11月17日至18日在龙谷太阳成集团tyc234cc古天乐举行的“第19届薄膜材料和器件研究小组”上，Toshihiro Matsumura先生（硕士课程材料工程课程第二年，高知县立高知工业高中毕业生/导师：先进材料和元素科学实验室）古田守教授) 做了研究报告并获得了学生奖。
该奖项颁发给最优秀的学生演讲，最多可占一般演讲数量的 10%，由程序委员会成员和参与者投票选出。今年，从 50 个学生奖项中选出了 4 个。
本研究小组以“新型半导体材料和器件：迈向可持续发展目标的实现”为主题，讨论了薄膜晶体管、光学器件、太阳成集团tyc234cc古天乐能电池、存储器和热电器件等薄膜材料器件的基础知识和应用，以及利用信息学的制造技术、工艺和器件的新发展。
Matsumura 先生演讲的主题是“氢化多晶 In-Ga-O (IGO:H) 薄膜和薄膜晶体管应用中的金属-半导体转变”。
显示器分辨率更高，场效应迁移率高TFT（薄膜晶体管）的发展已成为必要。在先进材料和元素科学实验室迄今为止的研究中，In-Ga-Zn-O (IGZO) TFT288 厘米2/Vs我正在报告我能得到什么。松村先生的目标是进一步提高流动性在2O3我们专注于提高该比率的材料。然而，在2O3增加比例TFT存在一个无法正常工作的问题。所以这一次，氩气+氧气2+H2并形成薄膜TFT有效。结果，场效应迁移率是415 厘米2/Vs和IGZO TFT比7206_7228|更高的场效应迁移率，高迁移率TFT的可能性已显示。
松村先生在领奖后说道：“我很高兴从本科生起就一直从事的研究取得了成果。我从高中生起就对半导体感兴趣，并且想在这个方向上进行研究。虽然工作量很大，但随着实验越来越多，我对薄膜材料的理解不断提高，我也很喜欢研究它们。我将从四月份开始从事开发技术工作。我想尽我最大的努力将我所学到的知识运用到社会中。”
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