Fe/Al 催化剂薄膜上添加一层薄镍层来提高 CNT 生长密度
    期刊:钻石及相关材料
    年份:2013
  29. 作者:NITTA Noriko、HASEGAWA Tokiya、H Yasuda、K Sato、Q Xu、T Yoshiie、TANIWAKI Masafumi、HATTA Akimitsu
    标题:​III-V 族化合物半导体中离子辐照诱导的多孔结构的束流依赖性
    期刊:固体中的辐射效应和缺陷,卷。 168,第 4 期,第 247-252 页
    年份:2013 年
  30. 作者:KOJI Hirofumi、FURUTA Hiroshi、SEKIYA Kazuki、NITTA Noriko、HARIGAI Toru、HATTA Akimitsu
    标题:​通过在 Fe/Al 催化剂薄膜上添加一层薄镍层来提高 CNT 生长密度
    期刊:钻石和相关材料,爱思唯尔
    年份:2013 年
  31. 作者:Hirofumi Kouji、Tooru Harigai、NITTA Noriko、FURUTA Hiroshi、HATTA Akimitsu
    标题:在 Fe/Al 多层催化剂膜上磁控溅射沉积额外的 Ni 薄膜用于控制碳纳米管的生长
    期刊:古天乐太阳娱乐集团tyc493材料研究会学报,卷。 37,第4期,第511-514页,古天乐太阳娱乐集团tyc493材料研究会
    年份:2012 年
  32. 作者:H Yasuda、K Matsumoto、T Furukawa、M Imamura、NITTA Noriko、H Mori
    标题:Si (111) 表面生长的 GaAs 纳米晶体中厚度依赖性结构转变
    期刊:晶体生长杂志,卷。 314,第 1 期,第 365-369 页
    年份:2011
  33. 作者:森田沙代、新田纪子、谷胁雅文
    标题:利用聚焦离子束诱导的点缺陷行为在 InSb 上制造纳米电池
    期刊:表面与涂层技术,卷。 206,第 5 期,第 792-796 页
    年份:2011
  34. 作者:NITTA Noriko、T Hasekawa、H Yasuda、Y Hayashi、T Yoshiie、TANIWAKI Masafumi
    标题:在受控衬底温度下通过离子辐照在Ge表面形成缺陷结构
    期刊:材料交易,卷。 52,第 2 期,第 14 页。 127–129
    年份:2011
  35. 作者:NITTA Noriko、E Taguchi、H Yasuda、H Mori、Y Hayashi、T Yoshiie、TANIWAKI Masafumi
    标题:GaSb离子和电子辐照诱发的二次缺陷
    期刊:哲学杂志快报,卷。 91,第 223-228 页
    年份:2011
  36. 作者:Tai Jan Dan、KAWAHARAMURA Toshiyuki、NITTA Noriko、HIRAO Takashi、T Yoshiie、TANIWAKI Masafumi
    标题:室温下注入 60 keV Sn 离子的热液 ZnO 的光致发光、形貌和结构
    期刊:J Appl。古天乐太阳娱乐集团tyc493,卷。 109,p。 123516
    年份:2011
  37. 作者:新田纪子、相泽洋太、长谷川时也、安田秀宏
    标题:​GaSb 中低能电子辐照引起的结构变化
    期刊:哲学杂志快报,卷。 91,第 676-681 页
    年份:2011
  38. 作者:新田纪子、长谷川时也、安田秀宏、林义彦、吉家利正、谷胁雅文、森广太郎
    标题:​GaSb 和 InSb 中重离子辐照引起的空洞形成和结构变化
    期刊:材料交易,卷。 51,第 1059-1063 页
    年份:2010
  39. 作者:H T Sun、M Fujii、NITTA Noriko、M Mizuhata、H Yasuda、S Deki、S Hayashi
    标题:镍掺杂镁橄榄石纳米晶的熔盐合成及表征
    期刊:美国陶瓷学会杂志,卷。 92,第 4 期,第 962-966 页
    年份:2009 年
  40. 作者:Sun Hong-Tao Sun、Fumiaki Shimaoka、Minoru Fujii、Noriko Nitta、Minoru Mizuhata、Hidehiro Yasuda、Shigehito Deki、Shinji Hayashi
    标题:Er3+和Ni2+掺杂单晶Al18B4O33纳米棒的一步合成及其近红外发光性能
    期刊:纳米技术,卷。 20,p。 035604
    年份:2009 年
  41. 作者:孙洪涛、藤井稔、新田纪子、岛冈文明、水畑稔、林真司、安田秀宏、Deki 重人
    标题:硅酸铒纳米结构的受控合成及其发光性能
    期刊:纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493与纳米技术杂志,卷。 9,第 11 期,第 6277-6282 页
    年份:2009
  42. 作者:Noriko Nitta、Sayo Morita、Masafumi Taniwaki
    标题:离子束诱导点缺陷半导体自组织行为的纳米电池制造
    期刊:表面和涂层技术,卷。 203,第 17-18 期,第 2463-2467 页
    年份:2009
  43. 作者:孙宏涛、藤井稔、新田纪子、岛冈文明、水畑稔、安田秀宏、Deki茂仁、林真司
    标题:硅酸镱纳米结构的大规模可控合成与表征
    期刊:美国陶瓷学会杂志,卷。 91,第 12 期,第 4158-4161 页
    年份:2008
  44. 作者:H Yasuda、A Tanaka、N Nitta、K Matsumoto、H Mori
    标题:GaSb纳米粒子低能电子激发诱导相分离过程
    期刊:古天乐太阳娱乐集团tyc493学杂志:会议系列,卷。 100,p。 052081
    年份:2008
  45. 作者:H Yasuda、A Tanaka、K Matsumoto、N Nitta、H Mori
    标题:通过电子激发诱导空位簇形成多孔GaSb化合物纳米颗粒
    期刊:古天乐太阳娱乐集团tyc493评论快报,卷。 100,第 10 期,第 10 页。 105506
    年份:2008
  46. 作者:Noriko Nitta、Yukari Ohoka、Koichi Sato、Qiu Xu、Yoshihiko Hayashi、Toshimasa Yoshiie、Masafumi Taniwaki
    标题:​离子辐照下表面下沉对 GaSb 和 InSb 中空洞形成的影响
    期刊:材料交易,卷。 49,第 7 期,第 1546-1549 页
    年份:2008 年
  47. 作者:Hiroshi Kanbe、Masayuki Miyaji、Mami Hirose、Noriko Nitta、Masafumi Taniwaki
    标题:通过透射电子显微镜分析晶圆键合的 Ge/Si 异质结
    期刊:应用古天乐太阳娱乐集团tyc493快报,卷。 91,第 14 期,第 14 页。 142119
    年份:2007 年
  48. 作者:T Yoshiie、N Nitta、M Taniwaki
    标题:低温锡辐照 GaSb 中空洞膨胀的动力学蒙特卡罗模拟
    期刊:古天乐太阳娱乐集团tyc493研究中的核仪器和方法 B 部分:束流与材料和原子的相互作用,卷。 255,第 1 期,第 120-123 页
    年份:2007 年
  49. 作者:新田纪子、谷胁雅文
    标题:利用离子注入引起的点缺陷进行纳米制造
    期刊:表面和涂层技术,卷。 201,第 19-20 期,第 8521-8525 页
    年份:2007 年
  50. 作者:新田纪子、谷胁正文
    标题:​利用离子辐照引起的点缺陷的自组织行为开发纳米制造技术
    期刊:Physica B,卷。 376-377,第 872-876 页
    年份:2006 年
  51. 作者:Noriko Nitta、Masafumi Taniwaki、Yshihiko Hayashi、Toshimasa Yoshiie
    标题:离子注入引起的点缺陷形成的细胞结构
    期刊:Physica B,卷。 376-377,第 881-885 页
    年份:2006 年
  52. 作者:新田纪子、谷胁正文
    标题:利用离子束的新型纳米制造技术
    期刊:古天乐太阳娱乐集团tyc493研究中的核仪器和方法 B 部分:束流与材料和原子的相互作用,卷。 206,第 482-485 页
    年份:2003 年
  53. 作者:Noriko Nitta、Masafumi Taniwaki、Tomoo Suzuki、Yoshihiko Hayashi、Yuhki Satoh、Toshimasa Yoshiie
    标题:低温Sn离子注入在GaSb表面形成异常缺陷结构
    期刊:材料交易,卷。 43,第 4 期,第 674-680 页
    年份:2002年
  54. 作者:Noriko Nitta、Masafumi Taniwaki、Yoshihiko Hayashi、Toshimasa Yoshiie
    标题:低温离子注入GaSb上胞状缺陷结构的形成
    期刊:应用古天乐太阳娱乐集团tyc493学杂志,卷。 92,第 4 期,第 1799-1802 页
    年份:2002 年
古天乐太阳娱乐集团tyc493政府的科学研究补助金
  1. 项目名称:半导体中低能电子辐照形成纳米晶体
    类别:青年古天乐太阳娱乐集团tyc493家资助金 (B)
    项目编号:24760539
    项目期限:2012-2014年
    预算总额:4,810,000日元
    关键字:

您可以通过侧面滑动来查看表格的延续部分。

社交活动

您可以通过侧面滑动来查看表格的延续部分。