教职人员

副教授
新田纪子

Doctor of Engineering, Kochi University of Technology, Japan, 2004

Affiliation:

- 工程古天乐太阳娱乐集团tyc493学院
- 环境古天乐太阳娱乐集团tyc493与工程学院
- 材料古天乐太阳娱乐集团tyc493与工程，工程系，工程研究生院
个人网站：https://sitesgooglecom/view/materialssciencelaboratory
researchmap：https://researchmapjp/nitta

专业领域	材料工程
实验室/研究办公室	材料古天乐太阳娱乐集团tyc493实验室我们使用加速器和电子显微镜研究纳米级能量束（离子和电子）照射半导体材料的效果。使用透射电子显微镜 (TEM) 进行评估，该显微镜利用短波长电子而不是光来检查纳米级材料（1 纳米是十亿分之一米）。除了研究能量束辐照对材料造成的损伤外，我们还致力于在极端非平衡条件下对材料进行改性并创造新的纳米材料。此外，我们正在探索使用人工智能来分析从电子显微镜获得的图像。
当前研究主题	材料的离子束辐照
教育背景	2004年：高知工业大学博士 2002：高知工业大学硕士
专业背景	2023-2025：高知工业大学副教授 2018-2025：高知工业大学副教授 2017-2018：讲座，高知工业大学 2017-2020：美国国家量子与放射古天乐太阳娱乐集团tyc493技术研究院访问合作研究员 2014：讲座，高知工业大学 2011：讲座，高知工业大学 2011：讲座，高知工业大学 2008：神户大学助理教授 2007：PD，神户大学 2006：讲座，京都大学 2006: Assistant, Kochi University of Technology 2005：助理，高知工业大学 2004：古天乐太阳娱乐集团tyc493学术振兴会 PD 2002：DC1，古天乐太阳娱乐集团tyc493学术振兴会
许可证	危险材料工程师执照 B 级第 4 组，2004 年
学术团体	The Japan Institute of Metals and Materials 日本应用古天乐太阳娱乐集团tyc493学会古天乐太阳娱乐集团tyc493钢铁研究所古天乐太阳娱乐集团tyc493材料学会

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课程

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本古天乐太阳娱乐集团tyc493校	材料强度计算机知识古天乐太阳娱乐集团tyc493和材料实验毕业论文 Internship
研究生院	先进金属材料与工程研讨会 1 研讨会 2 研讨会 3 研讨会 4 毕业生个人作品

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研究活动

Research papers	作者：臼井宏之、中西琴乃、米川圭介、小岛遥、多美泰宏、大石直人、新田纪子、坂口博树标题：叶绿素a和b涂层增强TiO2/MnO2复合电极的光电化学电容反应期刊：ACS Appl。生物材料，卷。 7，第 3629-3635 页年份：2024 年 Authors: Hiroyasu Watanabe, Hiroyuki Usui, Yasuhiro Domi, Kurumi Uetake, Naoto Oishi, NITTA Noriko, Haruki Kurokawa, Hiroki Sakaguchi 标题：Solid-state lithium batteries composed of hematite and oxide electrolyte 期刊：材料快报，卷。 368，p。 136674 年份：2024 年作者：大石直人、东出夏美、新田纪子标题：通过在 Ge 上沉积 Au 来控制投影范围的离子照射诱导纳米孔/柱的形成期刊：J Appl。古天乐太阳娱乐集团tyc493，卷。 135，p。 144301 年份：2024 年作者：臼井裕之、土美泰弘、山本裕也、星武雄、田中俊之、大石直人、新田纪子、坂口博树标题：用于先进储锂材料的具有层状岩盐结构的镍掺杂二氧化钛期刊：ACS 应用电子材料，卷。 5，第 6292-6304 页年份：2023 年作者：臼井宏之、土美泰宏、田中智之、竹本正孝、大石直人、新田纪子、坂口宏树标题：金红石 TiNbO4 的储钠反应期刊：电化学通讯，卷。 115，p。 107579 年份：2023 年作者：大石直人、安冈达也、川原村敏之、新田纪子标题：用于锗表面纳米结构的离子束溅射与点缺陷自组织之间的竞争期刊：真空古天乐太阳娱乐集团tyc493与技术杂志 A，卷。 41，p。 063101 年份：2023 作者：大石直人、上田贵宏、新田纪子标题：半导体材料中离子辐照诱导的纳米孔/纤维形成和面空位分布期刊：应用古天乐太阳娱乐集团tyc493学杂志，卷。 133，p。 204301 年份：2023 年作者：大石直人、古贺文宏、新田纪子标题：Ion beam flux dependence of nanoporous structure formation induced by FIB in germanium 期刊：真空，卷。 213，p。 112123 年份：2023 作者：大石直人、村尾芳树、新田纪子、土田英次、富田繁雄、笹公一、平田浩一、柴田宏美、平野吉美、山田圭介、千叶敦也、齐藤雄一、鸣海一正、星野靖标题：C60 离子辐照引起的硅上纳米结构的形态变化期刊：真空古天乐太阳娱乐集团tyc493与技术杂志 A，第 40 期，第 063103-1-063103-7 页年份：2022 年作者：Hiroyuki Usuia、Yasuhiro Domia、Isaki Ueharab、Yoshitatsu Itodab、Eiji Iwamab、Naoto Oishi、Noriko Nitta、Hiroki Sakaguchi 标题：通过三元储钠反应增强CeO2/Sb2O3复合电极的循环性能期刊：国际陶瓷，卷。 48，第 23 期，第 35593-35598 页年份：2022 年作者：村尾芳树、新田纪子、铃木克赖标题：利用电子束光刻和离子束辐照在Ge表面制造有序纳米结构期刊：日本应用古天乐太阳娱乐集团tyc493学杂志，卷。 59，第 035001-1-035001-6 页，IOPscience Year: 2020 作者：重松浩司、森田健二、横山一宏、新田纪子、谷胁雅文标题：温度对利用聚焦离子束通过空隙形成和发展来制造 GaSb 纳米电池晶格的影响期刊：日本应用古天乐太阳娱乐集团tyc493学杂志，卷。 58，第 3 期，第 065003-1-065003-7 页年份：2019 作者：Syuhei Yamashita、Tomoya Oishi、Takashi Miyaji、Chiaki Watanebe、Noriko Nitta 标题：Tilted InSb nanostructures fabricated by off-normal angle ion beam irradiation 期刊：哲学杂志快报，卷。 98，第 10 期，第 1-10 页年份：2019 作者：佐藤翔太、Noriko Nitta、Masahito Sakamoto、Li Liu、Phimolphan Rutthongjan、Misaki Nishi、Mariko Ueda、Tatsuya Yasuoka、Ryo Hasekawa、Yuki Tagashira、Tamako Ozaki、Ellawala Kankanamge Chandima Pradeep、Giang T Dang、Toshiyuki Kawaharamura Title:利用常压溶液雾气CVD在低生长温度下制备大面积均匀二硫化钼层状薄膜的挑战期刊：日本应用古天乐太阳娱乐集团tyc493学杂志，卷。 57，p。 110306，日本应用古天乐太阳娱乐集团tyc493学会年份：2018 作者：大石智也、新田纪子标题：离子束辐照在Ge表面形成纳米孔结构期刊：J J Appl。古天乐太阳娱乐集团tyc493，卷。 57，第 0913101-1-0913101-6 年份：2018 作者：土田英次、新田纪子、柳田佑介、奥村佑哉、村濑龙标题：用快速 Cu 簇离子辐照的 GaSb 表面的纤维结构期刊：J Appl。古天乐太阳娱乐集团tyc493，卷。 123，第 161548 号，第 1-7 页，AIP 出版 Year: 2017 作者：宫地隆、新田纪子标题：离子束辐照在 InSb 表面形成纳米孔结构期刊：纳米材料，卷。 204，7号，MDPI 年份：2017 作者：Yusuke Yanagida、Tomoya Oishi、Takashi Miyaji、Chiaki Watanabe、Noriko Nitta Title: Nanoporous Structure Formation in GaSb, InSb, and 期刊：纳米材料，卷。 180，7号，MDPI 年份：2017 作者：河原村敏之、Dang Thai Giang、NITTA Noriko 标题：基于莱顿弗罗斯特液滴的雾化化学气相沉积多量子阱大气压外延生长技术期刊：应用。古天乐太阳娱乐集团tyc493。快报，卷。 109，第15期，AIP出版期刊年份：2016 年作者：石川修、新田纪子、谷胁雅文标题：通过离子束辐照制造高纵横比纳米细胞晶格 Journal: Applied Surface Science, Vol 385，第 515-520 页年份：2016 作者：KOHNO Hideo、Y Masuda、NITTA Noriko 标题：具有佩斯利形褶皱的扁平多壁碳纳米管束的形成和结构期刊：纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493与纳米技术快报，卷。 7，第 675-678 页年份：2015 年作者：MOMOTA Sadao、郭小伟、NITTA Noriko、YAMAGUCHI Takaharu、Noriyuki Satou、Hideto Tokaji 标题：氪束辐照硅晶体机械性能的改性期刊：应用表面古天乐太阳娱乐集团tyc493，卷。 349，第 123-128 页，爱思唯尔年份：2015 年作者：桃田定夫、郭小伟、新田纪子、前田一树标题：低通量离子束辐照引起的硅晶体表面结构的横向变形期刊：表面科学与纳米技术电子期刊，卷。 13，第 35-41 页，古天乐太阳娱乐集团tyc493表面科学会年份：2015 年作者：李鑫、李朝阳、河原村敏之、王大鹏、新田纪子、古田守、古田宏、八田明光标题：通过雾化学气相沉积法制备氧化锌纳米结构期刊：Trans。垫。资源。苏克。古天乐太阳娱乐集团tyc493，卷。 39，第 2 期，第 161-164 页年份：2014 年作者：李鑫、李朝阳、河原村敏之、王大鹏、新田纪子、古田守、古田宏、八田明光标题：底物对形成的影响期刊：纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493与纳米技术快报，卷。 6，第 174-180 页，美国古天乐太阳娱乐集团tyc493出版社年份：2014 年作者：HARIGAI Toru、IWASA Koyo、KOJI Hirofumi、NITTA Noriko、FURUTA Hiroshi、HATTA Akimitsu 标题：纳米纤维自组织形成分析期刊：古天乐太阳娱乐集团tyc493材料研究会学报，卷。 38，第 3 期，第 447-450 页，古天乐太阳娱乐集团tyc493材料研究会年份：2013 作者：Tooru Harigai、Yuuki Yasuoka、NITTA Noriko、FURUTA Hiroshi、HATTA Akimitsu 标题：通过射频等离子体 CVD 在硅衬底上沉积类金刚石碳膜的初始阶段以及通过氧等离子体蚀刻去除亚表面层的 X 射线反射率分析 Journal: Diamond and Related Materials, Vol 38，第 36-40 页，爱思唯尔年份：2013 年作者：Hirofumi Koji、FURUTA Hiroshi、Kazuki Sekiya、NITTA Noriko、Toru Harigai、HATTA Akimitsu 标题：通过在 Fe/Al 催化剂薄膜上添加一层薄镍层来提高 CNT 生长密度期刊：钻石及相关材料年份：2013 作者：NITTA Noriko、HASEGAWA Tokiya、H Yasuda、K Sato、Q Xu、T Yoshiie、TANIWAKI Masafumi、HATTA Akimitsu 标题：III-V 族化合物半导体中离子辐照诱导的多孔结构的束流依赖性期刊：固体中的辐射效应和缺陷，卷。 168，第 4 期，第 247-252 页年份：2013 年作者：KOJI Hirofumi、FURUTA Hiroshi、SEKIYA Kazuki、NITTA Noriko、HARIGAI Toru、HATTA Akimitsu 标题：通过在 Fe/Al 催化剂薄膜上添加一层薄镍层来提高 CNT 生长密度期刊：钻石和相关材料，爱思唯尔年份：2013 年作者：Hirofumi Kouji、Tooru Harigai、NITTA Noriko、FURUTA Hiroshi、HATTA Akimitsu 标题：在 Fe/Al 多层催化剂膜上磁控溅射沉积额外的 Ni 薄膜用于控制碳纳米管的生长 Journal: Transactions of the Materials Research Society of Japan, Vol 37, No 4, pp 511-514, Materials Research Society of Japan 年份：2012 年作者：森田沙代、新田纪子、谷胁正文标题：利用聚焦离子束诱导的点缺陷行为在 InSb 上制造纳米电池期刊：表面与涂层技术，卷。 206，第 5 期，第 792-796 页年份：2011 作者：NITTA Noriko、T Hasekawa、H Yasuda、Y Hayashi、T Yoshiie、TANIWAKI Masafumi 标题：在受控衬底温度下通过离子辐照在Ge表面形成缺陷结构期刊：材料交易，卷。 52，第 2 期，第 14 页。 127–129 年份：2011 作者：H Yasuda、K Matsumoto、T Furukawa、M Imamura、NITTA Noriko、H Mori Title: Thickness-dependent structural transition in GaAs nanocrystals grown on Si (111) surface 期刊：晶体生长杂志，卷。 314，第 1 期，第 365-369 页年份：2011 作者：新田纪子、相泽洋太、长谷川时也、安田秀宏标题：GaSb 中低能电子辐照引起的结构变化期刊：哲学杂志通讯，卷。 91，第 676-681 页年份：2011 作者：Tai Jan Dan、KAWAHARAMURA Toshiyuki、NITTA Noriko、HIRAO Takashi、T Yoshiie、TANIWAKI Masafumi 标题：室温下注入 60 keV Sn 离子的热液 ZnO 的光致发光、形貌和结构期刊：J Appl。古天乐太阳娱乐集团tyc493，卷。 109，p。 123516 年份：2011 作者：NITTA Noriko、E Taguchi、H Yasuda、H Mori、Y Hayashi、T Yoshiie、TANIWAKI Masafumi 标题：GaSb 离子和电子辐照引起的二次缺陷期刊：哲学杂志快报，卷。 91，第 223-228 页年份：2011 作者：新田纪子、长谷川时也、安田秀宏、林义彦、吉家利正、谷胁雅文、森广太郎 Title: Void formation and structure change induced by heavy ion irradiation in GaSb and InSb 期刊：材料交易，卷。 51，第 1059-1063 页年份：2010 作者：H T Sun、M Fujii、NITTA Noriko、M Mizuhata、H Yasuda、S Deki、S Hayashi 标题：镍掺杂镁橄榄石纳米晶的熔盐合成及表征期刊：美国陶瓷学会杂志，卷。 92，第 4 期，第 962-966 页年份：2009 年作者：Sun Hong-Tao Sun、Fumiaki Shimaoka、Minoru Fujii、Noriko Nitta、Minoru Mizuhata、Hidehiro Yasuda、Shigehito Deki、Shinji Hayashi 标题：Er3+ 和 Ni2+ 掺杂单晶 Al18B4O33 纳米棒的一步合成及其近红外发光性能期刊：纳米技术，卷。 20，p。 035604 年份：2009 年作者：孙洪涛、藤井稔、新田纪子、岛冈文明、水畑稔、林真司、安田秀宏、Deki 重人标题：硅酸铒纳米结构的受控合成及其发光性能期刊：纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493与纳米技术杂志，卷。 9，第 11 期，第 6277-6282 页年份：2009 作者：Noriko Nitta、Sayo Morita、Masafumi Taniwaki 标题：离子束诱导点缺陷半导体自组织行为的纳米电池制造期刊：表面和涂层技术，卷。 203，第 17-18 期，第 2463-2467 页年份：2009 作者：H Yasuda、A Tanaka、N Nitta、K Matsumoto、H Mori 标题：GaSb 纳米颗粒中低能电子激发诱导的相分离过程期刊：古天乐太阳娱乐集团tyc493学杂志：会议系列，卷。 100，p。 052081 年份：2008 年作者：H Yasuda、A Tanaka、K Matsumoto、N Nitta、H Mori 标题：通过电子激发诱导空位簇形成多孔GaSb化合物纳米颗粒期刊：古天乐太阳娱乐集团tyc493评论快报，卷。 100，第 10 期，第 10 页。 105506 年份：2008 作者：Noriko Nitta、Yukari Ohoka、Koichi Sato、Qiu Xu、Yoshihiko Hayashi、Toshimasa Yoshiie、Masafumi Taniwaki 标题：离子辐照下表面下沉对 GaSb 和 InSb 中空洞形成的影响期刊：材料交易，卷。 49，第 7 期，第 1546-1549 页 Year: 2008 作者：孙宏涛、藤井稔、新田纪子、岛冈文明、水畑稔、安田秀宏、Deki茂仁、林真司标题：硅酸镱纳米结构的大规模可控合成与表征期刊：美国陶瓷学会杂志，卷。 91，第 12 期，第 4158-4161 页年份：2008 年作者：新田纪子、谷胁雅文 Title: Nano-fabrication utilizing point defects induced by ion-implantation 期刊：表面和涂层技术，卷。 201，第 19-20 期，第 8521-8525 页年份：2007 年作者：T Yoshiie、N Nitta、M Taniwaki 标题：低温锡辐照 GaSb 中空洞膨胀的动力学蒙特卡罗模拟期刊：古天乐太阳娱乐集团tyc493研究中的核仪器和方法 B 部分：束流与材料和原子的相互作用，卷。 255，第 1 期，第 120-123 页年份：2007 年作者：Hiroshi Kanbe、Masayuki Miyaji、Mami Hirose、Noriko Nitta、Masafumi Taniwaki 标题：通过透射电子显微镜分析晶圆键合的 Ge/Si 异质结期刊：应用古天乐太阳娱乐集团tyc493快报，卷。 91，第 14 期，第 14 页。 142119 Year: 2007 作者：新田纪子、谷胁正文标题：利用离子辐照引起的点缺陷的自组织行为开发纳米制造技术期刊：Physica B，卷。 376-377，第 872-876 页年份：2006 年作者：Noriko Nitta、Masafumi Taniwaki、Yshihiko Hayashi、Toshimasa Yoshiie 标题：离子注入引起的点缺陷形成的细胞结构期刊：Physica B，卷。 376-377，第 881-885 页年份：2006 年作者：新田纪子、谷胁正文标题：利用离子束的新型纳米制造技术期刊：古天乐太阳娱乐集团tyc493研究中的核仪器和方法 B 部分：束流与材料和原子的相互作用，卷。 206，第 482-485 页年份：2003 年 Authors: Noriko Nitta, Masafumi Taniwaki, Yoshihiko Hayashi, Toshimasa Yoshiie Title: Formation of cellular defect structure on GaSb ion-implanted at low temperature Journal: Journal of Applied Physics, Vol 92，第 4 期，第 1799-1802 页年份：2002 年作者：Noriko Nitta、Masafumi Taniwaki、Tomoo Suzuki、Yoshihiko Hayashi、Yuhki Satoh、Toshimasa Yoshiie 标题：低温Sn离子注入在GaSb表面形成异常缺陷结构期刊：材料交易，卷。 43，第 4 期，第 674-680 页年份：2002 年
古天乐太阳娱乐集团tyc493政府的科学研究补助金	项目名称：半导体中低能电子辐照形成纳米晶体类别：青年古天乐太阳娱乐集团tyc493家资助金 (B) 项目编号：24760539 项目期限：2012-2014年预算总额：4,810,000日元关键字：

Research papers

作者：臼井宏之、中西琴乃、米川圭介、小岛遥、多美泰宏、大石直人、新田纪子、坂口博树
标题：叶绿素a和b涂层增强TiO2/MnO2复合电极的光电化学电容反应
期刊：ACS Appl。生物材料，卷。 7，第 3629-3635 页
年份：2024 年
Authors: Hiroyasu Watanabe, Hiroyuki Usui, Yasuhiro Domi, Kurumi Uetake, Naoto Oishi, NITTA Noriko, Haruki Kurokawa, Hiroki Sakaguchi
标题：Solid-state lithium batteries composed of hematite and oxide electrolyte
期刊：材料快报，卷。 368，p。 136674
年份：2024 年
作者：大石直人、东出夏美、新田纪子
标题：通过在 Ge 上沉积 Au 来控制投影范围的离子照射诱导纳米孔/柱的形成
期刊：J Appl。古天乐太阳娱乐集团tyc493，卷。 135，p。 144301
年份：2024 年
作者：臼井裕之、土美泰弘、山本裕也、星武雄、田中俊之、大石直人、新田纪子、坂口博树
标题：用于先进储锂材料的具有层状岩盐结构的镍掺杂二氧化钛
期刊：ACS 应用电子材料，卷。 5，第 6292-6304 页
年份：2023 年
作者：臼井宏之、土美泰宏、田中智之、竹本正孝、大石直人、新田纪子、坂口宏树
标题：金红石 TiNbO4 的储钠反应
期刊：电化学通讯，卷。 115，p。 107579
年份：2023 年
作者：大石直人、安冈达也、川原村敏之、新田纪子
标题：用于锗表面纳米结构的离子束溅射与点缺陷自组织之间的竞争
期刊：真空古天乐太阳娱乐集团tyc493与技术杂志 A，卷。 41，p。 063101
年份：2023
作者：大石直人、上田贵宏、新田纪子
标题：半导体材料中离子辐照诱导的纳米孔/纤维形成和面空位分布
期刊：应用古天乐太阳娱乐集团tyc493学杂志，卷。 133，p。 204301
年份：2023 年
作者：大石直人、古贺文宏、新田纪子
标题：Ion beam flux dependence of nanoporous structure formation induced by FIB in germanium
期刊：真空，卷。 213，p。 112123
年份：2023
作者：大石直人、村尾芳树、新田纪子、土田英次、富田繁雄、笹公一、平田浩一、柴田宏美、平野吉美、山田圭介、千叶敦也、齐藤雄一、鸣海一正、星野靖
标题：C60 离子辐照引起的硅上纳米结构的形态变化
期刊：真空古天乐太阳娱乐集团tyc493与技术杂志 A，第 40 期，第 063103-1-063103-7 页
年份：2022 年
作者：Hiroyuki Usuia、Yasuhiro Domia、Isaki Ueharab、Yoshitatsu Itodab、Eiji Iwamab、Naoto Oishi、Noriko Nitta、Hiroki Sakaguchi
标题：通过三元储钠反应增强CeO2/Sb2O3复合电极的循环性能
期刊：国际陶瓷，卷。 48，第 23 期，第 35593-35598 页
年份：2022 年
作者：村尾芳树、新田纪子、铃木克赖
标题：利用电子束光刻和离子束辐照在Ge表面制造有序纳米结构
期刊：日本应用古天乐太阳娱乐集团tyc493学杂志，卷。 59，第 035001-1-035001-6 页，IOPscience
Year: 2020
作者：重松浩司、森田健二、横山一宏、新田纪子、谷胁雅文
标题：温度对利用聚焦离子束通过空隙形成和发展来制造 GaSb 纳米电池晶格的影响
期刊：日本应用古天乐太阳娱乐集团tyc493学杂志，卷。 58，第 3 期，第 065003-1-065003-7 页
年份：2019
作者：Syuhei Yamashita、Tomoya Oishi、Takashi Miyaji、Chiaki Watanebe、Noriko Nitta
标题：Tilted InSb nanostructures fabricated by off-normal angle ion beam irradiation
期刊：哲学杂志快报，卷。 98，第 10 期，第 1-10 页
年份：2019
作者：佐藤翔太、Noriko Nitta、Masahito Sakamoto、Li Liu、Phimolphan Rutthongjan、Misaki Nishi、Mariko Ueda、Tatsuya Yasuoka、Ryo Hasekawa、Yuki Tagashira、Tamako Ozaki、Ellawala Kankanamge Chandima Pradeep、Giang T Dang、Toshiyuki Kawaharamura
Title:利用常压溶液雾气CVD在低生长温度下制备大面积均匀二硫化钼层状薄膜的挑战
期刊：日本应用古天乐太阳娱乐集团tyc493学杂志，卷。 57，p。 110306，日本应用古天乐太阳娱乐集团tyc493学会
年份：2018
作者：大石智也、新田纪子
标题：离子束辐照在Ge表面形成纳米孔结构
期刊：J J Appl。古天乐太阳娱乐集团tyc493，卷。 57，第 0913101-1-0913101-6
年份：2018
作者：土田英次、新田纪子、柳田佑介、奥村佑哉、村濑龙
标题：用快速 Cu 簇离子辐照的 GaSb 表面的纤维结构
期刊：J Appl。古天乐太阳娱乐集团tyc493，卷。 123，第 161548 号，第 1-7 页，AIP 出版
Year: 2017
作者：宫地隆、新田纪子
标题：离子束辐照在 InSb 表面形成纳米孔结构
期刊：纳米材料，卷。 204，7号，MDPI
年份：2017
作者：Yusuke Yanagida、Tomoya Oishi、Takashi Miyaji、Chiaki Watanabe、Noriko Nitta
Title: Nanoporous Structure Formation in GaSb, InSb, and
期刊：纳米材料，卷。 180，7号，MDPI
年份：2017
作者：河原村敏之、Dang Thai Giang、NITTA Noriko
标题：基于莱顿弗罗斯特液滴的雾化化学气相沉积多量子阱大气压外延生长技术
期刊：应用。古天乐太阳娱乐集团tyc493。快报，卷。 109，第15期，AIP出版期刊
年份：2016 年
作者：石川修、新田纪子、谷胁雅文
标题：通过离子束辐照制造高纵横比纳米细胞晶格
Journal: Applied Surface Science, Vol 385，第 515-520 页
年份：2016
作者：KOHNO Hideo、Y Masuda、NITTA Noriko
标题：具有佩斯利形褶皱的扁平多壁碳纳米管束的形成和结构
期刊：纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493与纳米技术快报，卷。 7，第 675-678 页
年份：2015 年
作者：MOMOTA Sadao、郭小伟、NITTA Noriko、YAMAGUCHI Takaharu、Noriyuki Satou、Hideto Tokaji
标题：氪束辐照硅晶体机械性能的改性
期刊：应用表面古天乐太阳娱乐集团tyc493，卷。 349，第 123-128 页，爱思唯尔
年份：2015 年
作者：桃田定夫、郭小伟、新田纪子、前田一树
标题：低通量离子束辐照引起的硅晶体表面结构的横向变形
期刊：表面科学与纳米技术电子期刊，卷。 13，第 35-41 页，古天乐太阳娱乐集团tyc493表面科学会
年份：2015 年
作者：李鑫、李朝阳、河原村敏之、王大鹏、新田纪子、古田守、古田宏、八田明光
标题：通过雾化学气相沉积法制备氧化锌纳米结构
期刊：Trans。垫。资源。苏克。古天乐太阳娱乐集团tyc493，卷。 39，第 2 期，第 161-164 页
年份：2014 年
作者：李鑫、李朝阳、河原村敏之、王大鹏、新田纪子、古田守、古田宏、八田明光
标题：底物对形成的影响
期刊：纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493与纳米技术快报，卷。 6，第 174-180 页，美国古天乐太阳娱乐集团tyc493出版社
年份：2014 年
作者：HARIGAI Toru、IWASA Koyo、KOJI Hirofumi、NITTA Noriko、FURUTA Hiroshi、HATTA Akimitsu
标题：纳米纤维自组织形成分析
期刊：古天乐太阳娱乐集团tyc493材料研究会学报，卷。 38，第 3 期，第 447-450 页，古天乐太阳娱乐集团tyc493材料研究会
年份：2013
作者：Tooru Harigai、Yuuki Yasuoka、NITTA Noriko、FURUTA Hiroshi、HATTA Akimitsu
标题：通过射频等离子体 CVD 在硅衬底上沉积类金刚石碳膜的初始阶段以及通过氧等离子体蚀刻去除亚表面层的 X 射线反射率分析
Journal: Diamond and Related Materials, Vol 38，第 36-40 页，爱思唯尔
年份：2013 年
作者：Hirofumi Koji、FURUTA Hiroshi、Kazuki Sekiya、NITTA Noriko、Toru Harigai、HATTA Akimitsu
标题：通过在 Fe/Al 催化剂薄膜上添加一层薄镍层来提高 CNT 生长密度
期刊：钻石及相关材料
年份：2013
作者：NITTA Noriko、HASEGAWA Tokiya、H Yasuda、K Sato、Q Xu、T Yoshiie、TANIWAKI Masafumi、HATTA Akimitsu
标题：III-V 族化合物半导体中离子辐照诱导的多孔结构的束流依赖性
期刊：固体中的辐射效应和缺陷，卷。 168，第 4 期，第 247-252 页
年份：2013 年
作者：KOJI Hirofumi、FURUTA Hiroshi、SEKIYA Kazuki、NITTA Noriko、HARIGAI Toru、HATTA Akimitsu
标题：通过在 Fe/Al 催化剂薄膜上添加一层薄镍层来提高 CNT 生长密度
期刊：钻石和相关材料，爱思唯尔
年份：2013 年
作者：Hirofumi Kouji、Tooru Harigai、NITTA Noriko、FURUTA Hiroshi、HATTA Akimitsu
标题：在 Fe/Al 多层催化剂膜上磁控溅射沉积额外的 Ni 薄膜用于控制碳纳米管的生长
Journal: Transactions of the Materials Research Society of Japan, Vol 37, No 4, pp 511-514, Materials Research Society of Japan
年份：2012 年
作者：森田沙代、新田纪子、谷胁正文
标题：利用聚焦离子束诱导的点缺陷行为在 InSb 上制造纳米电池
期刊：表面与涂层技术，卷。 206，第 5 期，第 792-796 页
年份：2011
作者：NITTA Noriko、T Hasekawa、H Yasuda、Y Hayashi、T Yoshiie、TANIWAKI Masafumi
标题：在受控衬底温度下通过离子辐照在Ge表面形成缺陷结构
期刊：材料交易，卷。 52，第 2 期，第 14 页。 127–129
年份：2011
作者：H Yasuda、K Matsumoto、T Furukawa、M Imamura、NITTA Noriko、H Mori
Title: Thickness-dependent structural transition in GaAs nanocrystals grown on Si (111) surface
期刊：晶体生长杂志，卷。 314，第 1 期，第 365-369 页
年份：2011
作者：新田纪子、相泽洋太、长谷川时也、安田秀宏
标题：GaSb 中低能电子辐照引起的结构变化
期刊：哲学杂志通讯，卷。 91，第 676-681 页
年份：2011
作者：Tai Jan Dan、KAWAHARAMURA Toshiyuki、NITTA Noriko、HIRAO Takashi、T Yoshiie、TANIWAKI Masafumi
标题：室温下注入 60 keV Sn 离子的热液 ZnO 的光致发光、形貌和结构
期刊：J Appl。古天乐太阳娱乐集团tyc493，卷。 109，p。 123516
年份：2011
作者：NITTA Noriko、E Taguchi、H Yasuda、H Mori、Y Hayashi、T Yoshiie、TANIWAKI Masafumi
标题：GaSb 离子和电子辐照引起的二次缺陷
期刊：哲学杂志快报，卷。 91，第 223-228 页
年份：2011
作者：新田纪子、长谷川时也、安田秀宏、林义彦、吉家利正、谷胁雅文、森广太郎
Title: Void formation and structure change induced by heavy ion irradiation in GaSb and InSb
期刊：材料交易，卷。 51，第 1059-1063 页
年份：2010
作者：H T Sun、M Fujii、NITTA Noriko、M Mizuhata、H Yasuda、S Deki、S Hayashi
标题：镍掺杂镁橄榄石纳米晶的熔盐合成及表征
期刊：美国陶瓷学会杂志，卷。 92，第 4 期，第 962-966 页
年份：2009 年
作者：Sun Hong-Tao Sun、Fumiaki Shimaoka、Minoru Fujii、Noriko Nitta、Minoru Mizuhata、Hidehiro Yasuda、Shigehito Deki、Shinji Hayashi
标题：Er3+ 和 Ni2+ 掺杂单晶 Al18B4O33 纳米棒的一步合成及其近红外发光性能
期刊：纳米技术，卷。 20，p。 035604
年份：2009 年
作者：孙洪涛、藤井稔、新田纪子、岛冈文明、水畑稔、林真司、安田秀宏、Deki 重人
标题：硅酸铒纳米结构的受控合成及其发光性能
期刊：纳米古天乐太阳娱乐集团tyc493与纳米技术杂志，卷。 9，第 11 期，第 6277-6282 页
年份：2009
作者：Noriko Nitta、Sayo Morita、Masafumi Taniwaki
标题：离子束诱导点缺陷半导体自组织行为的纳米电池制造
期刊：表面和涂层技术，卷。 203，第 17-18 期，第 2463-2467 页
年份：2009
作者：H Yasuda、A Tanaka、N Nitta、K Matsumoto、H Mori
标题：GaSb 纳米颗粒中低能电子激发诱导的相分离过程
期刊：古天乐太阳娱乐集团tyc493学杂志：会议系列，卷。 100，p。 052081
年份：2008 年
作者：H Yasuda、A Tanaka、K Matsumoto、N Nitta、H Mori
标题：通过电子激发诱导空位簇形成多孔GaSb化合物纳米颗粒
期刊：古天乐太阳娱乐集团tyc493评论快报，卷。 100，第 10 期，第 10 页。 105506
年份：2008
作者：Noriko Nitta、Yukari Ohoka、Koichi Sato、Qiu Xu、Yoshihiko Hayashi、Toshimasa Yoshiie、Masafumi Taniwaki
标题：离子辐照下表面下沉对 GaSb 和 InSb 中空洞形成的影响
期刊：材料交易，卷。 49，第 7 期，第 1546-1549 页
Year: 2008
作者：孙宏涛、藤井稔、新田纪子、岛冈文明、水畑稔、安田秀宏、Deki茂仁、林真司
标题：硅酸镱纳米结构的大规模可控合成与表征
期刊：美国陶瓷学会杂志，卷。 91，第 12 期，第 4158-4161 页
年份：2008 年
作者：新田纪子、谷胁雅文
Title: Nano-fabrication utilizing point defects induced by ion-implantation
期刊：表面和涂层技术，卷。 201，第 19-20 期，第 8521-8525 页
年份：2007 年
作者：T Yoshiie、N Nitta、M Taniwaki
标题：低温锡辐照 GaSb 中空洞膨胀的动力学蒙特卡罗模拟
期刊：古天乐太阳娱乐集团tyc493研究中的核仪器和方法 B 部分：束流与材料和原子的相互作用，卷。 255，第 1 期，第 120-123 页
年份：2007 年
作者：Hiroshi Kanbe、Masayuki Miyaji、Mami Hirose、Noriko Nitta、Masafumi Taniwaki
标题：通过透射电子显微镜分析晶圆键合的 Ge/Si 异质结
期刊：应用古天乐太阳娱乐集团tyc493快报，卷。 91，第 14 期，第 14 页。 142119
Year: 2007
作者：新田纪子、谷胁正文
标题：利用离子辐照引起的点缺陷的自组织行为开发纳米制造技术
期刊：Physica B，卷。 376-377，第 872-876 页
年份：2006 年
作者：Noriko Nitta、Masafumi Taniwaki、Yshihiko Hayashi、Toshimasa Yoshiie
标题：离子注入引起的点缺陷形成的细胞结构
期刊：Physica B，卷。 376-377，第 881-885 页
年份：2006 年
作者：新田纪子、谷胁正文
标题：利用离子束的新型纳米制造技术
期刊：古天乐太阳娱乐集团tyc493研究中的核仪器和方法 B 部分：束流与材料和原子的相互作用，卷。 206，第 482-485 页
年份：2003 年
Authors: Noriko Nitta, Masafumi Taniwaki, Yoshihiko Hayashi, Toshimasa Yoshiie
Title: Formation of cellular defect structure on GaSb ion-implanted at low temperature
Journal: Journal of Applied Physics, Vol 92，第 4 期，第 1799-1802 页
年份：2002 年
作者：Noriko Nitta、Masafumi Taniwaki、Tomoo Suzuki、Yoshihiko Hayashi、Yuhki Satoh、Toshimasa Yoshiie
标题：低温Sn离子注入在GaSb表面形成异常缺陷结构
期刊：材料交易，卷。 43，第 4 期，第 674-680 页
年份：2002 年

古天乐太阳娱乐集团tyc493政府的科学研究补助金

项目名称：半导体中低能电子辐照形成纳米晶体
类别：青年古天乐太阳娱乐集团tyc493家资助金 (B)
项目编号：24760539
项目期限：2012-2014年
预算总额：4,810,000日元
关键字：

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